K0.3MoO3电子辐照下有序-无序转变及恢复

准一维K0.3MoO3蓝青铜中的电荷密度波(CDW)失稳一直是凝聚态物理研究的热点之一.在180K温度附近K0.3MoO3发生晶格畸变伴随着电荷发生空间周期性调制,形成所谓的CDW.当调制波矢量q=2KF时,布里渊区将与费米面套叠而打开一个Peierls能隙,导致体系从导体向半导体或绝缘体的转变,即Peierls相变.Peierls失稳是低维系统的特有行为,具有强烈的维度依赖性,非常敏感于元素掺杂和各种机制产生的缺陷.电子辐照产生的结构变化对于CDW材料的Peierls相变温度和Peierls能隙的形成有很强的影响,强的电子辐照使Peierls相变温度下降.且随着辐照剂量的增大,Peierls能隙甚至被抹平.     

K0．3MoO3电子辐照下有序一无序转变及恢复

准一维K0．3MoO3蓝青铜中的电荷密度波(CDW)失稳一直是凝聚态物理研究的热点之一。在180K温度附近K0．3MoO3发生晶格畸变伴随着电荷发生空间周期性调制，形成所谓的CDW。当调制波矢量q=2Kr时，布里渊区将与费米面套叠而打开一个Peierls能隙，导致体系从导体向半导体或绝     

MoO3纳米带在外场作用下的相变

本文研究了电子束辐照和加热条件下正交相MoO3的相变.利用透射电子显微学研究表明:(1)电子束辐照使MoO3相变生成具有面心立方结构的MoO,两相之间取向关系为[010]MoO3//[010]MoO,(200)MoO3//(200)MoO;(2)MoO3在873 K时相变生成单斜相的MoO2,在相变产物中首次发现了具有(011)孪晶的MoO2纳米颗粒.研究结果使之对MoO3在不同环境下的相变有了更深入的了解.     

铷蓝青铜及其钨掺杂样品的非线性电输运性质

用电解还原法生长出单晶晶体结构的铷蓝青铜及其系列钨掺杂样品,通过研究其电输运特性发现,纯样品及掺杂样品的电输运都呈相似的非线性特性,分别来源于阈值场以上电荷密度波滑移电导和杂质周围畸变引起的载流子的集体效应。     

准二维天然超晶格物质Mo_4O_(11)的输运现象

报告了准二维天然超晶格物质η-Mo4O11（在105K和35K呈现两次电荷密度波转变）在温度4．2－300K，脉冲磁场40T范围内的输运性质。动态和静态的温度特性均在转变温度附近呈现出明显异常。对其高压下的特性也作了报道。     

金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构的电子辐照效应

金属.二氧化硅-半导体(MOS)结构对于SiO2-Si界面非常敏感,能够方便地反映出氧化层电荷、界面态密度等参数.为了研究MOS结构的电子辐照效应,采取了能量为0.8 MeV,辐照剂量范围为2×1013～1×1014cm-2屯的电子束作为辐照源.实验发现,MOS结构经电子辐照后,在SiO2-Si界面处引入界面态,并且在二氧化硅内部积累正电荷.通过对MOS结构在电子辐照前后高、低频C-V曲线的测试,测试出辐照在氧化层引入的界面态密度达到了1014cm-2eV-1,而积累的正电荷面密度达到了10-2cm-2.同时得到了界面态密度和积累电荷密度与辐照剂量的关系.     

超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）系统地研究了ＧａＡｓ（５０Ａ）／ＧａＡｌＡｓ（５０Ａ）起晶格中的电子辐照缺陷，证明其亚稳态特性的存在，对其恢复温度、转变条件进行了研究，指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因。     

高分子和MX络合物的光学非线性

根据一维分子链中的电荷密度波(CDW)和价键序量波(BOW)统一地研究了MX络合物和高分子中的三阶光学非线性.揭示了Pt-Cl络合物和聚乙炔的三次谐波产生频谱共振峰结构的物理来源:Pt-Cl络合物的1.8eV峰和聚乙炔的0.9eV峰都是由能带间的双光子共振产生的.本理论能定量地阐明这两种材料的已观察到的三阶光学非线性的实验数据,还能预测Pt-Cl络合物的三次谐波在0.9eV处存在另一个由三光子共振引起的峰.     

电子束辐照制备钼酸锰纳米材料

在透射电子显微镜中,利用电子束辐照诱导的方法合成了钼酸锰片状纳米材料.研究发现在电子束辐照前,由于Mn、O等的相对含量不同样品可以分为两类.其中Mn和O含量较低的样品经电子束辐照后的产物为Mn2 Mo3 O8纳米片和MoO2纳米颗粒.而Mn和O含量较高的则主要生成六角结构的新相Mnx Mo3 O8.进一步分析发现,Mnx Mo3 O8的生成可能是因为样品中Mn相对含量较高,导致Mn、Mo和O原子层堆垛方式发生了改变.同时也初步确定了MnxMo3O8的晶胞参数为aH2=0.59 nm,cH2=6.24 nm.研究结果不仅提供了利用电子束辐照制备钼酸盐纳米材料的新方法,同时也促进了对钼酸锰材料的认识.     

1μm连续波激光倍频的新非线性晶体─—菱形钼酸钆

不久之前发现，Gd2（MoO4）3晶体除了具有独特的铁电性和铁弹性之外，还具有较大的二次和三次非线性极化率（X(2)和X(3)）。这就能够成功地用于1μm激光的倍频[1]和拉曼参量激光器[2,3]。Gd2（MoO4）3个晶体同时是一种半导体激光泵浦的激光器的高效介质[4]。作者研究了Gd2（MoO4）3和Gd2（MoO4）3：Nd3+晶体的1μm连续激光辐射的信频。钼酸钆在300K时为光学双轮正晶体（角度2V=10°），并且是菱形结构（β'相C-Pba2空间群。它在0.3～0．6μm区是透明的。根据文献[1]，β'-Gd2（MoO4）3的二次谐波振荡的第一类相位匹配角度为m=65°…     

（Ge）n／（Si）n应变层超晶格的电子结构

本文用ＬＣＡＯ－Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了应变层超晶格（ＳＬＳ）（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ（ｎ＝１，２）的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ｇｅ、Ｓｉ的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的ｎ对（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎＳＬＳ电子结构的影响。我们发现超晶格表面存在表面态，表面退杂化。电子在超晶格界面处发生转移，并随ｎ的不同，转移量不同。     

钝化层及P型基底结构优化对电子轰击型有源传感器电荷收集效率影响的研究

为获得高增益的电子轰击型有源传感器(EBAPS)，对EBAPS成像器件中电子倍增层的电荷收集效率的影响因素进行了研究。基于载流子输运理论，采用蒙特卡罗方法研究了钝化层种类、厚度、入射电子能量、P型基底厚度和掺杂浓度对二次电子分布及收集的影响。结果表明：为提高入射电子的入射深度进而提高电荷收集效率，宜采用密度小的SiO₂作为钝化层；为了减少钝化层对倍增电子的复合进而提高电荷收集效率，宜降低钝化层厚度和提高入射电子能量；为了降低倍增电子扩散过程中载流子的复合进而提高电荷收集效率，宜降低P型基底的厚度和掺杂浓度。     

透射电镜表征中锂-氧气电池放电产物的辐照损伤研究

本文采用透射电子显微镜研究了锂－氧气电池相关放电产物Li2 O2、Li2 O、LiOH以及Li2 CO3在电子束辐照下的晶体结构和电子结构的变化。研究表明Li2 O2、Li2 O、LiOH以及Li2 CO3在电子束辐照下均存在辐照损伤现象；原位选区电子衍射和电子能量损失谱分析表明在电子束辐照下Li2 O的结构基本保持不变，而Li2 O2、LiOH以及Li2 CO3则向Li2 O发生转变，各产物的稳定程度依次为Li2 CO3≥LiOH≥Li2 O2。且Li2 CO3样品的电子束辐照具有取向依赖性，低指数[001]比高指数[103]带轴表现出更高的耐辐照损伤能力。随着辐照剂量增加，Li2 CO3样品耐辐照时间缩短，损伤程度加剧。     

C60在Ag(111)表面的STM图像理论模拟

本文利用离散变分和局域密度泛函（ＤＶ－ＬＤＦ）方法,通过计算Ｃ６０／Ａｇ（１１１）的电荷密度分布图,即模拟出该体系的ＳＴＭ图像,并详细地研究了体系的电子结构,结果表明,该体系中有２．３２ｅ自金属表面Ａｇ原子向Ｃ６０转移。外电场的极性对图像影响委 正偏压情形,ＬＵＭＯ电荷密度分布图为三个五边形围成则呈三叶状,反映的是体系中吸附分子的对称性,且隧道电流主要来自单键。而ＨＯＭＯ电荷密度分布图具有三重对称     

光伏法研究高能电子辐照单晶硅的性能

采用光伏方法测量了１ＭｅＶ高能电子辐照（辐照剂量为１０＾１３～１０＾１６ｃｍ＾－２）前后硅单晶少子扩散长度的变化；结合红外光吸收谱的测量结果，分析了高能电子辐照对硅单晶性能的影响。实验结果表明：高阻硅比低阻硅具有更强的抗辐射能力，大剂量的电子辐照可以改变ｎ型硅的导电类型。文中还计算了电子辐照在硅中所产生的陷浓度等一些重要参数。     

NaxCoO2·yH2O体系的高分辨电子能量损失谱和电子结构研究

本文通过高分辨电子能量损失谱(EELS)的实验分析与密度泛函计算相结合的方法,研究了NaxCoO2·yH2O系统的电子结构特性和电子关联效应.实验结果表明,金属性Na0.3CoO2材料和电荷有序绝缘体Na0.5CoO2的O-K吸收边存在明显的结构差别,在Na0.5CoO2的EELS中第一个峰发生明显分裂,密度泛函计算证实这种分裂现象和电子关联效应直接相关.通过理论模拟谱线与实验谱线的比较确定了其电子关联强度为U=3.0 eV.在Na0.3CoO2·yH2O(y=0,0.6,1.3)超导体系中,实验发现其能损谱的低能部分随着水含量的增加发生系统的变化,损失峰向低能量方向逐步移动.电子结构计算表明水分子的插入可以引起费米面附近能态原子轨道杂化情况的改变,从而导致EELS的变化.     

金刚石薄膜衬底表面不同预处理对薄膜表面形貌的影响

用微波等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）设备，在经过不同粒度的ＳｉＣ研磨粉进行粗化预处理过的金属钼衬底上沉积出了表面形貌有较大差异的金刚石薄膜，分别用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、光学显微镜和Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）以及Ｒａｍａｎ光谱对样品进行了分析测试，并研究了各样品的场致电子发射特性。结果发现：在我们的实验范围内，对钼衬底研磨预处理所用的ＳｉＣ研磨粉的粒度越大，其上沉积出的金刚石薄膜样品的表面越粗糙；而金刚石薄膜的表面越粗糙，其场致发射的效果也越好。     

准一维半导体纳米结构的电子显微学研究

本文总结了近年来我们在功能准一维纳米结构材料研究方面所获得的一些有意义的结果。借助于现代电子显微镜技术，不仅研究了硅、氮化稼、氧化锌等一维纳米材料的形貌和显微结构，还研究了其一维择优生长机理及小尺度效应。尤其是利用高能量分辨电子能量损失谱、高角环形暗场探头等先进技术，解决了一个传统X－光等结构分析手段所不能解决的难题，分析了一种SiOx/SiC复合纳米电缆的成份与结构。     

采用高能12MeV电子辐照技术制造快速可控硅

报道了采用最佳能量（高能１２ＭｅＶ）电子，辐照快速可控硅，解决了低能（≤４ＭｅＶ）电子辐射照快速控硅热稳定性差的难题，这对我国半导体器件的电子辐照推广应用将有一定的经济价值。     

γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究

针对红外探测器在空间应用中受到高能粒子辐照后暗电流退化的问题,开展射线对中波碲镉汞（HgCdTe）光伏器件暗电流影响的研究。在室温和77 K温度下,利用60Co-射线对HgCdTe器件进行辐照试验,辐照试验结束后对低温辐照器件进行77 K低温退火和室温退火。通过比较辐照前后和退火后器件的I-V特性、R-V特性和零偏动态电阻R0参数,分析了辐照对HgCdTe器件暗电流的影响机制。试验结果表明:在总剂量为7 Mrad（Si）照条件下,器件暗电流未出现明显的退化;在77 K温度辐照条件下,器件暗电流随着总剂量的增加而增加,且暗电流退化幅度与辐照过程中的偏置有关。研究表明暗电流的退化源于辐照在器件中造成电离损伤,导致器件HgCdTe化层中的界面态和空穴陷阱电荷密度增加。