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采用高真空 /快速热处理 /化学气相淀积外延SiGe HBT结构 总被引:5,自引:2,他引:3
采用新近研制的高真空 /快速热处理 /化学气相淀积 (HV/ RTP/ CVD)系统生长了应变 Si Ge材料 .通过仔细设计的处理过程可以得到器件质量的材料 .Ge组分可以变化至 0 .2 5 ,可以得到控制良好的 n型和 p型掺杂层 ,适用于异质结双极型晶体管 (HBT)的制作 .研究了 Si Ge HBT的 n- Si/ i- p+ - i Si Ge/ n- Si结构 .所制作出的微波 HBT性能良好 ,证明了设备和工艺的水平 相似文献
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介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧姆接触等工艺技术进行研究,探索出关键工艺的控制方法,并对采用以上工艺技术制作的多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管进行了I-V特性及频率特性测试。结果显示该器件饱和压降小,欧姆接触良好,直流电流放大倍数β随Ic变化不大,截止频率最高达到11.2 GHz。 相似文献
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本文报道了用快速加热化学汽相外延法生长重掺杂Si/Si和Si/Ge/Si p -n 结的实验结果,与过去报道的用离子注入法昨的Si结相比,这些结中的寄生隧穿电流减小了三个数量级^[4],这些结果对降低小尺寸双极晶体管,尤其是SiGe异质结双极晶体管(HBT)中的基极电流有十分重要的作用,而且外延界面的质量也有所提高。 相似文献
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GeSi/Si异质结红外摄像器 总被引:1,自引:0,他引:1
论述了单片 5 12× 5 12像素的 Ge Si/Si异质结红外摄像器。它的工作原理和 Pt Si/Si肖特基势垒红外摄像器一样。制造 Ge Si/Si异质结采用分子束外延法 ,在 Si片上生长 Ge Si膜。该膜有理想的应力。文章评价了 Ge成份、掺杂浓度、Ge Si膜厚和光谱响应的关系。研究表明器件的最佳工作波长为 8~ 12μm。 相似文献
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非外延集电区的超高压锗硅异质结双极晶体管 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了在0.18 μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的“L形”二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集电区.该器件可在同一工艺中通过版图中横向集电区长度的变化实现不同的击穿电压,因此可制作超高压... 相似文献
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针对IMEC 0.13μm准自对准SiGe BiCMOS工艺制成的基区Ge组分二阶分布结构SiGe异质结双极晶体管,在25~125℃温度范围内,对其进行了包括Early电压,Gummel图形等在内的完整双极晶体管特性曲线测量,提取了该器件在25~125℃范围内的温度可变Mextram 504模型参数.在此基础上,为Mextram 504模型对0.13μm基区Ge组分二阶分布SiGe异质结双极晶体管探索了完整的模型提取方案.提出了对Mextram 504模型温度参数提取方法的改进,优化了提取流程.对SiGe异质结双极晶体管雪崩电流受温度影响的特性进行了讨论,为Mextram模型提出了雪崩外延层的有效厚度的温度变化经验公式和新的雪崩电流温度变化参数,提高了Mextram模型对不同温度下SiGe双极型晶体管进行模拟仿真的精确度. 相似文献
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在Si/SiGe/SiHBT与Si工艺兼容的研究基础上,对射频Si/SiGe/SiHBT的射频特性和制备工艺进行了研究,分析了与器件结构有关的关键参数寄生电容和寄生电阻与Si/SiGe/Si HBT的特征频率fT和最高振荡频率fmax的关系,成功地制备了fT为2.5CHz、fmax为2.3GHz的射频Si/SiGe/SiHBT,为具有更好的射频性能的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。 相似文献
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Si/SiGe/Si HBT的优化设计 总被引:2,自引:0,他引:2
给出了常温和低温Si/SiGe/SiHBT的设计原则,并进行了讨论。指出了低温和室温HBT设计上的差异。这些原则可用于设计特定要求的Si/SiGe/SiHBT。 相似文献
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本文用RBS,AES,TEM和X射线衍射等实验方法,分析比较了Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系统在室温下As离子混合和热退火的行为.得出在Ni/Si系统中,硅混合量Q_(s1)与剂量Φ的平方根成正比,形成Ni_2Si相.在Pt/Si系中,硅混合量也与剂量的平方根成正比,先后形成Pt_3Si和Pt_2Si相.对Ir/Si系,Q_(s1)与Φ则是线性关系:Q_(s1)=aΦ+b,未测到化学相.实验表明:离子束混合能大大增强金属和硅化物的化学反应.在离子混合和退火形成硅化物的过程中,注入杂质As的分布有显著变化. 相似文献
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测量了Si/SiGe HBT在23~260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性,以及Early电压VA的变化情况。结果表明,随电流和温度的增加,β减少,VBE随温度的变化率dVBE/dT小于同质结Si BJT。在高集电极-发射极电压和大电流下,在输出特性曲线上观察到了负微分电阻(NDR)特性。结果还显示,电流增益-Early电压积与温度的倒数(1/T)呈线性关系,这对模拟电路应用是很重要和有用的。 相似文献
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En-Jun Zhu Zhang S.S. Sheng W.W. Zhao B.Z. Xiong C.K. Wang Y.S. 《Electron Device Letters, IEEE》1989,10(1):4-6
Because the emitter-base junctions of amorphous Si/Si heterojunction bipolar transistors (HBTs) with a conventional structure are inside the amorphous Si (a-Si) layer, their high-frequency performance is limited due to very low electron velocity in a-Si. An improved structure, the two-dimensional-electron-gas (2DEG) emitter structure, is proposed to overcome these problems, and a-Si/Si HBTs with good high-frequency performance are fabricated. Their low-temperature fabrication technology can be extended to other III-V-compound HBTs 相似文献
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Application of the Monte Carlo technique to analyze electron and hole transport in bulk Si0.8Ge0.2 and strained Si 0.8Ge0.2/Si is discussed. The computed minority- and majority-carrier transport properties were used in a comprehensive small-signal model to evaluate the high-frequency performance of a state-of-the-art n-p-n heterostructure bipolar transistors (HBT) fabricated with SiGe as the base material. The valence band discontinuity of a SiGe-base HBT reverses the degradation in emitter injection efficiency caused by bandgap narrowing in the base, and permits a higher ratio of base doping to emitter doping than would be practical for a bipolar transistor. Any degradative effect of increased base doping on electron and hole mobilities is offset by improved transport in the strained SiGe base, resulting in a marked decrease in the base resistance and base transit time. Compared to the Si BJT, the use of Si0.8Ge0.2 for the base region of an HBT leads to significant improvements in low-frequency common emitter current gain, low-frequency unilateral power gain, and maximum oscillation frequency 相似文献
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Si1-XGeX/Si红外光电探测器 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的Si1-xGex/Si异质结pin型红外探测器。其波长范围为0.70~1.55μm,峰值波长为0.96~1.06μm,暗电流密度低达0.03μA/mm^2(-2V),在1.3μm处的响应度高达0.15A/W(-5V);讨论了Ge组分、外延层厚度、偏置电压等对探测器参数的影响。 相似文献
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Lanzerotti L.D. St. Amour A. Liu C.W. Sturm J.C. Watanabe J.K. Theodore D. 《Electron Device Letters, IEEE》1996,17(7):334-337
We report the first Si/Si1-x-yGexCy /Si n-p-n heterojunction bipolar transistors and the first electrical bandgap measurements of strained Si1-x-yGex Cy on Si (100) substrates. The carbon compositions were measured by the shift between the Si1-x-yGexCy and Si1-xGex X-ray diffraction peaks. The temperature dependence of the HBT collector current demonstrates that carbon causes a shift in bandgap of +26 meV/%C for germanium fractions of x=0.2 and x=0.25. These results show that carbon reduces the strain in Si1-x Gex at a faster rate than it increases the bandgap (compared to reducing x in Si1-xGex), so that a Si 1-x-yGexCy film will have less strain than a Si1-xGex film with the same bandgap 相似文献
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我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si/SiGe/Si HBT结构,并已研制成功台面结构Si/SiGe/Si HBT和低噪声Si/SiGe/Si HBT,为进一步高指标的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。 相似文献