双极晶体管基极电阻的电流特性

本文针对基极电阻随电流变化的实验事实,根据基区电导调制效应,提出了工作在大电流密度水平时,基极电阻R_B(I_B)的理论模型;根据复合效应分析了小电流段R_B(I_B)的变化关系.实验结果与理论模型一致.     

电流增益温度稳定的硅双极晶体管

随着现代电子工业的迅猛发展,高可靠己成为现代武器系统、军用电子设备、航天航空工程和高性能电子整机的基本要求,电子整机、设备和系统要求能够在各种条件下工作,这就对半导体器件提出了具有耐环境变化的高可靠性和高稳定性的要求.半导体器件的电特性参数大多是温度敏感参数,环境温度的高低温变化将引起半导体器件电性能的剧烈变化,这直接影响了电子整机、设备和系统的性能,甚至使它们丧失工作能力.     

双极型晶体管电流增益温度特性的研究

修正了电流增益表达式。对样品3DK105B在不同温度点下进行测试分析。考虑样品理想因子n随温度的变化、VBE随温度的变化,以及禁带宽度随温度变化对电流增益的影响,对电流增益表达式进行了修正,使修正后的结果更加接近实际测试结果。     

双极晶体管电流增益与发射区杂质浓度关系的温度特性

本文从理论和实验两方面对积极型晶体管电流增益HFE与发射区杂质浓度NE的关系的温度特性进行了探讨。研究结果表明，HFE与NE的相关程度与温度有关，在常温下，HFE随NE的增加而增加；当温度升高时，HFE将随NE的增加而更剧烈地增加。     

双极型晶体管电流增益的温度特性研究

分析了大注入效应对双极型晶体管电流增益温度特性的影响,建立了双极型晶体管电流增益温度解析模型。选取产品3DD167来进行不同温度不同工作条件下的测试分析。实验结果表明,在特定工作条件下,该器件在不同温度时其电流增益都有一个零温度点。实验结果和模型吻合较好。     

RF和微波晶体管功率增益测量

通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。     

低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟

本文考虑禁带变窄效应、载流子冻析效应和多晶硅／单晶硅界面复合与氧化层隧穿效应，采用有效复合速度方法，建立了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度关系模型。模拟计算结果与实验符合较好。     

多晶硅发射极晶体管电流增益的计算机分析

本文采用较精确的模型,对多晶硅发射极晶体管特有的发射区结构:SiO_2层厚度与位置、准中性发射区厚度、发射极表面浓度等参数对电流增益的影响进行了计算机分析,为这种器件的优化设计提供了有益的数值分析结果。     

硅双极晶体管低温电流增益模型修正

多晶硅发射区双极晶体管的低温（７７Ｋ）电流增益模型建立在理想掺杂近似的基础上．本文由基区电子电流密度Ｊｎ和发射区空穴电流密度Ｊｐ出发，根据实际掺杂情况中的近似高斯分布，分析了理想掺杂近似对电流增益结果的影响，指出引用这一近似在常温下偏差较小，在低温下则会出现较大的误差．在此基础上，对多晶硅发射区双极晶体管低温电流增益模型作了修正．结果表明，修正后的模型与ＰＩＳＣＥＳ模拟结果取得了较好的吻合．     

低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型

本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍,界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素,以及禁带变窄效应、低温下载流子冻析效应和浅能能补偿杂质隐阱效应,建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型,对电流增益和截止频率的温度关系进行了理论分析并与３００Ｋ和７７Ｋ下的实测结果进行了比较。     

低温、小电流、高增益硅双极晶体管的研究与设计

介绍了一种用于低温、小注入电流条件下工作的新型多晶硅发射区双极晶体管,并给出了晶体管电流增益的低温模型。该模型考虑了低温下多子和少子的冻析效应、禁带变窄效应、Auger复合、多晶硅发射效率增强效应等。在此基础上,通过用SUPREM-Ⅲ和PISCES-Ⅱ进行了工艺模拟和器件模拟,最后完成了实际版图制作和工艺流水。对管子的测试表明,该晶体管具有极好的小电流特性,在0.5μA的注入电流下其共射电流放大倍数可高达1000,在低温(77K)下其β仍可达70左右,能够正常工作。     

InGaAsP/InP双异质结激光器中的增益光谱,阈值电流的温度特性及俄歇复合

报道了1.3μm InGaAsP/InP双异质结半导体激光器增益光谱和阈值电流的温度特性.实验及分析结果表明,在转折温度T_b以上到室温(255K     

Noise in Microwave Transistors

Details of noise measurement techniques in the L- and S-bands are discussed. The complete noise parameters of microwave transistors are presented in the frequency range 0.6 to 4.2 GHz. Noise figure, available power gain, and noise measure are shown as a function of the source admittance and of the source reflection coefficient. The equivalent circuit and the noise figure of a microwave transistor are evaluated using an analog model.     

电流增益截止频率为40GHz的柔性衬底石墨烯FET

<正>石墨烯自问世以来,因其优异的性能已在电子领域取得了显著的成果,成为全球研究的热点。兼具高电子迁移率以及优良机械韧性的优点,石墨烯同柔性衬底的结合有望突破柔性电子高频化的技术瓶颈,推进柔性电子的应用进程。南京电子器件研究所在柔性衬底PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)上成功制备了高性能的石墨烯FET器件。该器件可在外力作用下发生较大幅度的形变[见图1(a)左上角]。在0.5 V漏压下,源漏间电阻为1800Ω·μm,电流密度为0.3 A/mm。小信号特性测结果显示,器件具有优良的频率性能。图1(b)为以OPEN-SHORT法除去PAD寄生电阻、电容后的频率性能,最大电流增益截止频率f_T和最大功率增益截止频率f_(max)分别达到41.4 GHz和17.7 GHz。     

微波晶体管的开发动向

本文评论了近几年来微波晶体管的研究动向:FET进一步向短栅化发展,沟道材料由GaAs向In GaAs转变,f_T已超过200GHz,最高f_0达94GHz,30GHz下已能输出1W,12GHz下的NF已降到0.58dB。     

改善微波功率管小电流特性的模拟分析

对于新型Ｎ＾＋ＩＰ发射结结构的微波功率管，采用一维数值模拟，分区计算了它的渡越时间，结果表明其截止频率的小电流特性可以获得明显的改善。     

Effect of Nano‐Porosity on High Gain Permeable Metal‐Base Transistors

As one type of vertical thin‐film transistors, permeable metal‐base transistors (PMBTs) with a permeable metal film embedded between two semiconductor layers have been proposed for high gain current amplifier. In principle, compared with conventional bipolar transistors, PMBTs should have a higher speed and are easier to fabricate compatible with flexible and printed electronics. However, functional PMBTs are not realized due to low current gains (<50) and lack of output current saturation. In this paper, making use of the nano‐textured surface of an organic semiconductor, we are able to fabricate devices with permeable metal base films having a pore size of about 20 nm and achieve current gains up to 476 with output current saturation. Correlations between the nano‐scale porosity and the charge transmission/amplification behaviors in the device are explained with characterization of the metal base porosity. From our device simulation results, the small pore size is essential to achieve current saturation in the device due to the potential‐pinning effect in the small pore regions. Finally, using a similar strategy, we also demonstrate a high gain (=260) solution‐processed metal oxide‐based PMBTs with output current saturation.     

低温硅双极晶体管电流增益研究

着重分析了多晶硅发射极对提高电流增益的作用和低温下集电区中性杂质碰撞电离引起的电流倍增效应，导出多晶硅发射极晶体管电流增益的表达式，很好地解释了实验结果。