量子色噪声对单模激光场的影响

单模激光的统计性质主要由引起激光场涨落的量子噪声和抽运噪声决定.人们通常假设抽运噪声为色噪声,而量子噪声为白噪声.白噪声只是一种理想模型,本文将两类噪声均模拟为更接近于实际情况的O-U色噪声,研究色噪声尤其是量子色噪声效应. 单模激光增益模型的光强朗之万方程为: (dI)/(dt)=-2kI+(2ΓI)/(1+βI)+D+(2I)/(1+βI)ξ(t)+2Iq(t) 式中,ξ(t)为抽运噪声,q(t)为量子噪声,是自关联时间分别为τ1和τ2的O-U色噪声.应用线性化近似方法,得到了光强的关联函数、功率谱以及含时矩的解析表达式,结果分析表明: 1) 抽运噪声和量子噪声的自关联时间τ1和τ2越大,光强的相对涨落λ(o)越小,表明色噪声使得线性化近似的适用范围扩大; 2) 光强关联函数λ(t)的初始斜率limt→0[dλ(t)/dt]=0,这一结果与白噪声情形显著不同,表明λ(t)出现初始平台现象的根源在于色噪声; 3) λ(t)随时间t的增加而衰减,随着τ2的增加,λ(t)的衰减被延缓,即量子色噪声将增加激光系统的统计涨落; 4) 光强功率谱为单峰,τ2对峰值频率和峰高均没有影响,但随着τ2的增加,S(ω)的峰形越来越尖锐; 5) 协方差K2(t)随时间t的增加而增大,说明K2(t)在较短的时间内达到饱和,随着τ2的增加,K2(t)减少,即K2(t)达到饱和的时间延长.(PA2)     

实虚部关联的量子噪声和抽运噪声对单模激光光强关联函数的影响

采用抽运噪声和实虚部之间关联的量子噪声驱动的单模激光损失模型，运用线性化近似方法计算了反映激光动力学性质的光强关联函数C(t)和光强相对涨落C(0)，讨沦了光强关联函数随时间t的演化，分析了量子噪声实虚部间关联系数λq，抽运噪声强度P和量子噪声强度Q对光强关联函数C(t)随时间t演化过程的影响。发现C(t)随时间t的演化是单调衰减过程，但噪声强度的减小和量子噪声实虚部间关联的减弱会使演化曲线整体下移，说明噪声强度和量子噪声实虚部间的关联对C(t)随时间t的演化过程有较大的影响。当时间t增加时，C(t)与量子噪声实虚部间关联系数λq的关系曲线出现了一个极值和三个极值两种不同的情况。最后分析了线性化近似方法适用的条件。     

周期力调制下色关联色噪声驱动光学双稳系统的光强相对涨落

用线性化近似方法,计算了具有色关联的色抽运噪声和色量子噪声驱动的光学双稳系统的光强相对涨落,讨论了噪声间的关联和输入信号对光强相对涨落的影响,发现光强相对涨落随抽运噪声强度和量子噪声强度的变化过程中存在极小值,且光强相对涨落与噪声间的关联程度密切相关,但输入信号对其影响不大.     

光电子技术

TNZ 2003020146在热压缩态下介观电容抿合电路中的t子涨落/赵林,梁麦林(天津大学)11上海交大学报一2 002。36(9)一1280一1283利用热场动力学(T FD)方法研究了有限温度下介观电路中的噪声或涨落压缩问题.分析了对信息交换起重要作用的电路藕合部分的情况.当电路处于热压缩态时,选取不同的参数,电荷和电流的涨落分别可以得到压缩.电容藕合对分回路以及藕合区域的电荷涨落压缩有增强效应.但是对于电流则没有这样的效果.参11(木)11北京理工大学学报一2 002,22(6)一727一730根据电阻产生的物理机制,即电子与声子的相互作用对两分回路中均有电…     

色关联噪声驱动的单模激光的强度涨落

采用线性化近似方法计算了关联噪声驱动的单模激光的强度涨落,发现激光强度涨落C(0)随衰减系数γ和泵噪声自关联时间τ1的变化曲线是单调减少的,随泵噪声强度Q的变化曲线中存在极小值,其大小和位置均受τ2和τ3的影响。     

多晶硅导电材料的1/f噪声模型研究

在多晶硅导电材料的1/f噪声迁移率涨落、载流子数涨落机制和模型的基础上,修正了基于迁移率涨落机制的噪声模型。通过分析材料中载流子输运的实际物理过程,论证了产生1/f噪声的两种机制同时存在于多晶硅材料中,提出建立多晶硅导电材料1/f噪声双机制不同掺杂浓度统一模型的思路。     

激光外差探测过程中的量子噪声分析

本论文用完全的量子力学分析,对外差探测过程和零拍探测过程的本质进行了分析。结果指出,外差探测过程中的量子噪声限是信号光和其象带的正交涨落噪声之和。当差频为零时,即零拍探测过程,其量子噪声限为信号光的正交涨落噪声。它改变了传统理论对外差探测过程中的量子噪声的看     

单模激光系统的光强相对涨落和功率谱

用线性化近似方法计算了单模激光损失模型在输入偏置调幅波信号后的稳态平均光强相对涨落C(0)和输出功率S(ω),得到稳态平均光强相对涨落C(0)与载波信号振幅B、高频载波信号频率ω以及量子噪声强度Q的变化规律,发现在低频调制信号频率增大、高频载波信号频率减小、量子噪声实虚部关联越强和远离阈值时,激光系统的统计涨落较小。通过对系统功率谱S(ω)与a0/A、低频调制信号频率Ω、高频载波信号频率ω以及量子噪声实虚部间的关联系数λq的研究,也发现了一些特殊的现象。     

半导体器件中l/f噪声的微观统计模型

半导体器件中1/f噪声的粒子数涨落和迁移率涨落模型具有很大的局限性。本文利用Boltzmann输运理论提出了一个描述其1/f噪声的微观统计模型,得到了与实验更为相符的关于1/f噪声谱密度的公式。     

MOSFET 1/f噪声的相关积分分析方法

文章将相关积分方法用于MOSFET 1/f噪声分析,发现器件的1/f噪声与RTS叠加模型产生的1/f噪声相关积分极其相似.通过对MOSFET噪声物理模型的分析和讨论,证明n-MOSFET的1/f噪声以载流子数涨落模型为主,p-MOSFET的1/f噪声以迁移率涨落模型为主结论的正确性.研究表明,相关积分方法可用于鉴别电子器件测量噪声所属的模型类型.     

浅谈节目录制过程中交流声的产生与预防

提出了交流声的概念以及交流声对节目录制带来的影响;分析了在日常节目录制过程中所遇到的一部分能够产生交流干扰的原因及其处理方法;总结出交流声预防的方法,从多角度做到有效预防交流声的出现和减少交流声出现的几率.     

一种新颖的模糊形态联想记忆网络

模糊形态联想记忆网络FMAM具有较强的抗膨胀或腐蚀噪声能力，且可以模糊性解释。但抗混合噪声的能力很弱。而在实际中，随机噪声往往是混合型的，既有膨胀又有腐蚀噪声。为此提出了一种基于尺度空间的模糊形态联想记忆网络，并分析了其抗膨胀／腐蚀噪声和抗随机噪声的能力，它提高了自联想FMAM的抗随机噪声能力。通过仿真实验验证了该方法具有良好的性能。     

Feedback active noise control based on transform-domain forward–backward LMS predictor

In this paper, a new feedback active noise control (FBANC) system based on the transform-domain forward–backward LMS (TFBLMS) predictor has been proposed. The new ANC system employs the TFBLMS predictor for its main-path (MP) predictor as well as for the noise canceller. To overcome the ill effect of the primary noise field, which acts as an observation noise for the secondary-path (SP) identification, the noise canceller is used. As the main-path predictor is based on the TFBLMS, its convergence rate improves due to its input orthogonalization. Further, its FBLMS nature reduces misadjustment. The use of TFBLMS predictor for noise canceller also gives a good prediction of primary noise at a faster rate, enabling improved SP identification. This improved SP identification indirectly aids the MP predictor to achieve an improved performance. A new filtered-x LMS structure has been proposed to realize the new MP predictor to accommodate the TFBLMS algorithm. The TFBLMS algorithm is applied directly to the noise canceller for SP identification. The proposed new ANC system has been found to have a significantly better noise reduction (by 14.6 dB) over the FBANC system based on tapped delay line time-domain FBLMS algorithm.     

不同相位噪声谱对QPSK的性能影响分析

研究了相位噪声对QPSK系统的性能影响,利用高斯信道下带有相位噪声的条件误码率公式,分析了不同相位噪声谱所带来的解调损失。相位调制是一种恒包络调制方式,它对调制信号的相位偏移非常敏感,在单频相位噪声模型基础上,把相位噪声功率谱密度与相干解调的误码率公式相联系起来,计算了高斯信道条件下不同相位噪声谱对不同速率QPSK信号的解调损失。     

Parametric Analysis to Reduce Phase Noise of Frequency Synthesizers for Wireless Communication System

The aim of this paper is analysis and presenting a technique to reduce phase noise of frequency synthesizer for pure signal synthesis. To reduce phase noise of synthesizer, first, we present a mathematical and accurate model of phase noise in phase locked loop based frequency synthesizer with take into account noise of its component. Then we predict output phase noise in term of its parameters. Finally, we describe as effective technique for phase noise in frequency synthesizer. The simulation results show the performance of the frequency synthesizer for the High Speed communication system.     

Intrinsic noise variation in an amplifier based on a heterojunction bipolar transistor amplifier in nonlinear mode

Intrinsic noise variation in a heterojunction bipolar transistor amplifier with intense interference at its input was analyzed using the Volterra series method. During the analysis, the nonlinearity of correlated sources of collector and base noise currents was considered. It was shown that the change in noise at the amplifier output caused by interference depends on both nonlinear properties of the transistor and its dc operation mode, as well as the ratio of the levels of all its intrinsic noise sources.     

噪声电路理论的实验研究

文献建立了较完善的噪声理论,其显著的优点是使电路或器件的嗓声性能分析及低噪声设计的精度和效率大为提高.本文给出了针对该噪声理论的实验研究,从实测角度证明了该理论的正确性及其相应优点.文中给出的噪声谱测量系统相对已有其它噪声测量仪器具有能对整个低频噪声谱测量,精确度优于4％及自动测量等优点.文中还提出了器件噪声参数测量及优化提取方法.最后,给出了理论与实测结果的对比实例.     

SiGe HBT噪声的研究进展

噪声对RF电路设计非常关键,故需要对SiGe HBT噪声特性进行深入研究。根据器件的高频噪声模型,指出了影响SiGe HBT高频噪声参数的主要因素,论述了优化设计的具体方法;举例说明尺寸缩小使得高频噪声性能已经达到了GaAs pHEMT的水平,fT达到了375 GHz。分析了SiGe HBT低频噪声的机理和模型及其与几何尺寸的关系,指出用fC/fT表达低频噪声性能更合适;举例说明小尺寸效应使得SiGe HBT的低频噪声偏离了1/f噪声形式。     

Low frequency noise in fully depleted SOI PMOSFET's

Low frequency noise of fully depleted PMOSFET's on SOI substrates with various channel dopings was measured as a function of substrate-to-source bias. It was found that the device noise is a strong function of the substrate-to-source bias and a window exists in which the device noise is at its minimum. The position of the minimum noise region depends on the channel doping, and its width depends on the buried oxide thickness. Knowledge of the bias conditions under which the transistor will operate are necessary for proper selection of the channel doping for low noise PMOSFET design     

基于频域编码技术的冲激噪声抑制方法

冲激噪声干扰是一种突发性的噪声干扰,在其持续时间内强度远大于高斯白噪声,对通信系统的影响非常大.本文提出一种新的基于频域编码技术的冲激噪声抑制方法,通过采用频率特性为伪随机码的滤波器对输入信号的频谱进行随机编码来降低冲激噪声的峰值功率,使冲激噪声转化为近似高斯白噪声.本文从冲激噪声的物理模型出发,分析了频域编码信号的统计特性,论证了频域编码技术抑制冲激噪声的原理.仿真结果表明频域编码技术能简单有效地抑制冲激噪声,抑制效果随着编码长度的增加变佳.