红外探测器向高灵敏度发展

当半导体探测器趋于成熟时,热探测器,尤其是微测辐射热计,其敏感红外辐射的灵敏度也正在不断提高。     

热红外探测器

热红外探测器有多种不同的类型,如测辐射热计型、热释电型以及热电偶型等。这些热红外探测器都有一个用于提高探测灵敏度的隔热结构,即所谓的膜片结构。在这种隔热结构中,膜片外缘与衬底之间是靠许多梁支撑的。     

关于红外探测器灵敏度理论限的分析

本文参考有关文献对红外探测器灵敏度理论限,进行了系统的叙述。推导出探测器背景光子噪声限D~#_(BLIP)的表达式,分析了探测器达到背景噪声限的条件及光伏器件R_oA_d的重要性。进一步说明背景光子噪声并不是探测器灵敏度的最后极限。在相干探测中,信号光子噪声将是限制灵敏度的主要因素。信号光子噪声限的灵敏度较背景光子噪声限的灵敏度要高出几个数量级。在长波长的情况下,热噪声将是探测器灵敏度的主要限制。     

红外探测器读出电路

焦平面列阵是由许多个探测器元件组成的。目前,焦平面线列或面阵中的像元的数量还在增加。信号多路传输器是一种高度复杂的探测器专用集成电路,它是以并行方式读出所有通道的信号的。最常用的探测器电路有直接注入级和电容反馈跨阻抗放大器两种。     

基于SOI Si片的二极管红外探测器

介绍了红外热成像技术的几种技术方案,重点介绍了以二极管作为红外探测器的非制冷红外热成像技术。通过理论分析和ISE-TCAD软件模拟、采用SOISi片流片和测试,分别得到了单晶Si二极管在固定偏置电流下的电压-温度响应特性,理论分析、模拟和实测结果三者吻合很好。在1μA的偏置电流下,单个二极管的温度灵敏度分别为1.40,1.35和1.52mV/K,三者的差别主要是由于理论分析和ISE-TCAD软件模拟中没有考虑欧姆接触电阻和引线电阻等串联电阻。     

双色红外探测器

本文综述了双色(多色)红外探测器的研究发展状况。介绍了器件的研制结构形式以及目前达到的性能水平。简述了双色红外探测器在军事、工农业等方面的应用。     

低温背景限红外探测器

根据简并理论分析了光导红外探测器的噪声机制和背景辐射对探测器的探测率Ｄ的影响,从而提出了全新低温背景限探测率红外探测器结构,其Ｄ值有较大地提高。     

红外焦平面探测器的输入电路性能分析

在混合式红外焦平面阵列中，探测器和读出电路之间的耦合是通过输入电路完成的。本文论述了输入电路在焦平面传输中的作用，分析了焦平面输入电路的性能，讨论了焦平面输入电路对红外焦平面阵列探测器设计的影响。     

热电红外探测器

本发明提供一种热电红外探测器,它由一个衬底和两种传导柱组成。传导柱从衬底开始向入射辐射方向延     

红外探测器

法国Ulis SAS公司向市场投放了一系列像元间距为25μm的硅红外探测器。UL 02 15 2型探测器是一个160×120元的列阵,其热时间常数相似文献   

红外探测器的进展

红外探测器的发展基础是物理学和技术科学的进展。目前的热点是ＨｇＣｄＴｅ和非致冷焦平面列阵。广阔的军事和民用市场需求驱动探测器技术进一步发展。