薄片DKDP晶体前后表面损伤识别技术研究

在全内反射边缘照明的基础上,利用DKDP晶体的双折射特性,解决了区分DKDP晶体自身前后表面损伤的问题。紫外光入射到11 mm厚的DKDP晶体会分解为o光和e光,并在出射面产生254.738 m（理论值）的偏离量。这个偏离量导致DKDP晶体后表面损伤在CCD上成双像（一个是o光成像,另一个是e光成像）,可以用偏振片对双像进行调制;DKDP晶体前表面损伤在CCD上只有单像,不受偏振调制影响。通过偏振调制,可以避免重复提取同一个损伤信息,提高损伤识别精度。实验证明:该方法可以区分厚度为11 mm的DKDP晶体前后表面损伤。     

锥形折射调制的研究

本文以电光效应和双轴晶体的锥形折射理论为基础,分析研究了锥形折射调制的特点:计算了加电场后一些晶体在常温下的圆锥孔径角以及KDP、DKDP晶体由相变温度附近的圆锥孔径角;对于观察这种锥形折射调制的实验条件进行了论证和分析,结果表明相变温度附近的KDP,DKDP晶体由于电光系数较常温时显著增加,从而引     

基于功率谱密度分析真空吸盘对加工KDP晶体表面的影响

由于KDP(KH2PO4)晶体硬度低的特性,在利用单点金刚石切削技术对其进行加工的过程中,所使用的真空吸盘夹具会在其加工表面产生周期性波纹。周期性波纹在强激光非线性效应的作用下,不但会严重影响输出光束的质量,甚至还会破坏光学元件。因此,利用功率谱密度检测KDP晶体的加工表面,分析误差源,并指导加工工艺的改进。最后得出结论:在利用单点金刚石切削技术加工KDP晶体时,应根据不同的加工方式选择不同形状的真空吸槽作为夹具,尽量避免在垂直切削方向上使用真空吸槽吸附晶体,以减小吸槽的吸附力对晶体加工表面的影响。     

调制激光用的DKDP电光晶体

随着最近光电子管的发展,电光效应的应用受到人们的重视,这次堀场制作所在日本首次研制成功了激光调制用的电光晶体(DKDP单晶)。这种DKDP单晶是把KDP晶体中的氢置换成它的同位素氘而成的,它能增强电光效应（最大重氢置换率是 99.7%)。     

异型籽晶DKDP晶体的激光损伤

籽晶是影响K(DxH1-x)2PO4(DKDP)晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素.该文采用传统降温法,分别利用Z片和[101]晶片作为籽晶,从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并加工部分Ⅱ类3倍频晶片样品,进行了3倍频光损伤阈值测试和损伤形貌观测的实验.结果表明,相较于Z片籽晶,[101]晶片作为籽晶所得晶体样品光损伤阈值提高1.54倍且能有效缩短晶体的生长周期.     

SPK1基因转染对大鼠骨髓间充质干细胞的影响

籽晶是影响K(DxH1-x)2PO4(DKDP)晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素.该文采用传统降温法,分别利用Z片和[101]晶片作为籽晶,从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并加工部分Ⅱ类3倍频晶片样品,进行了3倍频光损伤阈值测试和损伤形貌观测的实验.结果表明,相较于Z片籽晶,[101]晶片作为籽晶所得晶体样品光损伤阈值提高1.54倍且能有效缩短晶体的生长周期.     

用于KDP晶体保护的AF2400-SiO2疏水光学薄膜

在惯性约束聚变(ICF)装置中大量使用具有变频特性的水溶性磷酸二氢钾(KDP)类晶体材料。在KDP晶体上镀制薄膜材料成为保护KDP晶体的有效措施。以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用溶胶-凝胶法和提拉方式制备膜厚λ/4的增透膜,再采用具有高憎水特性、高透射率、低折射率的氟聚合物AF2400在FC-75的可溶解特性,在SiO2增透膜上旋涂AF2400防潮膜。对薄膜的表面形貌、疏水性能、光学性能和抗激光损伤阈值等进行了测试。结果显示,AF2400-SiO2复合光学薄膜表面平整,折射率为1.21,疏水角可以达到110°~120°,抗激光损伤阈值为19.5 J/cm2,是性能优良的疏水光学薄膜,可用于三倍频晶体KDP的保护。     

比较法测量晶体的电光系数

我们用一台旋光仪,以DKDP晶体纵向电光效应所引起的光程变化补偿其它晶体的电光效应所引起的光程变化,提供了一种简单、迅速和高灵敏度地测量晶体半波电压和电光系数的方法.采用此方法测量了典型的电光晶体ADP和KDP的横向与纵向半波电压和相应的电光系数γ_(63),以及LiNbO_3;晶体的横向半波电压与相应的电光系数γ_(22).实验结果与其他方法的测量值及文献报道的值基本一致.     

一种快速简便测定单轴晶体x(y)轴及半波电压的方法

KDP,DKDP等单轴晶体在激光技术中通常被作为激光器的Q开关使用,在实际应用中,晶体的x(y)轴及其半波电压的标定为激光器的调试带来很大方便,我们介绍一种快速简便测定单轴晶体x(y)轴及其半波电压的方法。     

大口径KDP晶体夹持方式对面形的影响

对大口径KDP晶体的夹持方式以及夹持对面形的影响进行了研究。利用ANSYS建立KDP晶体侧面和正面夹持的有限元模型。研究了侧面均布荷载、侧面均匀及非均匀两点荷载作用时KDP晶体面形,得出了总荷载大小是影响晶体面形的关键因素。讨论了理想状态和实际状态下KDP晶体正面夹持面形,得出了元件表面平面度是影响晶体夹持面形主要因素。通过分析和计算,找到了降低元件平面加工精度对晶体正面夹持面形影响的理论技术方案。     

多焦点激光分离厚透明材料

基于激光热裂纹控制法,提出了多焦点激光分离厚透明材料的方法。通过理论计算与ZEMAX软件模拟相结合的方式,设计了能形成三个焦点的光路系统,并利用该系统进行了夹层玻璃、磷酸二氢钾(KDP)晶体、超白玻璃等透明材料的切割分离实验。结果表明,利用该方法得到的表面平整光滑,无亚表面损伤,粗糙度小,有效解决了单个激光焦点热裂纹分离方法受材料厚度限制的问题,该方法具有很大的应用前景。     

Nd:YAG激光器辐照对LiNbO_3和KDP的损伤

研究表明,产生LiNbO_3和KDP的内部损伤的辐照级等于或低于表面损伤的辐照级。这是在用作倍频器、朴克尔盒以及具有不同方向样品的晶体中发现的。因此,对其采用的表面受损伤的样品,在再磨光和重新使用前要进行彻底的内部检查。LiNbO_3的内部丝纹损伤状况表明,它是由一组很细的近似于平面的裂纹组成的,其形状为一条或更多条直径约为0.4微米的长线的交叉。当用可见光照射时,绕射效应使这些线显示     

300 mm硅片表面延性磨削机理研究

根据脆性材料实现延性磨削时存在临界深度的理论,通过设定磨削参数,使之满足硅片的延性磨削条件.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对磨削硅片表面和截面进行分析研究.研究结果表明:硅片表面形成规律的磨削印痕,且磨削印痕微弱,在硅片表面留下的磨削沟槽保留延性磨削特征,硅片表面无微细裂纹和因脆性崩裂产生的凹坑;硅片截面明显地分为非晶层、次表面损伤层、单晶硅层,非晶层厚度约为50～100 nm,表面微细裂纹完全消失,次表面损伤层厚度约为50～150 nm,次表面损伤层存在微细裂纹.     

固结磨料研磨硫化锌的亚表面损伤预测分析

研磨抛光后产生的工件亚表面损伤是评价工艺优劣及确定加工余量的主要参考,因此对亚表面损伤准确的预测有助于提高加工效率。采用离散元法对典型的软脆材料硫化锌固结磨料研磨过程中产生的亚表面损伤进行模拟,预测不同粒径金刚石加工工件后的亚表面微裂纹层深度。利用角度抛光法将工件抛光出一个斜面,作为亚表面损伤观测平面,通过盐酸的腐蚀使亚表面微裂纹显现,在金相显微镜下寻找微裂纹消失的终点位置并转换成亚表面微裂纹层深度,对仿真结果进行实验验证。结果表明:粒径为5、15、25、30 μm的磨粒造成的亚表面微裂纹层深度预测值分别为2.28、3.62、5.93、7.82 μm,角度抛光法实测值分别为2.02、3.98、6.27、8.27 μm。以上结果表明磨粒粒径对硫化锌亚表面损伤情况有很大的影响,随着磨粒粒径的增大,亚表面微裂纹深度增加,微裂纹数量增多。离散元法预测值与实测值偏差范围处在5%~15%之间,利用离散元法能有较为准确的预测软脆材料硫化锌加工后的亚表面损伤情况,为其研抛工艺的制定提供参考。     

皮秒激光抛光KDP晶体的工艺研究

为了改变KDP晶体精密加工难和效率低的状态,采用皮秒超快激光抛光KDP晶体的新方法,系统地研究了激光波长、单脉冲能量密度、激光束入射角、光斑搭接率、扫描方式以及激光焦深等因素对激光抛光KDP晶体质量的影响规律,并对激光与KDP晶体的相互作用机理进行了分析。结果表明,在皮秒激光波长λ=355nm、聚焦镜焦距f=56mm、激光束入射角α=84°、激光重复频率F=800kHz、脉冲能量密度Q=2.4J/cm2、光斑搭接率O=60%、45°多方向交叉扫描以及加工次数T=10次的优化参量条件下,KDP晶体表面粗糙度均方根值可达到76nm。这一结果使激光抛光技术的研究得到了进一步补充。     

基底亚表面裂纹对减反射膜激光损伤阈值的影响

利用化学沥滤技术,分析了亚表面裂纹对基底表面和减反射膜激光损伤阈值(LIDT)的影响。通过去除或保留研磨裂纹,获得了亚表面裂纹数密度有明显区别的两类基底。为了凸出亚表面裂纹层的作用,基底采用化学沥滤去除另外一种可能的影响因素,即再沉积层中的抛光杂质。然后采用电子束蒸发镀制HfO2/SiO2减反射膜。355nm激光损伤阈值测试结果和损伤形貌分析证实了基底亚表面裂纹对减反射膜抗激光损伤能力的负面影响。根据熔石英基底抛光表面的烘烤现象,提出了亚表面缺陷影响膜层激光损伤的耦合模型。     

疏水性SiO_2基减反膜稳定性研究

在SiO2溶胶合成阶段进行化学改性,将六甲基二硅氮烷(HMDS)引入SiO2溶胶,制得稳定的胶体,胶体中SiO2纳米颗粒表面的亲水性Si-OH基团被疏水性的Si-O-Si(CH3)3基团取代。采用旋转法在磷酸二氢钾(KDP)晶体表面涂膜,涂膜晶体峰值透射率99%以上。膜层光学均匀性良好,表面粗糙度均方根值为0.94 nm。膜层疏水性能好,水接触角达到140°。涂制疏水性SiO2基减反膜的KDP晶体无需热处理就具有较好的疏水防潮性能,与目前激光器使用的防潮减反双层膜相比,在室温高湿度条件下涂膜晶体透射率下降情况大致相当。旋转涂膜可以有效解决三倍频晶体入光面与出光面共3个波段需减反的问题。     

晶体与微声材料

0118277EDTA 对 KDP 晶体光学性质影响[刊]/孙洵//光电子·激光.—2001,12(5).—488～490(E)本文探讨了不同掺杂浓度下,EDTA 对 KDP 晶体光学性质的影响。结果表明,高浓度 EDTA 对 KDP 晶体光散射有明显的影响,但对光学均匀性和光损伤阈值无明显影响。参50118278纳米 SiC 多晶膜的受激喇曼散射研究[刊]/张洪涛//半导体光电.—2001,22(3).—220～223(E)     

包裹体对KDP晶体光损伤阈值的影响

探讨了包裹体与KDP晶体光损伤阈值的关系。利用透射电子显微技术观察了不同条件下生长的KDP晶体中包裹物,并对晶体中的包裹体在热退火前后进行了比较。发现导致KDP晶体光损伤阈值降低的主要因素是较大尺寸的包裹体。     

电火花精微加工表面耐磨损和耐弯曲疲劳以及润滑状态的实验研究

前言随着电火花加工方法的广泛应用,电火花加工表面质量问题便显得日益重要。电火花加工表面与机械加工表面存在本质上的不同,它是在瞬时高温作用下,材料被汽化、熔化后抛出,表面由一个个小圆坑组成。被加工材料的表面层发生了很大的变化,粗略地可把它分为熔化层(白层)和热影响层。由于电火花加工表面受到瞬