金属线材单晶化方法与设备

单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向。1994年已在单晶金属线材的制备技术方面在国内率先展开研究。早期阶段开发出单晶连铸技术，理论上解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题，近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金     

金属线材单晶化方法与设备

单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向。1994年已在单晶金属线材的制备技术方面在国内率先展开研究。早期阶段开发出单晶连铸技术，理论上解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题，近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、国防“十五”项目等多项基金项目资助。     

金属线材单晶化方法与设备

单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向。1994年已在单晶金属线材的制备技术方面在国内率先展开研究。早期阶段开发出单晶连铸技术,理论上解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题,近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、国防“十五”项目等多项基金项目资助。     

金属线材单晶化方法与设备

单晶线材是新一代的高保真、高清晰度的传输线材，也是高质量的网络传输用线，单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向，近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、国防“十五”项目等多项基金项目资助，解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题，目前已经自行设计出年产量200吨的金属线材单晶化设备，解决了单晶连铸技术对所制备线材长度和直径的限制，已成功制备出直径为1mm、2mm、3mm、8mm的单晶铜、铝线材。通过工艺优化可以制备出直径小于1mm的单晶金属线材。     

金属线材单晶化方法与设备

单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向。1994年已在单晶金属线材的制备技术方面在国内率先展开研究。早期阶段开发出单晶连铸技术,理论上解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题,近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、国防"十五"项目等多项基金项目资助。     

NiAl金属间化合物的制备技术

综述了NiAl金属间化合物的制备技术，包括熔模铸造、单晶制备、定向凝固、热压和热等静压、热挤压、扩散结合、机械合金化和燃烧合成等，并分析了这些制备技术的研究现状、优缺点、存在的问题及可能的解决方法。     

简讯

金属线材单晶化方法与设备单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向。1994年已在单晶金属线材的制备技术方面在国内率先展开研究。早期阶段开发出单晶连铸技术,理论上解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题,近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、国防“十     

小直径金属线材单晶化技术原理及工艺

在系统研究单晶连铸的基础上，提出小直径线材单晶化技术，该技术结合区域熔化技术和连续铸造技术，实现了“三个连续”，即送料连续、加热熔化连续、引锭连续．他能克服单晶连铸对所制备的单晶线材长度和直径的限制．理论和工艺实验结果表明，小直径线材单晶化技术满足制备单晶线材对固液界面的要求，可将直径较粗的多晶金属线材直接拉制成长度不受限制、直径较细的单晶金属线材，功率和连铸速度适当配合时，可在较大范围内获得表面光滑的单晶铜线材。     

单晶连铸小直径铜线材的静拉伸力学性能研究

采用单晶连铸技术生产的单晶铜线材不仅具有优美的外观和内部质量，也具有非常优异的塑性加工性能．单晶铜线材在实际应用时，一般需要进行数次冷拔变形，因此，研究其力学性能，对单晶线材获得广泛应用具有实际意义．采用自制的单晶连铸设备，制备出直径为2．6mm的单晶铜线材和多晶铜线材．对两种线材的力学性能进行测试分析，并与普通铜线材进行对比．结果表明：采用单晶连铸技术生产的铜线材的抗拉强度和屈服强度均比普通铜线材低的多，而延伸率却有大幅度提升．同种技术生产的单晶和多晶两种线材相比，单晶铜线材的塑性更为优异．对拉伸断口进行扫描发现：单晶连铸多晶铜线材和普通铜线材的断裂为典型的微孔聚集型断裂，而单晶铜线材的断裂属于滑移延伸断裂．     

聚光型太阳能系统用 锗衬底片产业化技术

技术开发单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 技术简介该研究所采用垂直梯度凝固（VGF）锗单晶生长技术制备超薄锗片,突破了4英寸超薄锗单晶片的切割、研磨、抛光、清洗、测试和封装等关键技术,     

金属间化合物NiAl的合金化与凝固技术

详细介绍和评述了金属间化合物NiAl的合金化与凝固技术的研究现状，并重点介绍了合金化对NiAl合金的塑性、韧性和强度的影响，以及定向凝固，普通铸造和单晶制备技术对NiAl合金强韧化的影响。其中，定向凝固技术制备的NiAl基与难熔金属相组成的共晶合金具有良好的综合力学性能，既具有较高的高温强度，又具有较好的室温韧性。     

简式乔赫劳斯基单晶炉

绪言由于晶体三极管的发明,对于高质量的半导体材料的要求越显得需要。但多晶的半导体材料不能满足这种要求,而必须制备结构完正,纯度甚高,并具有可控制电阻率的单晶材料。此外在固体物理的研究中;在冶金学关于金属性质的探讨中以及原子能的研究中;都需要超纯的,完正的单晶材料。因此单晶材料制备的研究和技术,不但在半导体材料工艺学中非常重要;而且在其他的科学和工程技术中也越来越感到需要。制备单晶的方法很多,但对半导体材料来说最常用的是乔赫劳新基(Czochralski)的拉制单晶法。虽然近年来区域致均法已广泛地用于半导体锗和其他Ⅲ—Ⅴ族化合物等材料的制备,但对硅来说这种能使固液界面不与坩埚器壁相接触的拉制法,不     

氮化铝体单晶生长技术研究进展(英文)

评述氮化铝体单晶生长技术中常用的金属铝直接氮化法、溶解生长法、氢化物气相外延法和物理气相传输法.指出氢化物气相外延法和物理气相传输法是前景看好的生长氮化铝体单晶方法.介绍本课题组对物理气相传输法的一些改进.认为生长大尺寸氮化铝单晶体的研究将集中在精确控制生长条件、选择合适的坩埚材料、优化制备工艺和制备优质氮化铝籽晶等方面.     

PZN-9PT单晶生长及电学性能研究

弛豫铁电单晶是目前电子材料研究的热点,而制备技术是解决该材料应用的关键.为了考察PZN-9PT晶体的生长形态、结构和性能,本文采用高温溶液法生长了PZN-9PT单晶,采用XRD表征了其相结构,采用相关电学性能测试方法表征了其介电、压电、电滞回线和机电耦合系数等电学性能.研究结果表明,采用高温溶液法可以制备出纯钙钛矿结构的PZN-9PT单晶,晶体呈淡黄色多面体形态,其三方-四方相转变温度为89℃,居里温度为175℃,[110]切型PZN-9PT单晶的压电常数为339 pC/N,矫顽场为8.7 kV/cm.     

铁电薄膜及其制备技术

具有铁电性且厚度尺寸为数十内米到数微米的铁电薄膜具有良好的压电性、热释电性、电光及非线性光学特性，在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有着广泛的应用前景，是目前国际上新型功能材料研究的热点之一。通过综述铁电薄膜及制备技术研究的新进展，给大空介绍铁电薄膜材料的基本特征、性能及应用、并重点分析铁电薄膜主要制备技术的优缺点，指出了目前铁电薄膜及其制备技术研究需要重点解决的一些问题。     

工艺参数对形成（Pb,La）TiO3溶胶和凝胶的影响

系统地研究了溶胶－凝胶技术制备Ｐｂ（１－ｘ）ＬａｘＴｉ（１－ｘ／４）Ｏ３的铁电陶瓷膜时催化剂、溶液浓度在室温下对形成溶胶和凝胶的影响规律；用约外光谱研究了成胶机理；用该技术成功地在（１００）Ｓｉ单晶衬底上制备出了均匀、无裂纹且具有钙铁矿结构的ＰＬＴ晶态薄膜。     

弛豫铁电单晶生长技术进展与现状

弛豫铁电单晶有着高压电常数,高介电常数,高应变,高储能密度等一系列极其优异的性能,广泛应用于医学成像、通信和超声器件等众多方面.弛豫铁电单晶生长技术的研究一直是该领域经久不衰的热点问题,本文结合课题组在弛豫铁电单晶生长技术方面的研究工作和实践经验,综述了近年来弛豫铁电单晶的生长工艺、存在的问题以及未来的发展方向等.     

超细硬质合金研究进展综述

国内外硬质合金界在超细WC-Co硬质合金原料、晶粒长大抑制剂、制备工艺和过程机理等方面的研究已取得突破性进展.本文从超细WC-Co复合粉末的制备技术、超细硬质合金的烧结技术、超细硬质合金成型技术以及硬质合金添加剂等方面,综合评述了近年来国内外超细WC-Co硬质合金的研究成果.     

微波法制备单晶金刚石的研究进展

人工合成金刚石的方法主要有高温高压法和化学气相沉积法两种.高温高压法制备的金刚石尺寸小,无法避免金属杂质使得制备的金刚石应用受到限制.在所有的化学气相沉积中,微波等离子体化学气相沉积法具有无放电污染,能量转换效率高,工艺参数易于调节等优点.用微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸、高速率、高质量的单晶金刚石受到广泛重视.介绍了微波等离子体化学气相沉积单晶金刚石的制备工艺,对提高金刚石生长速率,扩大金刚石单晶尺寸两个方面的研究进展进行了综述,并对单晶金刚石的前景进行了展望.     

氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展

氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原理,分析了HVPE制备自支撑(Free-Standing)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展,指出今后研究方向.