HPGe低本底反康普顿γ谱仪

本文报道了以ＨＰＧｅ为主探测器的低本底反康普顿γ谱仪，该谱仪以环形和圆柱形ＮａＩ（ＴＩ）组成阱型反符合屏蔽探测器，以钢，铅及不锈钢等材料组成复合结构屏蔽室。对＾４０Ｃｏ１３３２．５ｋｅＶγ射线，ＨＰＧｅ主探测器能量分辨率为１．８６ｋｅＶ，相对效率为３８％，在阱型反符合屏蔽条件下，谱仪对＾１３７Ｃｓ点状薄膜源测得康普顿抑制系数为４．４；峰康比为８７０：１；５０￣２０００ｋｅＶ能区内每ｍｉｎ积分本底为     

一台自行组建的低本底Ge（Li）－NaI（T1）反符合γ谱仪

本文报道自行组建的一台Ｇｅ（Ｌｉ）－ＮａＩ（Ｔｌ）反符合γ谱仪的结构和性能。主探测器是φ６１．５ｍｍ×５６．０ｍｍ的同轴Ｇｅ（Ｌｉ）探测器（灵敏体积为１５０ｃｍ￣３），由φ８８．９ｍｍ×７６．２ｍｍ的圆柱形ＮａＩ（Ｔｌ）晶体和外、内径×高为２５４ｍｍ、８８．９ｍｍ×３０５ｍｍ的环形ＮａＩ（Ｔｌ）晶体构成井型反符合探测器，主要的物质屏蔽层是１００ｍｍ铅＋１５ｍｍ钢＋５ｍｍ铜。Ｇｅ（Ｌｉ）探测器对￣（６０）Ｃｏ１３３３ｋｅＶ能量的分辨率为２．４ｋｅＶ，峰康比为４４，相对探测效率为２４％。在反符合屏蔽条件下，谱仪在康普顿坪（３５８—３８２ｋｅＶ）和康普顿端（４６０—４８４ｋｅＶ）的抑制因子分别为５．Ｏ和５．４；康普顿区积分（５０—５９５ｋｅＶ）抑制因子３．６，峰康比（￣（１３７）Ｃｓ点源）为４９４。在１００—２０００ｋｅＶ能区屏蔽室内、外的积分本底比为１：１３１。加反符合和不加反符合条件下的积分本底抑制因子为３．５，加反符合后的积分本底为１７．２ｃｐｍ。当测量时间１０００ｍｉｎ、置信度９５％时，￣（１３７）Ｃｓ的最低可探测活度（判断限）为５．８ｍＢｑ．２４小时内，￣（２４１）Ａｍ、￣（１３７）Ｃｓ和￣（６０）Ｃｏ     

一套低本底反康普顿高纯锗γ谱仪研制过程中若干技术问题的解决方法

本文重点介绍了一套反康普顿低本底高纯锗（ＨＰＧｅ）γ谱仪研制过程中，针对遇到的一些技术问题所采取的解决方法和措施。主要包括屏蔽室的加工改造、主探头升降装置的设计、工作稳定性的改进、反符合系统的调试及谱仪刻度和样品测量等。谱仪主要技术指标为：能量分辨率ＦＷＨＭ＝１．７７ｋｅＶ（１３３２．５ｋｅＶ），峰康比６９４：１（６６２ｋｅＶ），康普顿积分抑制系数３．８（￣（１３７）Ｃｓ５０～５９５ｋｅＶ），相对探测效率３８．３％（１３３２．５ｋｅＶ），系统本底０．３９ｓ￣（－１）（５０～２０１４ｋｅＶ），连续４８ｈ运行，零点稳定，１３３２．５ｋｅＶ增益漂移小于０．０７％。     

一套低本底反康普顿高纯锗γ谱仪研制过程中若干技术问题…

本文重点介绍了一套反康普顿低本底高纯锗（ＨＰＧｅ）γ谱仪研制过程中，针对遇到的一些技术问题所采取的解决方法和措施。主要包括屏蔽室的加工改造、主探头升降装置的设计、工作稳定性的改进、反符合系统的调试及谱仪刻度和样品测量等。谱仪主要技术指标为：能量分辨率ＦＷＨＭ＝１．７７ｋｅＶ（１３３２．５ｋｅＶ），峰康比６９４：１（６６２ｋｅＶ），康普顿积分抑制系数３．８（＾１３７Ｃｓ５０￣５９５ｋｅＶ），相对探测     

地下铁室铅室组合屏蔽低本底HPGeγ谱测量系统及其应用研究

本文介绍一地下室铁室组合屏蔽低本底ＨＰＧｅγ谱测量系统。该系统由地下铁室和在其内的铅室组成物质屏蔽；在１００－２０００ｋｅＶ能区，相对效率为３８．４％的ＨＰＧｅ探测器积分本底计数率为０．７／ｓ，本底效率比为１．８２／ｓ；谱数据收集时间为１０００ｍｉｎ时对＾１３７Ｃｓ点源的探测下限为３．４ｍＢｑ，作为举例，还介绍了用该系统分析测量反应堆退役清洗去污后的不锈钢管道样品中＾１３７Ｃｓ和＾８０Ｃｏ含量及分     

采用联反符合计数系统的康普顿抑制γ谱仪

本文介绍的用于低本底γ测量的小型康普顿抑制谱仪采用并联取样反符合计数系统，同时具有简单有效的物质屏蔽和数据自动采集和分析功能，在阱型反符合屏蔽条件下，谱仪对置于ＮａＩ（Ｔｌ）主探测器上方３．５ｃｍ处的＾１３７Ｃｓ薄膜源的探测灵敏度为７４．３７Ｐａ；在５０－２０００ＫｅＶ能区的积分本底为１５ｍｉｎ＾－１，与无反符合屏蔽时相比降低了６１．５％。     

锗γ谱仪^110mAg符合相加修正因子测量

通过在ＨＰＧｅ探测器表面及距探头２８ｃｍ处分别测量形状相同的＾１１０ｍＡｇ（６５７．８ｋｅＶ）和＾１３７Ｃｓ（６６１．６ｋｅＶ）体源的全能峰妆计数率,可在避开源活度,发射几度和自吸收修正等条件下,测得在探测器表面测量＾１１０ｍＡｇ６５７．８ｋｅＶγ射线的符合相加修正因子Ｆ０;本文介绍了此测量方法的原理和测量结果。     

X,γ系列标准源的研制

本文主要介绍用于Ｘ、γ谱仪能量及效率刻度的一套系列标准源的研制方法和检验结果。它是发射射线能量范围为５．９－１８３６．１ｋｅＶ的￣（５５）Ｆｅ、￣（１０９）Ｃｄ、￣（２４１）Ａｍ、￣（５７）Ｃｏ、￣（１３３）Ｂａ、￣（１３７）Ｃｓ、￣（５４）Ｍｎ、￣（６０）Ｃｏ、￣（２２）Ｎａ和￣（８８）Ｙ１０种核素标准源。采用的高纯放射性核素标准溶液，杂质的相对强度小于０．１％；由４π（ＬＳ）和４π（ＰＣ）β－γ符合方法确定的放射性浓度均在总不确定度范围（＜２．０％，置信水平为９９．７％）内相符。放射性核素密封于质量厚度为１５ｍｇ／ｃｍ￣２（除￣（５５）Ｆｅ源用７ｍｇ／ｃｍ￣２）的圆形聚脂膜中，活性区直径≤３ｍｍ。对６个￣（５７）Ｃｏ源活度用ＮｐＧｅ谱仪测定检验，偏差在０．５１％－１．０２％之间。经擦试检验表明，未见表面污染和泄漏。     

高纯锗探测器的快定时性能及其应用

为了将高纯锗（ＨＰＧｅ）探测器用于快定时的物理实验中，本实验研究厂影响高纯锗探测器定时谱仪时间性能的各种因素，找出了获得谱仪最小时间分辨的各种最佳参数。并建立了分辨时间为４．１９ｎｓ，能量分辨率为２０ｋｅＶ，微分非线性好于±２．０％，计效率可承受１２０×１０￣３ｓ￣（－１）的时间微分扰动角关联谱仪。利用此谱仪，以￣（２０４）Ｂｉ为探针核，研究了Ｂｉ系高温超导的微观机理，取得了较好的结果。     

用4πβ（PC）－γ（HPGe）符合装置测定~（192）Ir绝对活度及β~—、

建立了一套４πβ（ＰＣ）－γ（ＨＰＧｅ）符合装置。用参数和效率外推两种方法测定了￣（１９２）Ｉｒ绝对活度，最终不确定度分别为０．４％和０．５％（９９．７％置信水平）．提出了一种用４πβ（Ｐｃ）－γ（ＨＰＧｅ）符合装置、效率外推法测定兼有β、ＥＣ两种衰变方式核素的分支比和绝对活度的方法。测得￣（１９２）Ｉｒβ￣－衰变份额为０．９５７２。完全不用核参数测得之绝对活度和β￣－衰变分支比的误差分别为１；５％和１．８％（９９．７％置信水平）。