钨纳米线的制备与应用

综述了钨纳米线的最新研究进展,详细地介绍了数种钨纳米线的制备技术和这种新型纳米材料潜在的巨大应用价值,提出了目前报道的制备方法中存在的几个问题,并展望了未来的发展趋势。     

Cu纳米线的研究进展

Cu纳米线作为金属纳米线中的典型代表,一方面在未来的微-纳电子器件中具有极其重要的应用价值,另一方面可为实验研究某些新奇的物理现象,比如可为电导量子化和尺寸效应等提供理想的模型系统。该文系统地阐述Cu纳米线的合成方法(包括模板辅助法,直接气相沉积法,外场诱导法等)和性能(电学、光学、力学等)方面的研究进展,并指出Cu纳米线在实际应用中将遇到的问题和可能的解决方案。     

硅纳米线制备方法研究进展

硅纳米线是重要的半导体一维纳米材料,伴随着硅作为下一代锂离子电池理想负极以及作为半导体材料在光电化学领域的研究热潮,实现硅纳米线高效、低成本、可控制备成为研究的重点。本文介绍了现阶段硅纳米线制备的主流技术及相关研究进展。     

钨和碳化钨纳米线的研究进展

新型纳米材料———钨和碳化钨纳米线,以其特殊的一维纳米结构、优异的物理和化学性能而具有重要的学术研究价值和实用意义。该文首先综述了钨和碳化钨纳米线的最新研究进展,介绍了其几种典型的制备方法,即化学气相沉积法、物理气相沉积法、诱导气相沉积法、化学蚀刻法、自催化法、介孔层状结构卷曲法,进而分析了其生长机理,探讨了其存在的问题,并展望了未来的研究趋势。指出:现有各种制备钨和碳化钨纳米线的方法仅限于基础研究和小批量生产应用,而寻找某种简便、经济、能规模生产的新型制备方法,包括现已初获成功的锥形钨及碳化钨纳米线制备法,仍将是今后很长一段时间内的研究重点。     

微细镍粉的制备技术及研究进展

微细镍粉具有极大的表面效应和体积效应,在磁性、内压、热阻、光吸收、化学活性等方面显示出许多特殊性质.作为一种新型材料,在催化剂,电源电极材料,多层陶瓷电容器,导电性纤维,硬质合金材料,吸收材料等方面具有广阔应用前景,已成为国内外新型功能材料开发的热点之一.本文介绍了微细镍粉的物理、化学性能、应用领域及发展前景,并介绍了微细镍粉的制备技术及其研究进展.     

径迹刻蚀模板法制备铜纳米线

用径迹刻蚀的聚碳酸酯为模板,采用电化学沉积法制备了铜纳米线,通过选用不同孔径的模板,得到了铜纳米线阵列,其直径和长度分别取决于聚碳酸酯模板孔洞的直径和厚度.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)等手段对铜纳米线的形貌、晶体结构特征和成分进行了表征.铜纳米线为多晶结构,大部分成分为铜,少部分为氧化铜.添加(NH4)2SO420 gL-1和二乙基三胺(DETA)80 mLL-1能减小铜晶粒尺寸.     

流化床电化学反应器回收铜电解液中的银

采用流化床电化学反应器，分别对实验配制的Ａｇ＾＋溶液和铜生产厂取样液进行了银回收实验，表明该工艺技术可行，经济合理，有工业化应用前景。     

α型二氧化锰的制备及电化学性能研究

选用过硫酸钾(K_2S_2O_8)和一水合硫酸锰(MnSO_4·H_2O)为原材料,通过液相共沉淀法制得MnO_2,用X射线衍射和扫描电镜对制得的MnO_2进行结构形貌表征。结果表明,在控制溶液p H值为l,反应温度为60℃,反应时间为22 h的条件下,制得的四方晶系α-MnO_2微球的表面具有明显的纳米刺结构特征。将所制得的四方晶系α-MnO_2用于超级电容器的电极材料,以6 mol/L的KOH作为电解质溶液,研究其恒电流充放电、循环伏安及交流阻抗等电化学性能,当扫描速度为5 m V/s时,其比容量为156.0 F/g。     

羟基氧化镍的制备及电化学性能研究

采用液相化学氧化法研究了β相羟基氧化镍的制备条件,并对产物形貌和电化学性能进行了分析。通过正交试验和单因素试验,得出反应的最佳制备条件。以XRD和SEM测试手段,对样品的晶体结构和形貌进行了研究。XRD分析表明,合成的样品为六方晶系的β-Ni OOH。SEM分析表明,制取的β-Ni OOH晶体形状为球形。通过恒流放电和循环伏安测试表明,样品具有良好的初始放电性能和电化学可逆性,适合于作镍锌电池的正极材料。     

磁控溅射TiNiLaZr合金膜的制备与电化学性能研究

前言Ti合金具有较好的储氢能力和抗腐蚀性，已得到许多储氢工作者的关注［’－‘］，并被认为是未来最具竞争潜力的储氢合金系列。在Ti中加入微量La，可明显改善其活化性能”‘。虽然已有研究者利用离子溅射制备出TINi合金膜［‘］，但将加入微量La、Zr的TINi合金制成非晶膜还较少有报道。本文在制备TINILaZr非晶膜及测定合金的电化学性能方面做了一些探索性工作。1合金膜的制备1．l合全膜的制备方法利用430H磁控溅射仪制备合金膜。将纯度为99．9％的Ni块、98％的La块及99．9％的Zr块按一定比例拼在纯度为99．9％的Ti靶上，制成复…     

键合银合金丝的制备

介绍了银质量分数为94%~96%的银合金丝的制备过程,采用扫描电镜和体式显微镜观察了其表面形貌以及键合后的表面形貌,探讨了退火温度对力学性能的影响及弧长对电学性能的影响,确定了该键合银合金丝的力学性能标准,并与国外进口产品进行了对比。其结果表明,该键合银合金丝的力学性能、电学性能和键合性能良好。     

抗变色银合金及其制备方法

根据目前国内外银制品 市场及其银制品存在的主要问题，研究了抗变色银合金的成分质量百分比及其制备方法，抗变色银合金制品优异的抗变色性质。     

钛酸钡粉体的制备及研究进展

纳米钛酸钡具有高介电常数和低介电损耗,具有优良的铁电、压电和绝缘性能,广泛地应用于制造陶瓷敏感元件、多层陶瓷电容器、记忆材料等。纳米BaTiO3粉体的制备及其形貌控制一直是纳米材料制备领域的研究热点之一,最近几年其制备技术得到了很大发展。综述了钛酸钡粉体的合成方法,并提出了其发展方向。     

锗纳米线的制备与生长机理

介绍了锗纳米线在制备技术、生长机理方面的研究现状与最新进展，主要对溶剂热合成法、化学气相沉积（CVD）法、模板法和激光烧蚀法等制备方法和金属催化气-液-固（VLS）生长机理、氧化物辅助生长机理等作了较为详尽的论述。     

颗粒状载银珊瑚礁石的制备和它的灭菌性能研究

介绍了载银珊瑚礁粒的制备工艺。经过粉碎、氢氧化钠溶液洗涤、干热灭菌、减压浸渍载银和抗坏血酸还原处理后得到颗粒状载银礁粒。该材料 (w(Ag) =3 .3 mg/ g)能有效抑制大肠杆菌生长 ,与浓度 1 .8× 1 0 5个 / m L菌液接触 2 4h灭菌率可达 1 0 0 %。     

电极材料钛酸锂的制备研究进展

介绍了钛酸锂的几种制备方法的研究进展,包括溶胶-凝胶法、高温固相法、熔盐法、水热法、静电纺丝法等,并对各方法的优缺点进行了综合评述。     

AgNO3与PVP的摩尔比对银纳米线的合成的影响

采用一步多元醇还原的方法合成银纳米线,研究了AgNO3与PVP的摩尔量的比值对银纳米线的形貌的影响.通过SEM对合成的银纳米线的形貌进行分析,得到了PVP与AgNO3在任意的摩尔比条件下都可以合成银纳米线但是合成的银纳米线形貌差异较大的结论.PVP与AgNO3的摩尔比过高或过低都不利于合成均匀性好且长径比较好的银纳米线...     

CuO纳米线的简单热氧化制备及其气敏特性

传统金属氧化物气敏材料因其灵敏度低、选择性差、工作温度高等缺点已很难满足高性能气敏元件的要求,而纳米气敏材料具有高的比表面积,可显著改善材料的气敏特性.文中采用简单的电热板在330~430 ℃、空气气氛下、一步法成功制备出了具有良好单斜晶体结构的CuO纳米线,平均直径为20~30 nm,长度可达1~5 μm;CuO纳米线气敏元件在100×10-6乙醇气氛中的最佳工作温度约为260 ℃,其灵敏度分别为1.36和1.64,恢复和响应时间均小于5 s.      

碳/氧化锌纳米线阵列/泡沫石墨烯电化学检测叶酸

通过化学气相沉积法制备三维(3D)泡沫石墨烯(GF),然后利用水热合成法在泡沫石墨烯表面生长氧化锌纳米线阵列(ZnO NWAs),再利用化学气相沉积法在其表面沉积碳(C),得到碳/氧化锌纳米线阵列/泡沫石墨烯(C/ZnO NWAs/GF)复合材料.用该复合材料做电极,采用电化学方法检测叶酸(FA).结果表明,三维泡沫石墨烯具有和模板泡沫镍一样的三维孔状结构,ZnO NWAs均匀且垂直地生长在泡沫石墨烯表面,碳沉积在ZnO NWAs表面.在线性范围为0~60 μmol·L^-1内,C/ZnO NWAs/GF电极检测FA时,灵敏度为0.13 μA·μmol^-1·L,且在尿酸(UA)干扰下检测FA具有良好的选择性.C/ZnONWAs/GF电极有良好的稳定性和重复性.