宏观光场中“Cauchy—Schwarz不等式”的实验验证

Cauchy-Schwarz不等式(以下简称 C—S不等式)是反映光场之间量子相关性的一个重要特性,违反C—S不等式是光场的一种非经典性质。C—S不等式可以表示为: |g_(12)~((2))(τ)|~2≤g_1~((2))(0)g_2~((2))(0)(1)     

喇曼散射的量子碰撞理论方法

本文将粒子物理学中的量子碰撞理论引入喇曼散射,并建立起喇曼散射的形式理论表达式: T=T~0+tQ1/(Z一H_0-QtQ)Qt 其中,t=HP1/(Z一PHP)PH是碰撞算子,代表光和物质的相互作用,Q1/(Z一H_0一QtQ)是物质系统的格林函数,代表中间态的传播子,喇曼算子T描述喇曼散射过程。文中证明了形式理论与量子电     

高量子效率中波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格探测器分子束外延生长及特性（英文）

基于分子束外延(MBE)生长技术获得了高量子效率的InAs/GaSb T2SLs中波红外(MWIR)光电探测器结构材料,表现出了层状结构生长的光滑表面和出色的晶体结构均匀性。此超晶格中波红外探测器的50%截止波长约为5.5μm,峰值响应率为2.6 A/W,77 K下量子效率超过了80%,与碲镉汞的量子效率相当。在77K,-50 m V偏压下的暗电流密度为1.8×10~(-6)A/cm~2,最大电阻面积乘积(RA)(-50 m V偏压)为3.8×10~5Ω·cm~2,峰值探测率达到了6.1×10~(12)cm Hz~(1/2)/W。     

量子盘量子比特中电子的概率密度分布的电磁场依赖性

基于Lee-Low-Pines幺正变换,采用Pekar型变分法研究了计及厚度下量子点中强耦合极化子的基态和第一激发态能量本征值和本征函数,在此基础上,以极化子的二能级结构为载体构造了量子点量子比特。数值结果表明:量子比特的概率密度Ψ(ρ,z,t)2分别随磁场的回旋频率ωc、电声子耦合强度α以及量子盘厚度L的增加而减小;概率密度Ψ(ρ,z,t)2随量子盘有效半径R0的增加而增大并呈现近似"Γ型"曲线;概率密度Ψ(ρ,z,t)2随电子横向坐标ρ的变化呈现"正态分布",其形状受到量子盘有效半径R0或厚度L的影响显著;Ψ(ρ,z,t)2随纵向坐标z、时间t和角坐标φ作周期性振荡变化。     

原子终态与激光多脉冲衰减系数匹配条件的讨论

文献从理论上推导了衰减多脉冲激发的双光子跃迁几率的表达式。其中原子能级2上的激发几率振幅的运动方程为: 式中Δω=ω_(21)-ω_L,r_(2L)=r_2-r_L 我们认为积分式时,时间t应从(n-1)(T τ)取到(n-1)(T τ) t′,(0≤t′≤τ)。这是由于C_2(t)也是受激于衰减多脉冲ε(t)的。而文献中却取为从0～t,这不太合适。 对t=0,取近似C_1(0)=1,C_2(0)=0。(1)式的积分结果为:     

半导体技术

TN301 97010351多t子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影响/李存志,刘云腆,罗恩泽,梁昌洪洒安电子科技大学)11电子科技一19%,(4)一41~45 文中通过求解薛定谬方程得到由N个矩形势垒构成的量子系统的变换矩阵和电子透射系数的精确解,研究了多量子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影     

共心光学谐振腔的横模特性

我们运用光学无源谐振腔的矩阵理论,计算了G_1·G_2=1;G_1/G_2=0.1,0.25,0.5,0.75;FN=0.1,1/π,0.5,0.7,0.9,1,1.5,2,2.5,3,5的一系列共心腔的横模550个(1=0-10,p≥0,δ≤99％)。计算结果大多数是未见发表过的,并根据计算结果对这些腔的横模特性作了总结。     

量子色噪声对单模激光场的影响

单模激光的统计性质主要由引起激光场涨落的量子噪声和抽运噪声决定.人们通常假设抽运噪声为色噪声,而量子噪声为白噪声.白噪声只是一种理想模型,本文将两类噪声均模拟为更接近于实际情况的O-U色噪声,研究色噪声尤其是量子色噪声效应. 单模激光增益模型的光强朗之万方程为: (dI)/(dt)=-2kI+(2ΓI)/(1+βI)+D+(2I)/(1+βI)ξ(t)+2Iq(t) 式中,ξ(t)为抽运噪声,q(t)为量子噪声,是自关联时间分别为τ1和τ2的O-U色噪声.应用线性化近似方法,得到了光强的关联函数、功率谱以及含时矩的解析表达式,结果分析表明: 1) 抽运噪声和量子噪声的自关联时间τ1和τ2越大,光强的相对涨落λ(o)越小,表明色噪声使得线性化近似的适用范围扩大; 2) 光强关联函数λ(t)的初始斜率limt→0[dλ(t)/dt]=0,这一结果与白噪声情形显著不同,表明λ(t)出现初始平台现象的根源在于色噪声; 3) λ(t)随时间t的增加而衰减,随着τ2的增加,λ(t)的衰减被延缓,即量子色噪声将增加激光系统的统计涨落; 4) 光强功率谱为单峰,τ2对峰值频率和峰高均没有影响,但随着τ2的增加,S(ω)的峰形越来越尖锐; 5) 协方差K2(t)随时间t的增加而增大,说明K2(t)在较短的时间内达到饱和,随着τ2的增加,K2(t)减少,即K2(t)达到饱和的时间延长.(PA2)     

N阶结构函数的研究

用相位噪声的N阶结构函数D_ψ~(N)(τ)研究频率稳定度时,要对D_ψ~(N)(τ)的特性作定量分析,往往比较复杂。本文根据随机信号处理理论,提出了一种简便分析法,并在此基础上,对D_ψ~(N)(τ)在相位噪声功率谱估计时产生的较大偏差问题,导出了一种新的改进型D_ψ~(N)(τ)——称为修正N阶结构函数。文中首次给出了D_ψ~(N)(τ)在线性估计方面的应用。     

碲镉汞的复合机理

一、引言理论上证明,在任何温度下,红外量子探测器的最大D_λ~*由下式给出:D_(λ(最大))~=ηλ/2hc(A/gth)~(1/2)(1)这里D_λ~*——光谱探测度 A——吸收电子流的探测器面积     

高性能铍离子注入InSb光电二极管

研究了一种用铍离子注入工艺制备Insb光电二极管的新方法。此法所得器件性能较标准扩散工艺所制备的并不逊色甚至还好。除注入工艺外,还正采用二氧化硅表面钝化取代早期的阳极氧化工艺。已经证实,二氧化硅可改进器件的稳定性与重复性。300K时表面态密度为10~(11)cm~(-2)eV~(-1),电阻率为2×10~(12)Ω-cm。很多二极管的性能数据表明:77K时器件零偏压阻抗和面积的乘积(R_0A)值达5×10~(5)Ω-cm,30K时大于1×10~(9)-cm~(2)。对Insb器件来说,这是目前报导的最高值。77K时测得的量子效率接近80％,波长为5.4μm,高密度列阵(1000元以上)的数据表明器件工作时有良好的一致性,较之镉扩散工艺所得R_0A的标准偏离值改进了50％。     

一般性问题

TN一0 94020(X)1世界激光工业与市场近况/王克武(中国科学院上海光学精密机械所)11国外激光一1993,(10)一20~35 简要介绍1992年世界激光工业与市场情况及近期发展趋势,并按激光器件种类、应用领域、地理区域分别阐述.结论是,连续两年发展停滞的激光市场,近期前景也不容乐观.图2表3参14(南)微电子学和有关分立器件与材料的发展研究/黄义贞(电子部46所)11半导体技术一1993,(6).we礴1~46 对功能半导体材料硅、砷化稼、磷化锢材料、硅基和m一V族基的超晶格量子阱及其新型功能材料进行介绍分析,提出了发展建议和措施.(文)TN一0 94020(X)2从传…     

多谱Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器

本文报导高性能三波段Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的制作工艺和特性。在77K分别测得上部、中间及底部元件在1～2、3～5及8～12微米波段的峰探测度为1.2×10~(12)、9.7×10~(11)及5.3×10~(10)厘米·赫~(1╱2)瓦~(-1)。在峰值波长时,外量子效率为75％、62％及51％。     

二端对电路的一个“功率比”积分定理(二端对电路的一个积分品质定理)

宽带讯号传输系统的模型可以归结为如下形式:讯号源经由内阻R_0通过介入电路驱动电容(惯性量)C_0。电压增益函数记为F_(12)。应用能量守恒律,并引用对偶互易定理及Parseval定理,作者得到功率增益的频率域积分(定理): integral from -∞ to ∞ (|F_(12)(jω)|~2dω/2π)=1/R_0[1/2C_0-W(∞)-sum from i (R_i) integral from 0 to ∞ (i_i~2(t)dt)]其中W(∞)为这一系统在C_0二端受单元脉冲电流冲击后在t=∞时的贮能,R_i为介入电路中第i个电阻阻值(其中流动的单元脉冲响应电流为i_i(t)))。文章指出integral from -∞ to ∞ (|F_2(jω)|~2dω/2π代表着系统的频域和时域传输品质。 如果介入电路为抗性电路,且满足一定条件使W(∞)得为0,则积分取极大值1/2C_0R_0。由此可见在一定条件下系统的传输品质是守恒的,它不随介入电路的结构形式(在前述条件下)及元件参量而改变。因而,如果使F_(12)的通带集中在一定窄的区域,可以取得无源增益。 由于沿袭有线通讯系统的习惯,往往讯号传输系统被终端于一定电阻。根据所得的定理,对于宽带系统,应该使终端免于阻性负载,才能使品质最良好。     

相干态双模型三能级J—CM中辐射场的量子统计性质

利用我们已推导出的双模?型三能级J—CM中存在失谐时的一般解可求得在任意初始条件|ψ(0)>下,双模?型三能级J—CM中双模之间的二阶关联函数g_(12)~((2))(0)和每一辐射场的二阶相干度g_(ii)~((2))(0)(i=1,2)为     

电子与信息学报 第26卷 2004年 总目次

第1期(l)(v)(l4)(20)(27)(35)(4l)(47)(53)(60)(65)(72)(77)(82)(89)(95)(l00:(l0v)(1 12〕(1 18)(124)l、,1.声、,一.少、、,一J夕、.,J夕、!IL 7 2 6 17qJ 3 .jl工月任一05‘二11,.1 11 11,.1厂汀,、了..、了口‘、2..、沪苦.、、,r毛、论文WDM网络中稀疏多纤及波长配置算法.     

半导体技术

TN3 02020321半导体最子点和量子线材料及其制备技术/张臣(天津电子材料所)11微细加工技术一2 001,(1)一74一78综述了半导体量子点和量子线材料的最新发展动态及其制备技术.图2表1参16(刚)行数值模拟,得到在输人场强度变化的一定范围内,具有锁频,删司期和混饨特性.图16表1参12(午)TN301 02020322Y型最子线中电子弹道输运性质/王传奎,江乡瞬(山东师范大学)11半导体学报一2001,22(3)一283一287对有限长Y型量子线中的电子弹道输运性质进行了量子力学计算.该有限长的量子结构分与两半无限长的量子通道相连,当施加一偏压时,量子通道分别可作为…     

半导体技术

TN301 99050357应变异质结Znse/512(110)的价带带阶的第一原理计算/李开航,张志绷乌,黄美纯(厦门大学)11量子电子学·一1999,16(2)一130一133文中从第一原理出发,用Linearized一M“ffin-Tin(LMTO)能带方法对应变超晶格(Znse)。/(512)。(110)(n=2一7)进行自洽计算.在此基础上采用冻结势方法计算了应变异质结Znse/SiZ(110)的价带带阶,得到其理论值为。.93eV,说明该异质结的价带带阶值较大,由其构成的量子阱对空穴运动有较强的限制作用.图2表1参11(许)理国家重点实验室)井真空科学与技术学报.一1 999,19(3)一177一181利用X射线光电子谱…     

GGG:Ho~(3 )晶体的光谱强度参数

本文应用Judd-Ofelt理论,由晶体的吸收光谱获得了Gd_3Ga_5O_(12):Ho~(3 )(简写GGG:Ho~(3 )振子强度的实验与计算值,用最小二乘方法拟合出的强度参数为Ω_2=0.24×10~(-20)cm~2、Ω_4=1.41×10~(-20)cm~2、Ω_6=1.09×10~(-20)cm~2。进而计算了电偶跃迁几率与辐射寿命。     

频率稳定度描述:Allan方差估值的置信度问题

本文用随机信号处理理论研究Allan方差估值的置信度问题。建立了从y(t)计算δ_y~2(T_0)及σ~2[σ_y~2(T_0)]的信号处理模型,推导出了相应的计算公式,探讨了降低(σ~2[δ_y~2(T_0)]与减少测量时间的问题。对于给定的置信度,给出了估算σ_y~2(T_0)的置信区间。对于白频率噪声,用计算机模拟的方式验证了上述理论结果。 本文指出,文献[5]中σ~2[σ_y~2(T_0)]/σ_y~4(T_0)的计算公式是本文式(13)在特定条件下的近似;文献[6]给出的有关自相关系数表达式,有一部分是欠妥的。