基于PC/104的一种激励信号源的设计

简述了PC／104和CAN的特点，介绍了基于PC／104的一种激励信号源的软、硬件实现方法，并给出了程序的主方框图。     

基于双PC／104的导航工控机设计

根据宝钢铁水运输动态监测系统车辆GPS组合导航的特点，设计的以双PC／104为基本结构的导航工控机，充分利用了PC／104的串、并口资源及PC／104的特点，简单、可靠，实用。     

基于PC／104总线的数字伺服系统

PC／104作为新型的工业总线标准，功能强大，扩展方便，通用性好，在工业和军用设备中得到广泛的应用，本文简要介绍了PC／104的特点，并介绍一种实用的以PC／104为核心的数字伺服系统的设计。     

交通视频监控系统中TMS320DM642与嵌入式PC/104+模块的通信

描述了TI公司媒体处理器TMS320DM642HPI的主要特点，介绍了PCI桥接器PCI2040的结构原理，提出了通过PCI2040实现TMS320DM642与PC／104＋模块进行通信的设计方案。本方案充分利用PCI总线的高数据吞吐能力和DSP的HPI接口功能，可在DSP和PC／104＋模块之间实现较高的数据传输率，实现了PC／104＋实时读／写DSP任意片内存储单元的内容。最后给出交通视频监控系统的设计方案，详细说明了通信过程的软件编程。     

固态有源相控阵多模雷达主控台的设计

介绍了固态有源相控阵多模雷达主控台的设计方法，PC／104嵌入式工控机及可编程逻辑器件EPLD在雷达主控台中的应用。     

数字A／R显示器的设计与分析

本文结合嵌入式PC／104计算机、CPLD的应用技术和计算机软件程序设计，介绍了某雷达A／R显示器的数字式实现方法。实践表明，运用该原理设计出的数字A／R显示器较模拟A／R显示器有着许多独特的优势。     

计算机及外设

多功能数据采集模块，PC／104扩展卡，工业级GSM／GPRS调制解调器，高端四轴运动控制卡[编者按]     

无人机飞控系统中的多串口通讯设计

基于PC／104的某无人机飞控系统，需要多个串口同时通讯。本文介绍了该系统的多串口通讯设计，重点讨论了其中的关键技术及解决途径；同时，对该系统中如何提高串口通讯可靠性和效能进行了说明。     

基于PC/104的多CAN-Bus系统设计

设计了一种以PC/104为平台、以CAN-Bus为通讯方式来构建功能强大、复杂系统时的解决方案.详细介绍了PC/104的I/O端口和中断等资源;给出如何利用CPLD对CAN接口器件进行控制,以及对整个系统进行编程.     

电子设备故障检测系统的研制

文中介绍了PC／104嵌入式计算机在某机载天线控制系统故障检测设备中的应用情况。重点论述了NIP信号通过422串口进行通信，各类控制信号动态采集，机载天线驻波比及衰减测量等问题。     

Vanadium-based ohmic contacts to n-type Al<Subscript>0.6</Subscript>Ga<Subscript>0.4</Subscript>N

Four vanadium-based contacts to n-type Al_0.6Ga_0.4N were compared in this work. Both V/Al/Pd/Au and V/Al/V/Au contacts with optimized layer thicknesses provided lower specific-contact resistances than did the previously reported V/Al/Pt/Au ohmic contact. Specific contact resistances of the V/Al/Pd/Au (15 nm/85 nm/20 nm/95 nm) and V/Al/V/Au (15 nm/85 nm/20 nm/95 nm) contacts were 3×10⁻⁶ Ω·cm² and 4×10⁻⁶ Ω·cm², respectively. On the other hand, an analogous V/Al/Mo/Au contact never became ohmic, even after it was annealed at 900°C for 30 sec. Compared to the V/Al/Pd/Au contact, the V/Al/V/Au contact required a less severe annealing condition (30 sec at 700°C instead of 850°C). The V/Al/V/Au contact also provided a smoother surface, with a root-mean-square (RMS) roughness of 39 nm.     

1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC

利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB.     

Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器

利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT／PZT／BIT，PZT／BIT和BIT层状铁电薄膜，获得了电流密度－电压（I－V）回线和极化强度P－V电滞回线。在这三种结构中，Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100）结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度Ps及矫顽场Vc之间有三种关系，他们与I－V回线及P－V回线的关系相匹配，这种匹配关系使得以I－V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。     

多媒体通信中基于ABR业务的融入凭证方式的速率控制机制

提出了一种融入基于凭证方式的基于速率的流量控制模型，该模型继承了基于凭证方法的记数机制，通过设定高低缓存门限和调节速率升降因数来控制源端速率。仿真结果表明，这种控制机制不仅能够保证缓存的充分利用，而且能够提高其在减少信元丢失、降低传输时延等方面的性能。     

WLAN工程设计

本文就WLAN工程设计提出了带有普遍意义的概念,包含室内覆盖、室外覆盖、室外(视距内)无线桥接。并就无线侧的规划、优化进行了浅析。     

难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性

用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理．用传输线法对比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱（AES）、X射线衍射图谱（XRD）对接触的微观结构进行了分析．结果表明,用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后,比接触电阻最小;在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻,约为4.5×10－6Ω·cm2．这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度,消除了费米能级钉扎效应,从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性．     

TiO2/n-Si/p-Si及n-PS/p-PS/Si的光伏特性

在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS).用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性.结果表明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效应比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高.在300～600 ℃热处理温度范围内TiO2/n-Si/p-Si的光伏效应随温度的升高而增强,600～800 ℃范围内随温度的升高而降低.     

一种适用于科研单位的混合组网方式

基于网络逻辑隔离概念，利用业务随行、Vxlan、SDN等网络新技术进行网络架构规划。在减少基础建设投资的前提下，通过精准逻辑隔离的方式对某科研院所的办公网、科研网和数据中心网络进行整体架构设计。该方式在不能单独组网（传统物理隔离）的条件下实现了网络终端、服务器、试验装置的访问可控和权限可控，可保障科研院所的整体网络运行在相对安全的环境，同时提高网络性能，降低人力成本，并为“智能化科研院所”建设提供相对完善的网络平台。     

1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC

利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB.     

面向全业务运营的城域传送网的建设

本文首先展望了全业务的发展,然后主要阐述为了满足全业务接入需求,城域传送网的建设方案。