磁控溅射薄膜厚度分布模拟软件的编制

对平面磁控溅射薄膜厚度分布提出了一种理论计算模型，编制了磁控溅射薄膜厚度分布模拟软件系统ＭＦＴＤＳ，并用ＭＦＴＤＳ对半球壳形工件内外膜厚分布进行了计算机模拟，在受磁控靶溅蚀区不均匀性影响较小的部位，所得膜厚分布结果与实验数据基本吻合     

阳极氧化铝薄膜厚度测试方法的研究

通过自制的铝电解电容器模型,利用氧化铝薄膜具有的介电性能,通过电容量法可以准确快捷地计算氧化膜的厚度,并通过显微直接观察法、电解电量法、伏安法进行了验证。得到如下结论:所用铝条样品天然氧化膜的厚度约为8.0nm;在H3PO4溶液中形成的氧化膜厚度随氧化时间变化为50～80nm;阻档层生成率1.219。     

用激光干涉法实时监控同轴磁控溅射ZnO薄膜的厚度

本文介绍了一种在我所生产的TCJ-300型同轴磁控溅射设备上采用激光实时监控ZnO薄膜厚度的方法.实验结果表明,该方法与其它膜厚监控方法相比较具有多种优点:它可以在溅射过程中实时显示薄膜的厚度、均匀性和溅射速率等;本实验装置简单;操作方便;其监控精度优于1.5%.     

磁控溅射生长Cu/Si薄膜

用溅射方法在Si(111)上生长Cu/Si,Ti/Si,Cu/Ti/Si薄膜。用XRD,红外吸收光谱,台阶仪对薄膜进行分析和测量。结果表明:在150℃溅射生长出的Cu/Ti/Si薄膜的缓冲层为硅化物TiSi2(311);Cu薄膜的主要成分是晶粒大小为17nm的Cu(111);Cu/Ti/Si(111)平均厚度为462nm,粗糙度为薄膜厚度的3%。在以TiSi2薄膜为缓冲层的Si(111)衬底上生长出的Cu薄膜抗氧化性较强、薄膜均匀性和致密性较好。     

磁控溅射薄膜厚度分而模拟软件的编制

对平面磁控溅射薄膜厚度分布提出了一种理论计算模型，编制了磁控溅射薄膜厚度分布模拟软件系统ＭＦＴＤＳ，并用ＭＦＴＤＳ对半球壳形工件内外膜厚分布进行了计算机模拟，在受磁控靶溅蚀区不均匀性影响较小的部位，所得膜厚分布结果与实验数据基本吻合。     

磁控溅射法生长CeO2/Si薄膜及其发光性质

利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究.通过实验发现,溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响.在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱,结果表明CeO2薄膜的发光主要来自于氧缺陷.     

磁控溅射法生长CeO2/Si薄膜及其发光性质

利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究.通过实验发现,溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响.在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱,结果表明CeO2薄膜的发光主要来自于氧缺陷.     

磁控溅射生长SiC薄膜的拉曼光谱研究

用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上制备出衬底温度分别为300,450,600℃的碳化硅薄膜,并对薄膜进行了拉曼光谱和原子力显微镜测试分析。结果表明,用溅射法在玻璃衬底上生长出微晶SiC(μc-SiC)薄膜和在Si(100)衬底上生长出立方碳化硅(β-SiC)薄膜。并且薄膜材料的结晶度随着衬底温度的升高而改善。     

磁控溅射不同厚度铝薄膜的微结构及其表面形貌

用直流磁控溅射法在室温的Si(100)基底上制备了21～55 nm范围内不同厚度的铝膜,并用X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和表面形貌进行了表征.分析结果表明:制备的铝薄膜呈多晶状态,晶粒择优取向为(111),随着膜厚的增加,Al(100)衍射峰宽变窄,薄膜的平均晶粒尺寸逐渐增大,晶面间距逐渐减小,薄膜中的残余应力减小.膜厚为55 nm时,Al膜均匀致密.     

用SEM直接测定介质薄膜的厚度

本文主要介绍利用SEM对几种介质薄膜厚度的直接测定,并讨论了其应用的范围及测量精度,在集成电路的研制工艺中,需要研制多种同质和异质的介质膜,如氮化硅、二氧化硅,多晶和单晶硅、金属铝等。而通常用光学测量这些膜厚并相应地建立了直接或间接的多种方法,在此基础上我们利用SEM具有测量精度高、图象清晰等特点,建立了同时测量多种膜厚和非破坏的样品倾斜法,能谱特征峰比例法直接测定膜厚度,精度可达10％以内,方法简易、快速、精度高。尤其是可检测厚度的均匀性。实践表明,均能满足与符合工艺要求。     

磁控溅射法生长CeO2/Si薄膜及其发光性质

利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究. 通过实验发现，溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响. 在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱，结果表明CeO2薄膜的发光主要来自于氧缺陷.     

BaTiO_3薄膜的磁控溅射生长及特性研究

用射频磁控溅射方法制备了 Ba Ti O3 (BT)薄膜。用扫描电镜 (SEM)观察了 Ba Ti O3 薄膜表面形貌、截面结构。电子探针分析表明样品具有良好的组份均匀性。介电特性研究表明材料同样具有较好的微结构     

磁控溅射法制备的MoO_x薄膜材料特性

MoO_x材料因其较低的反射率,在窄边框液晶显示技术等领域是一种理想的材料。本文利用磁控溅射法在玻璃基板上制备MoO_x薄膜,并在MoO_x薄膜上沉积不同的金属层,采用不同的方法研究MoO_x薄膜及其搭配金属层的特性。测试结果表明:MoO_x和玻璃基板的粘附性较好,无须打底膜可在玻璃基板上直接沉积;MoO_x和Al及Cu的粘附效果优于Mo及MTD等Mo合金;MoO_x薄膜的方块电阻值较大,搭配金属层时可忽略不计;MoO_x厚度对搭配金属膜的反射率及色差影响很大,而金属层厚度影响较小。对于采用MoO_x作低反材料的工艺,可以根据MoO_x材料的特性选择搭配不同的金属层,在满足反射率等要求的基础上,可通过调整MoO_x层厚度来调整产品的色差,以满足客户的颜色喜好需求。     

磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究

主要介绍了红外探测器的分类、发展,及基于氧化钒薄膜的热探测器的优势;采用直流磁控溅射法在相对较低温度220℃下制备出电阻温度系数(TCR)为-1.9%/℃的VOx薄膜.通过XRD、AFM、红外透过测试方法对薄膜的形貌、组分及其红外吸收性能进行分析,结果表明该VOx薄膜非常适合用作非制冷红外探测器热敏材料.与传统的工艺相比,由于该薄膜淀积过程无需高温退火,在后期的红外焦平面制作过程中,可以较好地保护红外焦平面阵列的CMOS电路.     

磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究

用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响。结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄膜电阻越小,超过400℃后,真空中退火温度再升高电阻变化不大,而空气中退火温度再升高电阻反而变大。     

磁控溅射法制备ITO薄膜的结构及光电性能 磁控溅射法制备ITO薄膜的结构及光电性能

本文采用直流磁控溅射法在基板温度100 ℃、100%Ar气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物（In2O3:SnO2= 90:10, 质量百分比）薄膜。利用XRD、AFM、SEM、多功能光栅光谱仪和四探针电阻测试仪对薄膜的结构、表面形貌、透光率和方阻进行了测定和分析,研究了溅射功率对薄膜透光率的影响。结果表明：ITO薄膜的方阻随溅射功率的增加而下降;经过热处理,ITO薄膜可见光透光率从60.4%增加到88.3%;ITO薄膜在360 nm到380 nm的紫光区域透光率最低,760 nm到800 nm的红光区域透光率达到最高。     

射频磁控溅射生长C轴择优取向AIN压电薄膜

采用射频磁控反应溅射工艺，在Si（400）衬底上制备了高c轴取向的AlN薄膜。用X射线衍射仪（XRD）分析了薄膜特征。研究了不同的Ar／N2比、衬底偏压、工作压强对AlN薄膜c轴择优取向的影响。研究了AlN薄膜在以氮终止的硅衬底和纯净硅衬底两种表面状态的生长机制，发现在以氮终止的硅衬底表面生长的AlN薄膜非常容易得到c轴择优取向的AlN薄膜。     

射频磁控溅射法低温沉积MnZn铁氧体薄膜

采用磁控溅射法在Si(100)、Si(111)和玻璃基片上原位沉积MnZn铁氧体薄膜,用X线衍射(XRD)仪、场发射扫描电子显微镜(FESEM)表征薄膜的物相结构与微观形貌,用振动样品磁强计(VSM)测试薄膜的磁性能.结果表明,在Si(100)基片上原位沉积的MnZn铁氧体薄膜,在较低的基片加热温度(Ts=50℃)下即可晶化;Ts升高,MnZn铁氧体薄膜的XRD衍射峰强度逐渐增强;当Ts≤150℃时,MnZn铁氧体薄膜X线衍射主峰为(311),但当Ts≥200℃后,MnZn铁氧体薄膜沿{111}晶面生长.在Si(111)和玻璃基片上沉积的MnZn铁氧体薄膜,其XRD衍射主峰分别为(111)和(311).     

磁控溅射中生长参数对氧化锌薄膜性能的影响

介绍了氧化锌的应用和制备方法,着重研究了磁控溅射中各生长参数如衬底温度、氧分压及工作压强对氧化锌薄膜结晶质量和电学性能的影响。