电子轰击所引起的二次电子像的变化

本工作主要研究在超高真空环境中,3keV能量电子束轰击Al、Mo、Cu三金属表面所导致的二次电子像上的变化。通过观察不同金属表面或同一金属但预处理方法不同的表面在电子轰击下,其二次电子像中所发生的变化,对电子诱导表面低能二次电子产额变化的机理进行了讨论。     

《真空物理学和工艺》

《真空物理学和工艺》(Vacuum Ph-ysics and Technology)一书于一九七九年在纽约出版。 这是一本颇有名望的真空专业书籍,由多位作者分章节集体编写。书的内容相当广泛:分子输送、表面物理、全压测量、分压测量、高真空的获得(前级泵、扩散泵、分子泵、喷射泵、水银扩散泵、吸附泵),超高真空的获得(基本原理、收气泵、离子泵、低温泵、涡轮分子泵),金属和玻璃真空系统,材料(金属、玻璃、陶瓷、弹性体、密封体、气体)的真空性能,真空设备的制造,保护装置,高真空系统的设计、操作和维修,可烘烤的超高真空系统和其操作上的特殊要求,检漏技巧(…     

使用软X射线出现电势谱仪研究不锈钢真空出气特性

木文介绍用国产JWC-1型无油超高真空机组、SJX-1四极分析器和自制软x射线出现电势能谱仪联合装置研究不锈钢的真空出气特性。获得了山不锈钢制做的无油超高真空系统的残余气体分析谱,主要残余气体是H_2O、CO、CO_2、CH_4和H_2。用电子轰击不锈钢样品主要脱出H_2O、CO、CO_2、CH_4、H_2和O_2记录了未经电子轰击处理和轰击处理1小时后的不锈钢中Cr的软x射线出现电势谱。从谱形看出,未经电子轰击处理不锈钢表面主要有Cr_2O_3层(峰高比L_3/L_2≈1),轰击处理1小时后,Cr_2O_3分解,表面主要出现Cr峰(L_3/L_2>1)。这可能是不锈钢在高温下失去抗腐蚀能力和电子轰击脱氧的原因之一。     

碳场电子发射体的应用研究

本研究涉及几种自制碳场电子发射体,介绍探索这些碳场电子发射体应用的过程中,在真空电子学、真空微/纳电子学(VMF/VNE)领域内获得成功的方面.研究工作涉及到了一些新开发的真空微电子学与真空电子学器件,如采用耐高温碳场电子发射体(CFE)与平滑型碳场电子发射体(SCFE)的氖发光管,采用平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE)、阵列硅场电子发射体(Si-FEA)的封离式全玻璃平板真空荧光光源管(FP-VFLT),采用寻址式碳纳米管(CNT)薄膜阵列场电子发射体(CNT-FEA)的封离式全玻璃平板摄像管(FCT)与平板显像管(FDT),采用碳纳米管(cNT)薄膜场电子发射体的封离式全玻璃超薄平板字符管(FCT).碳场电子发射体的应用研究工作也涉及到一种商用真空X射线管,及大面积碳纳米管(CNT)薄膜作为微波吸收材料的初步探讨.本文报导了这些研究工作达到的阶段成果.     

低压(低于10~(-3)帕)高效率离子枪

本文讨论了工作压强为≤1.0×10～-3帕而特殊设计的超高真空离子枪。这种离子枪可在电压为100伏-10千伏,电流为1×10～-7安下对离子束进行质量分析。当压强≤1×10～-5帕, 0.2安/乇的氩离子可在距源45厘米的靶上聚焦成0.4厘米的离子束斑。该枪工作的本底压强 为4.0×10～-9帕,而无须分级抽气。当发射电子流为30毫安,离子源近外的氢和一氧化碳的分压强分别为～1×10～-9帕,全压强为11×10～-9帕(氮当量)时,离子源可持续工作。若未 能为1仟电子伏,离子源传输(FWHM)为0.6电子伏,离子源处的发散半角为0.4°。 引言 在超高真空中用离子束轰击表…     

Φ45和Φ50直角式超高真空阀简介

在毛主席的“独立自主、自力更生”方针指引下,我国的电子工业、国防工业、科学技术等方面都有了迅猛异常的发展。为此,超高真空技术也得到了广泛应用。我国电子工业近两年来,对超高真空专用设备的需要越来越迫切,很多兄弟单位都在进行超高真空设备的研制,如超高真空镀膜和排气,以及科研方面所需的超高真空系统等等。在这些排气系统中都需要一套可以烘烤除气的截止阀。七零年在试制超高真空离子泵(包括冷阴极和热阴极)和去年试制超高真空离子泵排气台时,我们对φ45和φ50直角式超高真空间作了初步研制。实践证明这种阀,用铝垫密封,能在200℃…     

文摘索引

涡轮分子泵的进展──《Solide StateTechnology》, 1979. 22,№12, 82～87(英文) 比较了涡轮分子泵与扩散泵、离子泵、低温泵的特点,还对Pfeiffer型双流泵和最新的SNECMA型单流泵的主要性能结构做了对比。目前各种涡轮分子泵抽气系统,是其他各种用途超高真空系统的直接竞争对手或是做为其补充,从而对于这两种系统,也进行了比较。表2,图5。 (翁国屏) 真空沉积装置的实际清洗程序──《Solid State Technology》, 1979. 22,№12,73～81(英文) 建立并说明了一种有规律的程序。用来拆卸、清洗、重新组装和重新鉴定真空系统。每个步骤与其…     

CD-J50型超高真空阀门

前言 随着电子工业的迅速发展,对清洁超高真空等基础工艺提出了新的更高要求。自一九七三年以来,我厂研制了一些长寿命、高可靠、低噪音的电子管。因而逐步对原有的油扩散泵抽气系统进行了技术改造。用冷阴极钛溅射离子泵和钛球升华离子泵抽气系统更换了油扩散泵抽气系统。经过几年来的生产实践和不断改进,已能适应和满足生产的工艺要求,收到了初步的效果。在制造钛泵抽气系统的过程中,由十一车间,技术科、八车间等单位三结合设计,制造了CD──J50型超高真空阀门(见图 1)。用作为联结主泵,被抽容器和子抽系统的控制阀。 一、 CD──J50超…     

超高/极高真空测量发展综述

本文回顾了近50多年来在超高/极高真空测量方面所取得的重要进展.内容包括热阴极电离规和冷阴极电离规的研究进展、新型室温电子源(如Spindt阴极和碳纳米管场发射阴极)和真空的激光电离测量技术在超高/极高真空测量中的应用、小型化超高/极高真空电离规的发展以及我国在超高/极高真空测量方面的研究进展等,从中可对超高/极高真空测量的发展历史和现状有一个完整的了解.     

结合生产搞科研

我们上海灯泡厂三车间玻璃小组,承担车间电子管玻璃另件和排气用的玻璃设备加工和维修任务。在毛主席“独立自主,自力更生”的伟大方针指引下,针对电子管生产中的关键──超高真空排气工艺,开展了群众性的科技活动。几年来,我们在工厂党委的关怀和支持下,在各兄弟单位的帮助下,先后研制成功了十八项超高真空产品。达到了国内外先进水平。这些产品试成后,有的直接为电真空产品的试制提供了技术装备,有的支援了国防建设和援外任务,有的移交给专业生产单位成批生产。我们的体会是: 一、社会主义革命和建设的需要就是我们的课题 在电子管生产中,…     

反应离子束刻蚀母盘研究

对反应离子束刻蚀母盘和玻璃衬底光盘的工艺进行了探讨,在该工艺中,光刻胶用于图形掩膜,ＣＦ４气体用于反应离子束刻蚀并将预刻槽转移到玻璃衬底上,预刻槽的形状和深度由刻蚀机的设置条件控制。ＳＥＭ照片表明,刻蚀在玻璃衬底上的预刻槽的道间距为１．６μｍ,槽深０．１μｍ,槽宽０．６μｍ,符合光盘预刻槽的基本标准,说明该工艺是微细加工母盘凹坑和预刻槽的较好办法。     

离子束辅助真空电弧沉积TiO_(2-x)N_x薄膜及抗菌性能研究

采用离子束辅助真空电弧沉积技术在玻璃衬底上制备了氮掺杂的TiO_2薄膜样品,通过X射线衍射(XRD)、XPS以及UV-Vis分光光度计等测试手段对离子束辅助沉积样品的结构、表面成分及抗菌活性进行了分析,研究了经离子束辅助沉积氮掺杂的TiO_2薄膜的抗菌性能。结果表明:离子束辅助沉积的氮掺杂的TiO_3薄膜为非晶态结构,热处理后向锐钛矿转变,出现(101)面的择优取向。离子束流越大,TiO_(2-x)N_x薄膜红移的越少;抗菌活性随着离子束流的增加而减弱,但离子束辅助沉积的掺氮TiO_2薄膜抗菌活性均比传统真空电弧沉积的薄膜抗菌活性高。离子束辅助沉积的掺氮TiO_2薄膜对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌自然光照的抑菌率的抗菌率均可达99.9%以上。     

中国真空学会真空冶金专业委员会首次学术报告题录

1.真空冶金及其新发展。 (韩耀文)2.真空技术在新型材料中的某些 应用。 (陈杰)3.真空冶金设备与超高真空技术的 应用。 (王树理)4.引进西德IS700V11型真空感应炉 设备及结构分析。 (张世民)5.引进西德L700P7型真空自耗炉结 构特点分析。 (方伯衡)6.关于冶金真空系统节约能源的几点 意见。 (杨乃恒)7.ZQK—l高温真空钎焊扩散炉的设 计和使用。 (陈杰、王忠风、丁立平、何德珍)8.真空感应炉炉型分类的探讨。 (孙殿君)9.400KW等离子束熔炼炉。 (宝鸡有色金属加工厂)10.冷阴极电离真空计的应用及其 发展。 (林立三)11.高效率大功率电子枪发…     

快速的简易的实验用极高真空系统

本文介绍一种实验室用的、抽气时间短、简易的极高真空系统。它由一台特殊设计的玻璃冷冻钛升华泵与超高真空玻璃油扩散泵串联所组成,可在10小时内从低真空抽到10~(-13)托(使用新型的轴向式抑制规测)。文章介绍了该系统的结构特点,并分析了影响该系统极限真空的因素。     

国家标准局颁布真空标准

国家标准局继颁布GB4982-85《夹紧型真空快卸法兰》和GB4983—85 《拧紧型真空快卸法兰》之后,最近又以国标发〔1985〕333号文颁布下列真空标准:1.GB6070.1-85《真空法兰公称通径》;2.GB6070.2-85《真空法兰连接型式》;3.GB6070.3-85《固定真空法兰》;4.GB6070.4-85《活套真空法兰》;5.GB6070.5—85《真空法兰用橡胶密封圈》;6.GB6071.1-85《超高真空法兰结构型式》; 7. GB6071.2—85 R超高真空法兰尺寸｝)3- 8. GB6071.3—85 q超高真空法兰用钢密封垫》。__ 以上八项标准自一九八六年四月一日起实施,望有关单位周知。国家标准局颁…     

日本超高真空技术概况

日本超高真空油扩散泵及冷阴极钛泵已有系列,超高真空蒸发设备亦有商品出售,其它如热阴极针蒸发离子泵及冷凝泵等均处于试验研究阶段。日本真空技术株式会社(以下简称为日本真空)在超高真空的生产研究方面在日本可居首位,该公司除了研究改进现有些户的超高真空设备外,其它的各种超高真空的获得方法及测量均在进行试验。日本电子株式会社,神港精机株式会社,和岛津制作所等,虽然亦生产了超高真空油扩散泵及超高真空蒸发设备,但所见到的产品不多,而且在研究方面花的力量亦是不大。日本电气试验所在超高真空方面主要是围绕电子零件的蒸发来进行,…     

铜上溅射沉积铀薄膜AES研究

在俄歇电子能谱仪超高真空室内,采用离子束溅射沉积方法在多晶cu上沉积了铀薄膜,采用俄歇电子能谱技术(AES)研究铀薄膜的生长方式,铀、铜的相互作用及退火引起u膜成分结构变化.沉积初期观察到铀与铜发生相互作用,随着铀薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇跃迁峰强度值变化说明铀薄膜为层状+岛状生长.退火促进了界面扩散,随着温度的升高,铀与铜发生了相互作用和扩散,温度继续升高,铀与碳形成了铀碳化物.     

专利技术

一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法申请(专利)号:201210400849.9公开(公告)日:2013-03-27申请(专利权)人:天津大学摘要:本发明公开了一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法,步骤为:(1)对n型单面抛光的单晶硅片进行清洗;(2)采用双槽电化学腐蚀法在硅片的抛光表面制备孔径尺寸在50~200 nm的硅基孔洞有序多孔硅,腐蚀液为6%~8%的氢氟酸水溶液,施加的腐蚀电流密度为115~135mA/cm2,腐蚀时间为5~25 min;(3)再将多孔硅置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室,制备基     

兰州重离子加速器深层治癌束流线真空系统

重离子深层治癌束流线从兰州重离子加速器冷却储存环(HIRFL-CSR)主环引出,利用能量为100MeV/u～430MeV/u的碳离子束,开展治疗体内各种癌症的深层治癌研究.该束流线真空系统包括极高真空段、超高真空段和大气段,采用不同的真空获得方案和工艺路线,分别在极高真空段和超高真空段获得了8×10-10Pa和1×10-6Pa的真空度,并顺利实现了束流线的真空过渡,保证了HIRFL-CSR主环极高真空系统的安全运行;研制了适用于高频率扫描磁铁内放置的真空管道,消除了涡流对束流的影响;对隔离真空和大气的大尺寸膜窗材料进行了调研,选择高强度塑料膜(Hostaphan)和加强纤维膜(Kevlar)联合使用,既能让束流通过,又不会产生危害人体的中子,并能够有足够的强度抵御大气压力.该束流线真空系统的建成为重离子深层治癌的研究提供了良好的真空条件.     

现代超高真空获得技术的水平与发展

自从1950年Bayard-Alpert电离计发明以来,真空技术逐步向超高真空领域推进。特别是现代科学技术──原子能、电子计算机和空间技术的发展,又进一步促进了超高真空技术。 旱期获得超高真空的主要手段是油扩散泵系统,但是这种泵的工作液是污染系统的主要来源。现在有许多场合对真空的要求不但是“量”而更重要的是“质”,即“清洁”的超高真空。近十几年来,国内外在减少油蒸汽污染方面有很大进展。如美国Aero真空公司的Santeler用“ 6”油扩散泵 (对N2抽速为 1500升/秒)加上12”的液氮升华阱使极限压强达到 10-14托,油蒸汽分压小到可测下限(…