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固定式或可调式LDO的输出电压精度取决于其初始精度、稳定性、内部带隙基准电压源的温度系数和取样电阻的精度。详细分析了影响LDO输出电压精度的主要因素,重点阐述提高LDO输出电压精度的方法。 相似文献
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图5(a()见10期)和图5(b)采用NPN二极管作为检测管,图5(c)和图5(d)采用晶闸管作为检测管。由于所检测的电压较低,大多通过稳压二极管和限流电阻对被检测的电路进行检测,图中的VDl为取样基准二极管,R1为限流电阻,Vl或VT1为检测管(三极管V1或晶闸管VT1)。被检测电压正常时,低于基准稳压管VDl的稳压值,稳压管VDl截止,检测管VTl也截止,对电路不产生影响;当被检测的电压高于基准稳压管VDl的稳压值时,基准稳压管VDl击穿,通过限流电阻则将电压加到检测三极管Vl的基极或晶闸管VTl的控制极,检测管VTl由截止变为导通。图中的A点是保护触发… 相似文献
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4.三端固定集成稳压器三端(输入端、输出端和公共端)固定集成稳压器不需外接元件,使用十分方便。它是将功率调整管、取样电阻、基准电压、误差放大、起动和过流保护、心片过热保护等全部集成在一个心片上而形成的一种集成稳压电路。使用三端固定集成稳压器时,首先要根据输出电压的正、负选择7800系列或7900系列稳压器。7800系列是正稳压器,7900系列是负稳压 相似文献
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在各种稳压电源中,开关电源具有效率高、体积小、重量轻等优点,因而近十年来获得了飞速的发展.开关电源的稳压过程是:当电网电压变动或负载变化引起输出电压U_0上升,则U_0↑→取样电压↑→误差电压(取样电压与基准电压之差)↑→开关驱动器输出脉冲占空比σ↓→开关调整管导通时间t_(on)↓→U_0↓.反之, 相似文献
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(9)+B(140V)过流保护由+B电流取样电阻R855和检测管Q806及外围元件构成。当+B负载行扫描电路正常时,在取样电阻R855上的电压降较小,Q806截止,集电极输出低电平,对ICll01的⑦脚电压不产生影响;当行扫描电路发生短路、漏电故障,引起行输出电流增加时,在R855上的电压降增加,使Q806的发射极电压接近0.7V时, 相似文献
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一个性能良好的晶体管稳压电源的质量指标,主要取决于采样电路、基准电压和比较放大器环节,其中基准电压源是一关键环节。如基准电压有变化,即使电网电压和负载均不变,也会破坏电源输出稳定性。目前基准电压多采用半导体稳压管实现,例如用标准稳压管2DW7C,其输出电压6V左右,电压稳定性约1×10~(-4),温度系数约5×10~(-5)/C°。但对于高稳定性质量来讲,往往还不能满足要求。七十年代国外曾报导利用场效应管恒流特性获得基准电压的方法,其稳定性可达10~(-6)数量级,接近标准电池的电压稳定性。我们根据这种原理,研制了一个基准电压源,代替标准稳压管,其输出电压稳定性约为5×10~(-6)/1小时, 相似文献
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(2)+B过流保护电路由过流检测管Q7201、取样电阻R7201和12V稳压二极管ZD7201等元件组成。当+B负载行输出电路发生短路、漏电故障引起输出电流增加时,在取样电阻R7201上的电压降增加,使Q7201导通,集电极变为高电位,当R7204上端的电压超过12V时,将稳压二极管ZD7201击穿,向Q7991晶闸管的控制极送入触发电压,进入保护状态(参见5期图4)。 相似文献
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③另外,当行输出提供的5V电压丢失时,稳压二极管D563正极电压为0V,加到D563两端的电压超过其稳压值,D563被击穿导通,Q807获正向偏置电压而导通,导通后的集电极电压通过隔离电阻R832向保护执行电路送入触发电压,也会进入待机保护状态。(7)场输出过流保护电路由过流取样电阻R578、检测放大管Q557组成。当场输出电路发生短路漏电故障,而场输出电流增 相似文献
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(2)+23V过流保护电路由检测三极管Q7010、取样电阻R7060和集电极分压电路R7065、R7066组成。会聚电路正常时在R7060上的电压降较小,Q7010截止,集电极无电压输出;当会聚电路发生短路、漏电故障时,在取样电阻R7060上的电压降增 相似文献
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本文对几种电流源电路做了分析。当电流源的负载为电阻时,构成电阻—电压转换器,其特点是基准电压与被测电阻共地,电路结构简单,集成度高,性能好,可实现高阻至微小电阻的测量。当电流源的负载为传感器时,构成非电量—电压转换器。若选用成品数字电压表作转换器的输出显示,能够简便、廉价地组合成数字测量仪器。 相似文献
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为满足高性能模拟及数模混合集成电路中多种基准电压的需求,设计了可配置,低温度系数和高电源抑制比的带隙基准电压源。通过逻辑电路控制,可配置电路使带隙基准源输出4种不同的参考电压;带隙基准源核心电路采用改进的Brokaw结构,输出电压为0.5 V。基于Chartered 0.18μm Mixed Signal 1P5M工艺模型,在电源电压1.8 V下,对设计的电路进行了仿真验证。仿真结果显示,可配置基准电压源可以实现4种不同的参考电压;在TT工艺角下,-40~125℃的温度范围内,基准源核心输出电压的温度系数达到9.2×10-6/℃;低频时,电源抑制比为107.2 dB,满足了设计指标要求。 相似文献
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新型全集成CMOS射频接收器低噪声电源系统 总被引:3,自引:1,他引:2
针对CMOS射频接收器芯片,提出了一种新型全集成电源系统方案,相对于传统低压差线性稳压器(LDO)电源,噪声性能显著提高。在对片内模块电源域合理划分的基础上,设计了低噪声的新型电压源取代传统的带隙基准源(Bandgap)作为LDO提供参考电压,并通过对参考电压值巧妙设计,避免了使用LDO电阻反馈网络来调节输出电压,进一步减小了电阻引入的噪声。结合数字校准电路,本系统可以为片内各电路提供准确的电源电压。该设计在Smic0.18m工艺下后真结果表明,在100kHz处,新型参考电压源输出噪声为16.38nV/√Hz,片内电源输出噪声仅为21.28nV/√Hz。 相似文献