SiC MOSFET在三相PWM整流器中的研究与应用

新一代宽禁带半导体SiC器件相比传统Si器件在耐压、高频、高温等性能方面有很大优势。该文基于SiC MOSFET三相PWM整流器设计了SiC MOSFET的驱动电路;SiC MOSFET在三相PWM整流器的高频化设计,可以使交流侧的输入电感量进一步减小,这有利于提高电源的功率密度,但也容易导致整流器启动时刻出现过流问题。针对这一问题,提出了启动时刻通过合理设计电压电流双环控制中电压环的输出值作为限幅值的方法来抑制启动过流,并通过实验验证了该驱动电路满足设计要求和启动过流抑制方法的有效性。     

基于F28335的SiC MOSFET驱动系统设计

由于SiC MOSFET开关速度较快,不能用普通Si MOSFET的栅极驱动电路来驱动.设计一种基于F28335的SiC MOSFET栅极驱动电路,利用键盘调节F28335输出PWM信号的频率、占空比、死区和移相值,并在LCM12864液晶屏上实时显示调节值.将PWM信号作为SiC MOSFET栅极驱动电路输入信号应用...     

SiC MOS在有源功率因数校正电路中的应用

为了提高开关电源的工作频率,降低开关损耗,减少电磁污染等,采用第三代半导体功率器件SiC MOS代替传统的Si MOS,同时采用有源功率因数校正技术来提高开关电源的利用率。该文分析了整个电路的工作原理,利用Matlab仿真软件对电路进行了仿真。仿真结果表明,在开关电源中使用SiC MOS可以提高开关频率,降低开关损耗,提高电源的利用率。功率因数可达0.998以上,负载上输出的直流电压稳定,纹波电压误差小。     

SiC和SiC/Al在TMA空间遥感器中的应用

简述了空间遥感器的空间应用环境和TMA轻型遥感器的特点,介绍了遥感器设计中材料选择的重要性及影响,在TMA轻型遥感器研制中选用了具有高导热性和高比刚度的SiC和SiC/Al复合材料新材料,计算及试验证明这些材料的应用提高了遥感器的机械性能和热性能,提高了TMA轻型空间遥感器的空间适应能力。     

影响功率MOSFET开关速度的因素分析

给出了功率ＭＯＳＦＥＴ的等效电路模型,详细分析了栅极驱动电路和功率输出负载对功率ＭＯＳＦＥＴ开关速度的影响,并给出了实用的栅极驱动电路。     

HOLLIAS-LEC G3 PLC在SiC晶体生长炉控制系统中的应用

作为一种新型的半导体材料．SiC（碳化硅）以其优良的物理化学特性和电特性成为制造短波长光电子器件、高温器件、抗辐照器件和大功率／高额电子器件最重要的半导体材料。特别是在极端条件和恶劣条件下应用时．SiC器件的特性远远超过了Si器件和GaAs器件。     

高速双MOSFET驱动器及在开关电源中应用

介绍高速双MOSFET驱动器MC34152集成电路的内部结构、工作特性、使用注意事项以及在零电压转换PWM开关变换器中的实际应用。     

MOSFET/IGBT半桥驱动芯片IR2111的应用研究

本义介绍了MOSFET/IGBT半桥驱动芯片IR2111的使用情况,分析了其工作电路中外围各元器件的作用,同时指出了在使用过程中应注意的一些问题和现象,并对不同公司的MOSFET/IGBT驱动芯片作了简要介绍.     

纳米银双面烧结SiC半桥模块封装技术

为满足雷达阵面高功率密度的需求,SiC宽禁带半导体器件在电源模块应用中逐步取代传统硅功率器件。传统焊接及导电胶粘工艺存在导电性能差、热阻大、高温蠕变等缺点,无法发挥SiC功率器件高结温和高功率的优势。纳米银烧结是大功率器件最合适的界面互连技术之一,具有低温烧结高温使用的优点和良好的高温工作特性。文中针对高功率电源模块大电流传输对低压降及高效散热的需求,基于高功率半桥电源模块开展了SiC芯片的纳米银双面烧结工艺技术研究,突破了成型银焊片制备、纳米银焊膏高平整度点涂、无压烧结等关键技术,并通过烧结界面微观分析以及芯片剪切强度和焊片剥离强度测试对烧结工艺参数进行了优化。最后对半桥模块进行了静态测试和双脉冲测试。该模块的栅极泄漏电流<1.5 n A,开关切换时间<125 ns,漏极电压过冲<12.5%,满足产品应用需求。     

一种实用的功率MOS管电机驱动电路

在分析了MOS管导通原理的基础上,结合功率放大电路的原理,提出了一种电机MOS管的驱动电路,该电路适合高频信号开关控制电路。利用Multisim仿真软件仿真分析,并经过实际的运用,该电路达到了良好的效果。     

SiC二极管在高频大功率电流型逆变器中的应用

针对电流型逆变器桥臂并联扩容时开关损耗较大的问题,对SiC肖特基二极管和Si快恢复二极管的正反向恢复特性、MOSFET并联均流特性以及容性状态下电流型逆变器工作过程进行了研究。提出了在电流型逆变器中用SiC肖特基二极管代替Si快恢复二极管以实现保持逆变器良好并联均流效果的同时降低逆变器损耗。分别搭建了基于Si快恢复二极管和SiC肖特基二极管的电流型逆变器实验平台以对比验证SiC肖特基二极管在系统扩容应用中实际效果。研究结果表明,在电流型逆变器中使用SiC肖特基二极管可以极大地降低逆变器损耗同时保持逆变器良好的均流效果,提高逆变器效率。     

碳化硅轻型反射镜技术

给出了常用的轻质材料,对比分析了碳化硅的材料特性。介绍了碳化硅反射镜制造中的几个关键技术,包括RB碳化硅反射镜毛坯制造,SiC涂层技术和SiC反射镜的加工技术。     

SiC颗粒增强铝基复合材料的摩擦磨损性能

制备了不同粒度和含量siC的铝基复合材料,与santana2000轿车用HFM605型非金属摩擦片材料配成摩擦副,于不同压力和速度条件下在MM-200型摩擦磨损试验机上进行干摩擦试验,研究了其摩擦磨损性能。结果表明:摩擦因数随摩擦压力的增大而下降;比较而言,在高速高压时摩擦因数最低;复合材料中SiC粒度和含量对摩擦因数影响不大;随着siC粒度减小、含量增大,复合材料的耐磨性能逐渐提高;热处理可以明显提高复合材料的摩擦因数和耐磨性能。     

反应烧结SiC/Ag-Ti体系润湿性研究

陶瓷／金属润湿性研究对于陶瓷金属连接以及金属陶瓷复合材料的制造有重要意义。采用座滴法研究了SiC／Ag＋Ti体系的润湿性。测定了不同成分的焊料与SiC基体的接触角。试验结果表明Ti的添加能显著改善体系的润湿性。随Ti含量的增加，接触角不断减小；温度升高、保温时间延长，接触角也减小。微观分析显示，界面处形成一反应层，润湿界面存在明显的元素互扩散现象。     

燃料电池Buck变换器的动态演化控制仿真

针对燃料电池DC/DC变换器的工作优化问题,对DC/DC变换器的控制方法和输出响应特性进行了研究,提出了一种新型控制方法—动态演化控制,并将其应用于具体设计的燃料电池两相交错并联同步Buck变换器中,论述了该变换器的动态演化控制设计步骤,通过对变换器的特征方程以及动态演化路径进行分析,建立了控制占空比与动态演化方程之间的关系,进而实现对该变换器进行动态演化控制.利用Matlab-Simulink仿真平台对两相交错并联同步Buck变换器仿真模型分别在动态演化控制和传统PI控制下的负载突变输出性能进行了仿真测试.仿真研究结果表明,动态演化控制具备快速的动态响应能力和良好的抗干扰性能,比传统PI控制更为优越.