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文章介绍了直放站系统中自动电平控制的定义和实现原理,然后详细说明了无线直放站常用的ALC电路及其实现方法,分析了该方法的优缺点.文章最后提出了两种全新的联动自动电平控制解决方案.并且分析了两种方案的优势. 相似文献
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一种新型超高频射频识别射频前端电路设计 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种低功耗高线性度的新型超高频射频识别射频前端电路.在LNA的设计中,通过在输入端采用二阶交调电流注入结构以提高线性度,在输出端采用开关电容结构以实现工作频率可调;在混频器的设计中,在输入端采用同LNA相同的方法以提高线性度,而在输出端采用动态电流注入结构以降低噪声.该电路采用0.18μmCMOS工艺,供电电压为1.2V,仿真结果如下:输入阻抗S11为-23.98dB,IIP3为5.05dBm,整个射频前端电路的增益为10dB. 相似文献
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提出一种应用于功率放大器的高精度温度补偿电路,采用硅二极管与电阻串并联的方法实现功率放大器的温度补偿,保证功率放大器在不同温度下均可以正常稳定地工作,且电路结构简单、易于调试。应用PCB板实现了具有温度补偿的功率放大器电路,测试结果表明在-40~80℃的温度范围内,功率放大器的静态电流只有3.8%的变化。因此该方法可以实现在较宽的温度范围内对功率放大器进行有效的高精度温度补偿,可以广泛应用于功率放大器、特别是对温度补偿量要求较高的功率放大器及大功率放大器的设计中。 相似文献
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完成了一种桥式连接音频功率放大器的仿真和设计。该音频功率放大器的主体为桥式连接的两个运算放大器,使用尽可能小的外部组件提供高质量的输出功率,不需要输出耦合电容、 自举电容和缓冲网络。应用Cadence的Spectre模拟仿真工具进行电路仿真,得到其电路指标如频响特性、电源电压抑制比、总谐波失真等均达到要求。该音频功率放大器具有良好的市场应用前景。 相似文献
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一种实用的高输出电平射频调制器黄进在共用天线电视系统中,通常需要放录像和自办节目。然而,电视中心利用录像机或摄像机的射频输出端输出的信号多数在70dB左右,不能满足大、中型共甲天线电视系统使用。为了使录像信号或摄像信号能与经放大器放大后输出的高达10... 相似文献
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介绍了自动电平控制(ALC)放大器的工作原理,研究了组成ALC系统的放大器、衰减器及检波器的特性。采用宽带理论和微波仿真软件,设计了一种2~18 GHz宽带ALC放大器,并给出了测试结果。频率为2~18 GHz,增益大于18 dB,增益平坦度小于3 dB,输入输出驻波比小于2.5,ALC动态范围大于15 dB,输出功率稳定在12.5~13.5 dBm,具有优异的宽带性能及稳定的输出。该宽带ALC放大器采用PHEMT管芯和GaAs MMIC以及微波薄膜工艺,封装在密封的金属盒体中,具有模块化、小型化的特点,应用范围广泛、前景良好。 相似文献
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介绍了超高频接收系统射频前端电路的芯片设计。从噪声匹配、线性度、阻抗匹配以及增益等方面详细讨论了集成低噪声放大器和下变频混频器的设计。电路采用硅基0.8μm B iCM O S工艺实现,经过测试,射频前端的增益约为18 dB,双边带噪声系数2.5 dB,IIP 3为+5 dBm,5 V工作电压下的消耗电流仅为3.4 mA。 相似文献
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针对一种特定的射频识别技术的通讯协议(ISO1800-6B),提出了一种应用于射频识别读写器中的发射机前端结构,以实现发射信号的OOK调制.采用0.18μm CMOS工艺实现的这种高效率、高度集成的无线发射机前端由射频信号调制器、E类功率放大器以及相应的逻辑控制单元组成,其中的功率放大器的小信号增益约为23dB,其1dB压缩点输出功率为17.6dBm,最大输出功率为19.0dBm,而最大功率增加效率为35.4%.整个发射机的输出信号满足相应协议的特定要求,可以实现不同调制深度(18%和100%)的射频信号输出. 相似文献
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多阶射频整流器在射频能量收集系统中起着交流转直流的作用。当射频输入功率偏离某一数值时,多阶射频整流器的功率转换效率(PCE)迅速下降。基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,提出一种最大功率点跟踪(MPPT)方法,使多阶射频整流器能够根据射频输入功率的大小自动配置阶数,从而在较宽的输入范围内保持较高的PCE。将该MPPT方法应用在3阶射频整流器上。结果表明,当工作频率为953 MHz、负载为50 kΩ、输入功率PIN∈(-26.5 dBm,-7.5 dBm)时,该3阶射频整流器的平均PCE可达65 %,相比传统3阶射频整流器,提升了约25%。 相似文献
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提出了一种改善射频功率放大器非线性的新的预失真法。该方法没有前馈法复杂,也克服了反馈法增益下降的缺点。首先分析功率放大器的传输特性进行,并从幂级数的展开式中得到方便分析的结论;然后通过对方案中参数的分析,找到能够改善功率放大器非线性的办法;最后给出了计算机模拟实验结果。实验结果表明,用该方法改善功率放大器的非线性比较有效,可以使IMD3的功率电平至少下降34dBm。 相似文献
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A new on-chip temperature compensation circuit for a GaAs-based HBT RF amplifier applied to wireless communication is presented.The simple compensation circuit is composed of one GaAs HBT and five resistors with various values,which allow the power amplifier to achieve better thermal characteristics with a little degradation in performance.It effectively compensates for the temperature variation of the gain and the output power of the power amplifier by regulating the base quiescent bias current.The temp... 相似文献