2.8～4.2GHz MMIC低噪声放大器

报道了基于0.25μm GaAs PHEMT工艺的2.8～4.2GHz MMIC低噪声放大器,详细介绍和分析了低噪声放大器的器件基础和设计原理,设计采用源极串联电感负反馈方法使输入阻抗共轭匹配和最小噪声匹配趋于一致,偏置网络采用自偏置栅压、单电源供电,并用ADS软件仿真。电路评估板选用Rogers RO4350B,在2.8～4.2GHz频段内测得增益大于20dB、增益平坦度小于2.5dB、噪声系数小于2.3dB、输入输出驻波比小于2.0。     

Ka波段单片低噪声放大器

利用0.25 μm GaAs PHEMT工艺设计并制作了一种Ka波段低噪声放大器芯片.提出了适用于低噪声放大器的PHEMT器件特征.电路采用四级级联结构.利用微带电路实现输入、输出和级间匹配.通过对电路增益、噪声系数和驻波比等指标进行多目标优化,确定了器件参数.该放大器测试结果为:26.5～36 GHz频段内增益大于20 dB;多数测试点噪声系数小于3 dB,其中34 GHz频点噪声仅为1.94 dB;芯片面积2.88 mm×1 mm.     

一种0.03～1.7 GHz超宽带低噪声放大器的设计与制作

为了降低接收机前端的噪声,设计了一种超宽带低噪声放大器。选用噪声较小、增益较高且工作电流较低的放大管,利用负反馈和宽带匹配技术,结合ADS和HFSS微波软件辅助设计,放大器在30 MHz~1700 MHz范围内,增益大于31 dB,平坦度小于±0.5 dB,噪声系数小于2.3 dB,驻波比小于1.6。     

2-4GHz波段低噪声放大器的仿真设计

利用pHEMT工艺设计了一个2-4GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,利用微带电路实现输入输出和级间匹配．通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计。最终使得该LNA在2-4GHz波段内增益大于20dB,噪声小于1-2dB,输出电压驻波比小于2,达到了设计指标的要求。     

射频低噪声放大器设计与仿真

为了提高接收机接收灵敏度及通信距离,设计了一种433 MHz频段两级低噪声放大器。使用了一种在集电极串联感性反馈,使放大管处于绝对稳定状态的方法,采用等噪声圆及等功率圆进行了低噪声放大器的仿真设计,分析了放大管的稳定性、噪声系数、增益等参数。仿真及测试结果表明低噪声放大器在433 MHz频段,噪声系数0.6 dB,输入输出驻波比1.5,增益26 dB,将设计的低噪声放大器应用在433 MHz通信模块中,通信距离有显著提高。     

高性能低噪声放大器的设计

低噪声放大器（LNA,Low Noise Amplifier）能有效放大射频小信号,降低系统的总体噪声,提高接收机的灵敏度。该文介绍了低噪声放大器的主要性能指标和设计方法,该电路选用ATF-54143晶体管,采用两级放大,利用Agilent ADS软件完成一个S波段低噪声放大器的偏置电路以及输入、级间和输m匹配的设计和仿真。本设计中,在源极加入短路微带线形成反馈作用,从而提高稳定性。最后对仿真完的电路进行了加丁测试。经测试,在2.15-2.65GHz的频带内,获得了27-2-28.1dB的增益,增益平坦度小于±0.9dB,噪声系数小于ldB,输入电压驻波比为l.048-1.640,输出电压驻波比为1.120-1.840,在中心频率点2．4GHz上．输出功率ldB压缩点为162dBm。     

毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器

设计了一款毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器。限幅器采用两级反向并联二极管结构,通过优化限幅器匹配电路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅电路的插损。低噪声放大器为四级级联设计,输入端采用最小噪声匹配,偏置电路增加RC串联谐振电路,减小了噪声,提高了电路稳定性。测试结果表明,该毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器在33～37 GHz频带内,增益达到22 dB,增益平坦为±1 dB,输入驻波小于2,输出驻波小于1.5,噪声小于3.0 dB,输出1 dB增益压缩点(P_(1dB))大于5 dBm,可以承受15 W的脉冲输入功率。     

1.8～2.8 GHz低噪音放大器的仿真设计

利用pHEMT工艺设计了一个1.8~2.8 GHz波段单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-58143晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,用微带电路实现输入输出和级间匹配,通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比和稳定系数等特性进行了研究。设计出一个增益大于20 dB,噪声系数小于1.5 dB,输入输出电压驻波比小于1.9,达到设计要求。     

1.8～2.8GHz低噪音放大器的仿真设计

利用pHEMT工艺设计了一个1.8～2.8GHz波段单片低噪声放大器电路.本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATT-58143晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,用微带电路实现输入输出和级间匹配,通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比和稳定系数等特性进行了研究.设计出一个增益大于20dB,噪声系数小于1.5dB,输入输出电压驻波比小于1.9,达到设计要求.     

基于CMOS工艺的RFID双频低噪声放大器设计与仿真

设计出一种可应用于RFID系统,同时工作在915 MHz和2.45 GHz的双频段低噪声放大器.该设计以最大程度降低噪声为目标,采用并联LC网络替代传统单一高感值电感,并引入电流复用技术,最终实现高增益低功耗的双频段低噪声放大器的设计目标.仿真结果如下:在915MHz和2.45GHz的频率下,噪声系数均小于0.6dB;S(1,1)小于—15dB;S(2,2)小于—11dB;输入驻波比≤1.4;输出驻波比≤1.8;1dB压缩点约为—16.5dBm.仿真结果表明,在两个频段中的测试结果均优于预期指标的要求,为实际双频段低噪声放大器的设计及优化提供参考。