纳米级ZrO2（Y2O3）／Al2O3粉末的制备及其烧结性能

本文采用化学共沉淀凝胶法制备了２ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３－ＺｒＯ２－２０ｗｔ％Ａｌ２Ｏ３纳米级超细复合的陶瓷粉末，在常压下对该粉末进行了不同温度下的烧结试验，利用ＸＲＤ分析了粉末的相组成；用ＸＲＤ－ＢＬ法计算了粉晶尺寸，用ＴＥＭ研究了粉末的形貌，大小及其分布，用Ａｒｃｈｉｍｅｄｅｓ法测定了烧结体的体积密度，用ＳＥＭ观察测定了烧结体的显微结构，结果表明，该法制备的粉末尺寸分布范围窄，分散性好，粉体烧结活性高     

燃烧合成－二次还原焙烧法制备CaB6粉末

采用燃烧合成–二次还原焙烧法制备CaB6多晶粉末,考察了二次还原焙烧温度和时间对焙烧效果的影响,采用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和激光粒度分析仪对CaB6多晶粉末进行表征。结果表明：Ca3B2O6副产物经二次还原焙烧后转化为CaB6,有利于提高CaB6的产率。随二次还原焙烧温度提高和时间延长,CaB6晶粒...     

Bi_2O_3-SnO_2系统的相关系及Bi_2Sn_2O_7陶瓷的制备与单晶生长

为了探索Bi_2Sn_2O_7的晶体生长方法,应用差热分析(DTA)、淬火、X射线粉末照相和高温显微镜方法对Bi_2O_3-SnO_2系统在较宽组成范围的相关系进行了初步研究。得到的结果是Bi_2O_3-SnO_2系统存在化合物Bi_2Sn_2O_7同时又发现该化合物在1365℃左右时分解,所以不能用熔体提拉法生长单晶。使用熔剂法生长了Bi_2Sn_2O_7单晶。制备了断面烧结致密的Bi_2Sn_2O_7陶瓷,并测定了介电常数。     

燃烧合成－二次还原焙烧法制备CaB6粉末

采用燃烧合成–二次还原焙烧法制备CaB6多晶粉末,考察了二次还原焙烧温度和时间对焙烧效果的影响,采用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和激光粒度分析仪对CaB6多晶粉末进行表征。结果表明：Ca3B2O6副产物经二次还原焙烧后转化为CaB6,有利于提高CaB6的产率。随二次还原焙烧温度提高和时间延长,CaB6晶粒逐渐发育完善并长大;焙烧温度过高,产物中Mg3B2O6副产物进一步增多,降低了焙烧效果。合适的还原焙烧条件为：焙烧温度800℃;焙烧时间3～4 h。还原焙烧后得到的CaB6为多晶粉末,纯度大于95.3%。     

烧结温度对LaCrO3陶瓷介电性能的影响

采用La_2O_3和Cr_2O_3为原料,固相法制备了LaCrO_3陶瓷粉末,并在不同烧结温度下得到LaCrO_3陶瓷,通过X射线衍射分析仪、扫描电镜及介电频谱仪对其物相、微结构及介电性能进行了研究。结果表明:1 200℃烧结4 h,LaCrO_3陶瓷的致密度最佳,其颗粒尺寸约为1μm～2μm。随着烧结温度增加,LaCrO_3陶瓷的介电常数和介电损耗随频率增大而减小,这可能归因于纯LaCrO_3陶瓷中的氧空位难以形成,氧空位数非常少。     

Yb^3＋：La2CaB10O19晶体的生长

以CaB4O7为助熔剂生长出尺寸为31 mm×32 mm×12 mm、质量较好的掺Yb3+的摩尔分数分别为10%,15%的Yb3+∶La2CaB10O19(Yb3+∶LCB)单晶,生长工艺参数是降温速率＜0.5 ℃/d,转速＜12 r/min.测试了晶体的X射线粉末衍射谱、透射光谱和粉末倍频效应,结果表明Yb3+∶LCB晶体的粉末衍射峰与LCB的衍射峰一致;Yb3+∶LCB晶体在925, 975 nm附近有明显的吸收峰,其中975 nm附近吸收很强;倍频效应与KDP同一量级.     

流延法制备高致密固态电解质LATP的研究

采用溶胶凝胶法合成了超细固态电解质Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3(LATP)前驱体粉体,通过配制浆料和流延工艺制备了加工性能良好的LATP素坯体。利用差示扫描量热分析了LATP前驱体的热分解过程,采用X射线衍射、扫描电镜、交流阻抗法对不同烧结工艺条件下LATP玻璃-陶瓷片的结构、形貌和电导率进行分析表征。结果表明,采用溶胶凝胶法制备的LATP前驱体粉体的平均粒径为200 nm,且分布均匀。纳米级的粒径尺寸使得LATP前驱体粉末在烧结过程中具有更好的反应活性,结晶温度比固相烧结法制备的LATP下降了150℃,烧结性能好。通过优化烧结工艺,制备的LATP玻璃陶瓷体的相对密度高达99%,室温电导率为2.19×10-4S·cm-1。     

专利信息

轻质碳化硼装甲陶瓷的制备方法，它是将碳化硼粉用溢流分选分级，干燥后破碎，再将破碎的粉末进行分选，按一定级配混合均匀，通过造粒机造粒，再采用单相无助剂热压烧结技术，将造粒后的粉末，均匀装入热压石墨模具中，然后连同石墨模具送人高温高压真空烧结炉中双向加压进行热压烧结，由室温均匀升温数小时，达到预定温度后，保温数小时，将其压至设计的高度，自然降温至室温，将热压烧结品连同石墨模具由炉中取出，采用机械加工方式对其进行磨削，达到尺寸精度要求。用该方法生产的轻质碳化硼装甲陶瓷，具有密度均匀性好、杂质含量低、晶粒度均匀、机械性能稳定可靠的优点，能满足防护装甲材料的防护技术指标要求。     

Yb3+∶La2CaB10O19晶体的生长

以CaB4O7为助熔剂生长出尺寸为31 mm×32 mm×12 mm、质量较好的掺Yb3+的摩尔分数分别为10%,15%的Yb3+∶La2CaB10O19(Yb3+∶LCB)单晶,生长工艺参数是:降温速率＜0.5 ℃/d,转速＜12 r/min.测试了晶体的X射线粉末衍射谱、透射光谱和粉末倍频效应,结果表明:Yb3+∶LCB晶体的粉末衍射峰与LCB的衍射峰一致;Yb3+∶LCB晶体在925, 975 nm附近有明显的吸收峰,其中975 nm附近吸收很强;倍频效应与KDP同一量级.     

磷酸对AlN陶瓷烧结的影响

为了研究磷酸对AlN陶瓷烧结的影响,利用磷酸对AlN粉末进行酸洗处理制备了具有较高抗水解能力的AlN粉末,在碳管炉氮气气氛下进行陶瓷烧结;利用XRD和SEM对AlN陶瓷进行了表征,并进行了密度的测定。结果表明磷酸酸洗降低了AlN的含氧量,优化了粉末烧结性能,有利于AlN陶瓷的致密化。经过磷酸酸洗的粉末在1800℃下烧结,陶瓷样品微观结构良好,相对密度为98.8%,且没有新杂质相形成。     

Nd~(3+):La_2CaB_8O_(16)晶体生长及光谱性能(英文)

采用高温固相法合成了Nd3+:La2CaB8O16(Nd:LCB8)多品料,以CaB4O7为助溶剂,采用丁负部籽晶法生长了Nd:LCB8单晶.X射线衍射和差热分析结果表明:Nd:LCB8和LCB8具有相同的晶体结构:Nd:LCB8晶体的熔点为1046℃.测试f Nd:LCBg晶体的吸收光谱和荧光光谱.在300～1 000nm波段存在多个吸收带,其中 802nm吸收带埘应于AlGaA8激光二极管的输出波长,带宽为19nm.在890,1060nm和1330nm处分别存在 发射峰,室温下测得Nd:LCB8晶体的荧光寿命为75 μs.     

溶胶-凝胶法合成掺铕硼酸镧钙荧光粉及其表征

首次采用溶胶-凝胶法制备Eu:La<,2>CaB<,10>O<19>,借助XRD、SEM和荧光光谱仪等测试手段对荧光粉进行表征与分析.结果表明,煅烧温度对产物的物相有较大影响,700℃煅烧前驱体12 h便具有单一晶相;800℃煅烧前驱体12 h得到的荧光粉,粒径为100 nm左右;用溶胶-凝胶制备的Eu:La<,2>L...     

燃烧法合成掺铕硼酸镧钙荧光粉及其发光性能研究

采用燃烧法合成Eu：La2CaB10O19荧光体,用XRD、SEM并研究了所得荧光粉的形态、粒度和物相,用荧光分光光度计测定了荧光粉的发光性能并与高温固相法制备的粉体对比。结果表明Eu：La2CaB10O19荧光体的晶体结构属于单斜晶系结构。燃烧后所得的前驱体样品在800℃下烧结1.5 h便具有很好的晶相,制备产物粒度在300 nm左右,在395 nm激发下的发射强度跟高温固相法制备的Eu：La2CaB10O19强度接近。     

选择性激光烧结用复合尼龙粉的制备与性能

采用溶剂沉析法制备了低熔点复合尼龙12基料,对其改性处理后获得适合于选择性激光烧结用的复合尼龙粉末。通过正交实验的方法对复合尼龙粉末的烧结工艺进行研究,得到优化的烧结工艺参数,探讨了烧结工艺参数对成型件烧结成型性能的影响,对复合尼龙粉及其烧结成型件进行了SEM分析,发现尼龙12烧结件的烧结精度和力学性能都得到了很大的改善。     

高纯度氧化铝粉体颗粒细化对烧结致密化及透光性能的影响

以法国Baikowski公司高纯度氧化铝粉体为参照,选取大连瑞尔精细陶瓷有限公司产超高纯度氧化铝粉体为研究对象。采用研磨处理,以改善国产氧化铝粉体的形貌、粒径及其分布。分别采用硅钼电炉中常压烧结和真空气氛下在1850℃烧结2种不同的烧结方式评价了研磨后粉体的烧结性能和用于制备半透明氧化铝陶瓷的可行性。结果表明:经过研磨改性处理后,粉体的粒径分布和比表面积接近于法国粉体;在1600℃常压烧结得到的氧化铝陶瓷达到理论密度的97%,具有均一的晶粒尺寸(～5μm)。添加MgO为烧结助剂,在真空下烧结得到了半透明氧化铝陶瓷,在波长为200～1100nm范围直线透过率最大值达到16%。     

单相钛酸镁微波介电陶瓷的制备和性能(英文)

以碱式碳酸镁和二氧化钛为原料,采用机械力化学法合成了超细MgTiO3粉体,研究了超细MgTiO3粉体的低温制备条件和单相MgTiO3陶瓷的介电性能.结果表明:高能球磨30 h后,原料趋向于无定形态,在700℃煅烧1 h后,可以得到单相MgTiO3粉体.MgTiO3粉体的烧结性能和MgTiO3陶瓷的介电性能的改善丰要是因为超细粉体具有较大的比表面积.在1400℃烧结3 h后,可以得到致密的微波介性能优良的MgTiO3陶瓷,介电常数和品质因数与谐振频率的乘积分别为16.94和4.8 × 10 4 GHz.     

多晶YAG陶瓷的制备及力学性能

本实验采用共沉淀方法制备YAG微粉 ,Al和Y元素分布均匀 ,在 90 0℃煅烧 2h即可全部转变为YAG粉体 ,无过渡相 .15 0 0℃热压 1h可获得致密烧结体 ,其抗弯强度为 2 45MPa ,断裂韧性为 2 .0MPa·m1 /2 ,晶粒大小为 3～ 6μm ;14 0 0℃放电等离子烧结 5min可获得相对密度为 93 %的烧结体 ,其抗弯强度为 3 4 8MPa,断裂韧性为 2 .1MPa·m1 /2 ,晶粒大小为 1～ 2 μm .     

共沉淀法锰锌铁氧体的制备及其磁性能

采用共沉淀法制备了锰锌铁氧体前驱体粉末,对其进行压块处理后,通过烧结得到锰锌铁氧体。测试分析了锰锌铁氧体前驱体粉末的粒度,并对锰锌铁氧体的X射线衍射及磁性能进行了测试与分析。结果表明：在适当的条件下,采用化学共沉淀法,可以制得分布均匀的纳米级锰锌铁氧体前驱体微粒。经过烧结的样品为单一的尖晶石相锰锌铁氧体。所制得的锰锌铁氧体具有较高的磁化率,标准的磁滞回线,锰锌铁氧体的磁化率随着含锌量的降低、含铁量的增加而逐渐升高。     

常压烧结制备氧化钨陶瓷靶材的致密化研究

采用常压固相烧结工艺,制备出高纯度、高致密度的氧化钨靶材。考察了粉体粒度、成型压强、烧结温度和保温时间等对靶材致密度的影响。测试结果表明,以粒度0.27μm的粉体为原料,成型压强为60MPa,烧结温度为1200℃,保温时间为1h的条件下,可以制备出高致密度的氧化钨靶材,其组成为高纯的单斜晶相。     

工艺参数对PS/改性滑石粉SLS烧结件力学性能的影响

利用硅烷偶联剂KH560对滑石粉进行表面改性,之后将其与聚苯乙烯(PS)粉机械共混,制备PS/改性滑石粉复合粉末。在预热温度85℃和8层网格支撑等条件下,采用选择性激光烧结(SLS)工艺将粉末制备成烧结件。采用扫描电子显微镜观察了滑石粉与PS的界面,发现通过对滑石粉进行表面改性,不仅可以使其均匀地分散于PS粉中,而且两者的相容性也得到了改善。通过正交实验法研究了SLS工艺参数对PS/改性滑石粉烧结件力学性能的影响。利用极差分析法与综合平衡法得到了多指标下的最优工艺参数组合,即单层厚度0.18 mm,扫描间距0.28 mm,激光功率27 W,扫描速度1 200 mm/s,此时PS/改性滑石粉烧结件的拉伸强度为4.29 MPa,弯曲强度为14.4 MPa,冲击强度为4.4 k J/m~2,相比纯PS粉烧结件分别提高了4.9%,10%和56%。