什么是光电耦合器？

光电耦合器也称为光电隔离器或光耦合器,有时简称光耦。这是一种以光为耦合媒介,通过光信号的传递来实现输入与输出间电隔离的器件,可在电路或系统之间传输电信号,同时确保这些电路或系统彼此间的电绝缘。     

贴片式光电耦合器系列

<正> 光电耦合器是一种由发光器件和光敏器件组合构成的通用光电器件。它以光为媒介,完成电—光—电信号的变换及传输,把输入信号耦合到输出端。该器件具有体积小、无机械触头、抗干扰能力强、工作寿命长、输入及输出之间绝缘、能传输模拟信号及数字信号的特点,广泛地用于隔离电路、开关电路、电源电路、逻辑电路、电平转换电路、过流保护电路等。     

场效应管开关取样保持电路

图1是结型场效应管开关的取样保持电路。输入信号通过互补射极输出器BG_1、BG_2的射极加到取样开关管BG_2的S端。在取样脉冲到来前,BG_1管是截止的。由于-E比输入电压的最小值还低一定数值,这时电流顺着S—→Rg—→D_2—→R_(?)—→一E流过,在电阻R_g上生成的压降足以使■BG_2管截止。     

话机号盘脉冲校正电路

射极耦合单稳态电路如图1所示,能对话机号盘送出脉冲进行校正.经试用性能稳定可靠.电路主要原理:BG_1和BG_2是通过R_?构成射极耦合单稳态电路,G_?和R_?组成微分电路,D_1为隔离     

怎样选用元器件讲座（四）——光电耦合器

光电耦合器是一种把发光器件(一般为红外发光二极管)和光敏器件密封在同一壳体机内的光电转换元件。常见的光电耦合器原理如图1所示。(电信号→光信号→电信号)。由于光电耦合器输入端与输出端实现了电隔离,极大地增强了器件的抗干扰能力和隔离性能。该器件适用于电压或阻抗不同的电路间的隔离和信号传输,并可抑制线路间和接地回路中的噪声所引起的干扰。     

介绍雷达伺服系统中应用集成运算放大器的几个电路

一、高效率峰值检波电路原理线路如下图所示。图中 BG_1、BG_2为开关三极管3AK 7,输入是被扫描频率调制的视频脉冲信号,开关信号与视频脉冲同步,每当开关脉冲通过脉冲变压器使BG_1、BG_2导通时,输入视频脉冲信号就通过 C_1、BG_1、BG_2向电容 C_2充电。当开关脉冲过去时,BG_1、BG_2截止。输入视频输入脉冲信号在脉冲间隔期间保持。当下一个开     

低功耗准线性CMOS光电耦合放大器

设计了一款CMOS光电耦合隔离放大器(简称光电耦合放大器),其中输入放大器采用"套筒式"共源一共栅CMOS运放A1,输出放大器选用两级共源一共源CMOS运放A2,A1的输出信号经过两个光电耦合器反馈到输入回路,且A1、A2分别引入负反馈.此外,还采取了其他的改进措施.实验结果表明,与BiCMOS光电耦合放大器相比,所设计的CMOS光电耦舍放大器的±3 dB带宽约增加14 kHz,功耗降低5.46 mW,增益线性度提高到5.9×10-5,因而特别适合于高线性度、低功耗的光电信号处理和智能检测系统中.     

超长延时电路

图1为单结晶体管延时电路,简单可靠,能以较小的R、C位获得超长延时输出,原理介绍如下: 在图1中,R_1、C_1、BG_1组成弛张振荡器,其周期T=t_1+t_2;其中t_1=R_1C_1ln1/(1-η_1),η_1为BG_1的分压比,t_2≈R_(b1)C_1,BG_2、BG_3为脉冲整形级。R_4、D_1、R5、C_2构成积分延时电路。BG_4为C_2的电压幅度鉴别输出。当电源通过R_1向C_1充电至BG_1的峰点电压V_(p1)时,C_1立即通过R_(b1)放电,BG_3截止,使得电源通过R_4、D_1、R_5向C_2充电,随着C_1放电结束,BG_3恢复导     

用示波器测光电耦合器的——Tr和Tf

平常,在光电耦合器上输入一个理想的方波信号,其输出信号将发生畸变,如图1所示。因此,在实际使用中常需要测量光电耦合器的脉冲上升时间Tr和脉冲下降时间Tf。现介绍一种用示波器测量Tr和Tf和方法,测量电路如图2所示。电路中三端稳压器SW7805C输出5V电压供测试电路用。测量用方波,由一块2输入     

可传输150kHz频率的光电耦合电路

可传输１５０ｋＨｚ频率的光电耦合电路广州电器科学研究所郝春旗在数字信号传输、Ａ／Ｅ转换等应用中，常使用光电格合器对信号进行隔离传送，但常规的光电耦合器（如４Ｈ用等）延迟时间一般为几至几十微秒，对频率大于３０ｋＨｚ的信号传输已无法正常工作，通常的方法是...     

南京工学院1982年通信与电子系统各学科硕士学位研究生入学试题及题解

试题名称:电子线路一、试回答下列问题:1.在图1(a)所示电路中,假定三极管BG_1、BG_2、BG_3的β足够大,可忽略各管的基极电流.(1)为保证BG_1管正常工作,R应为何值?(2)若R偏离计算值,则会产生什么后果?2.在图1(b)所示的自举电路中,已知:R_1=10千欧,R_2=20千欧,R_3=100千欧,R_0=1千欧,E_0=     

光电耦合器在彩电与录像机开关电源中的应用

光电耦合器是一种新型半导体光电器件。它具有体积小、使用寿命长、抗干扰能力强、输入输出在电气上完全隔离等优点,在大屏幕彩色电视机、录像机的开关电源电路中得到广泛的应用。光电耦合器由发光源和受光器两部分组成,它将发光源与受光器组装在同一个密封的管壳内或采用塑料封装,连接发光源的管脚作为输入端,连接受光器的管脚作输出端。当在输入端外加一正向电压信号有电流流过时,发光源发光,受光器在光照下,由于其等效内阻减小,有电流从输出端输出。目前在彩电和录像机开关电源中的光电耦合器,其发光源采用砷化镓红外     

介绍三种电子电路

(一)单次延时脉冲发生器要产生一个脉宽可变的延时脉冲,通常要用四个晶体管组成一对单稳态电路来实现.本电路(图1)仅用三个晶体管便可方便地实现延时和输出脉宽的调节.其工作原理如下:电路加正触发脉冲之前,BG_1截止,BG_2和BG_3导通.当正触发脉冲加入时,BG_1立即导通,电容器C_1两端已充电压便反向加在BG_2的基射极之间,使BG_2截止.然后C_1上电压通过BG_1、R_3和R_4放电,这便是暂稳态过程.一旦放电到BG_2的U??大于+0.7伏就使BG_2重新导通,BG_1重新截止.     

由光耦组成的模拟信号放大电路的设计

通过对开关电源电路的工作原理进行分析,结合光电耦令器所起到的几个主要作用,给出了一种可把电信号转换成为光信号的光电耦合器的设计方法,该光电耦合器可在开关电源中得到广泛应用。     

基于光电耦合的耐压绝缘测试系统设计

应用集成光电耦合器TLP521-4,设计了一种基于光电耦合的耐压绝缘测试系统,详细说明了光电耦合隔离的耐压绝缘测试系统的设计思路和硬件电路结构.这种基于光电耦合的耐压绝缘测试系统具有抗电磁干扰强、成本低廉的优点,能极大提高测试系统的工作稳定性.     

三角波转换为正弦波的电路

利用半导体二极管网络,能比较容易地将三角波变换成正弦波.三角波可以由方脉冲积分产生,然后送入本网络.输入信号的幅度由电位器W_1调节. 电路见附图,晶体管BG_1、BG_2是射随器,起到阻抗变换的作用.同时,它们的发射结也对二极管D_1～D_6起到了温度补偿的作用.通过R_6～R_(11)电阻串的分压作用,在图中1、2、3等点,得到不同的电压V_1、V_2、V_3等.当加到网络的输入三角波电压V_4≤V_1+     

煤气报警装置

这一装置是利用一氧化碳气体的比重大于普通空气这一原理使用压敏元件将压力差的变化转变为电信号加以放大,推动执行机构,以达到报警的目的. 工作原理如附图.电源取自市电,经C_1限流后供给10毫安左右电流,再经二极管桥式整流后输出直流电压.此电压由2CW18和2CW13串联稳压后,限制在18伏左右.为了改善纹波,接上滤波电容C_2.R_1、R_2、R_3、R_4组成电阻桥,R_1、R_2为100千欧同轴电位器,R_3、R_4的值应小于R_5、R_6,R_4为压敏电阻.当R_3、R_4的值固定后,R_1、R_2可决定BG_1、BG_2的直流工作点.压差信号将从AB点取出,送入由BG_1、BG_2组成的差分放大器进行放大,放大后的直流信号推动BG_3,     

光电耦合器的发展及应用

半导体光电耦合器现已发展成为一类特殊的半导体隔离器件。它体积小、寿命长、无触点、抗干扰、能隔离，并且有单向信号传输和容易连接等功能。文中介绍了光电耦合器的典型结构和特点以及国内外的发展现状，最后给出了半导休光电隔离耦合器件的多种应用电路实例。     

电压—频率转换电路

“电压-频率转换电路”(图1)是将线性电压从零伏到3伏的变化,通过一个简易的转换电路得到每秒从零次到1千赫的重复频率。它的线性在0.3％左右,稳定度主要是决定于电源电压。转换电路是由BG_1、BG_2、BG_3组成,BG_1是发射极跟随器,BG_2是作为电流源,当信号电压进入BG_2基极时,则BG_2相应地在集电极产生电流对电容器C_A充电,引起BG_3达到峰点,并通过BG_3的发射极e和第一基极b_1及360欧电阻放电,同时在BG_3的b_1极输出正脉冲,b_2极输出负脉冲。输出脉冲数与输入线性     

日立VT—M777EM（DH）型录像机卡拉OK电路分析

进口录像机的新产品大多带有卡拉OK功能,如松下的NV-J23、NV-J27,夏普的VC-K88、VC-K89、VC-K800,日立的VT-M777等型录像机。本文结合卡拉OK原理,对日立VT-M777机的卡拉OK电路进行分析。一、BBD器件 BBD(Bucket Brigade Device)器件是计链式电荷耦合型音频延迟线的英文缩写,采用金属-氧化物-半导体场效应管(MOS FET)和MOS电容组成,其基本结构如图1所示。在MOS场效应管的栅极加CP1、CP2时钟脉冲,波形见图2(a)、(b)。若输入信号U_λ是一个正弦波的音频信号,CP1时钟信号使BG_1、BG_3、BG_5晶体管(以下简称奇数管)导通,CP2时钟信号则使BG_2、BG_4、BG_6晶体管(以下简称偶数管)导通。