硅外延生长设备的最新进展

在 MOS 电路(特别是 CMOS 电路)迫切地要求采用外延材料的促进下,硅外延生长设备得到了飞速的发展。本文综述了几种工业上大量采用的常规外延反应器和最近新发展的几种新型外延反应器的性能。     

硅电阻率与杂质浓度之间关系换算程序

上冶二厂技监科硅检验站,最近引进一台美国MDC公司的RM-1600型自动C-V测试仪。该仪配有IBM-PC个人计算机,能自动测试硅外延片,砷化镓和MOS器件等四十多种参数。偏压能从0加到100V,并能克服漏电流对测试的影响。目前主要用于外延片C-V特性曲线和杂质浓度取向分布的测试。     

氢化物气相外延氮化镓衬底的制备研究

目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等.各种技术包括缓冲层、外延横向生长技术、悬挂外延技术等是目前最重要的制备氮化镓技术.氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓衬底最有希望的方法之一.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了氮化镓体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延原理,分析了HVPE制备自支撑(FS)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展.     

硅外延及其应用

介绍了硅外延生长技术,综述了应用于硅外延的分子束外延（MBE）、化学气相沉积（CVD）、液相沉积（LPE）三种工艺,并介绍了Si基外延材料器件的应用。     

我国半导体发光器件拥有了“中国心”

国家重大科技项目“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”的鉴定验收 ,近日在山东省济南市顺利通过。这标志着我国半导体发光器件拥有了自己的“中国芯” ,打破了半导体外延材料与管芯技术被欧美发达国家和地区垄断的局面。使我国具备大批量提供各类高亮度发光二极管、激光二极管外延材料及管芯产品的生产能力。“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”是我国光电子产业化前期关键技术开发项目 ,目前 ,这一项目已形成了一定生产规模 ,可年产各类高亮度及超高亮度发光二极管、激光二极管外延片 4万片 ,管芯 2亿粒。该项目整体设计合理 ,在产业化…     

等离子体增强化学气相淀积硅外延新技术

本文评述了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)硅外延技术的发展。叙述了PECVD外延的基本原理、设备与工艺以及目前取得的最新实验结果。同时也指出了PECVD外延在用于工业生产时所必须克服的困难。     

φ50mm多层GaAs气相外延技术

介绍了自行设计制造的φ50～76mm GaAs气相外延系统特点,多层GaAs外延生长技术,微机控制程序,分析了外延材料的均匀性;报道了此类材料在多种GaAs MESFET和GaAs IC研制方面的应用结果。     

硅外延片中的杂质控制

有5类掺杂源影响硅的外延片中的杂质分布。主掺杂质控制外延层的杂质浓度，决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。该文介绍了此3类掺杂源的掺杂过程和抑制方法。金属杂质在外延层中对器件有害，防止沾污和使用吸杂技术能降低金属杂质在外延层中的浓度。     

MO-CVD法制备器件质量的GaAs薄膜

随着GaAs及有关化合物半导体材料在微波、光电器件及集成电路领域中日益广泛的应用,研究一种更加简单易控、重复性好、适合于工业性生产的GaAs外延技术是十分必要的。Rockwell国际电子研究中心1968年报道的MO-CVD技术,兼有硅外延技术的工业生产性,GaAs液相外延和分子束外延的优点。十多年来,美、日、苏、英、德、法等国都对此技术进行了研究,并已获得广泛应用。我所从1972年起逐步开展了该技术的研究,至今已能制备器件质量的GaAs薄膜,并于1980年6月通过了部级技术鉴定,本文简要介绍我们的研究结果。     

GaAs光阴极材料的液相外延

利用液相外延技术生长出了GaAs光阴极材料,并对外延后的材料进行了观察与分析,测试了外延层厚度的均匀性,外延层表面及内部的氧、碳污染以及外延层中载流子浓度的纵向分布情况。结果表明,用此法生长的外延层表面光亮、平整、界面清晰、平直、厚度均匀,载流子浓度达7.6×10~(16)cm~(-3),少子扩散长度达2.1μm。     

银山铜硫系统采用新型药剂的生产实践

介绍了新型捕收剂MA-1和MOS组合在银山矿业的应用,通过小型试验以及生产应用,证实了采用新型捕收剂MA-1和MOS组方的铜、金的回收率优于黄药组方。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物的原子层外延

本文介绍了原子层外延(ALE)的基本原理、应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物生长技术及 ALE 的工艺特点与生长机理。指出了 ALE 是继 MBE、MOCVD 之后又一新的可控制到单原子层生长的外延技术,它将影响 GaAs 材料和器件的未来。     

亚45 nm技术节点平面式硅基CMOS电路制作的材料选择

随着45nm技术的临近，减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限。传统掺杂多晶硅，二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化。此外，沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MOS性能的提升。因此，需采用高k介质、金属栅和应变硅等新材料、新技术以改善Si基MOS管性能。本文在介绍这3种新材料优势的同时，分析了适合未来平面式硅基CMOS技术中的高介电常数材料和金属栅材料的种类，指出了未来电路中新材料的进一步发展方向。     

综合吸除对硅外延片（N／N^＋）性能的影响

本文介绍了使用扫描电镜（ＳＥＭ）、扩展电阻（ＳＲ）、瞬态电容（ｃ－ｔ）和化学腐蚀等技术，对采用不同吸除工艺的重掺Ｓｂ衬底的硅外延片（Ｎ／Ｎ＋）性能进行了研究。结果表明，综合吸除技术不仅能有效地改善Ｗ／Ｎ＋硅外延片的电性能（τｇ）和明显地降低外延层上的表面缺陷密度，而且对硅片剖面的电阻率分布也无影响。文中还对综合吸除的机理作了初步探讨。     

用脉冲掺杂技术研究GaAs气相外延生长速率

研究了 Ga-AsCl_3-H_2开管外延系统中 GaAs 的生长速率问题。采用对掺杂量进行调制,同时结合多层结构浓度剖面分布测量,证明了生长速率不随时间变化。由于这一技术的通用性,因而可用于其它外延材料生长速率的研究。     

氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过鉴定

8月 2 9日 ,氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过了中国科学院计划局和基础局在物理所主持召开的成果鉴定会。鉴定委员会一致认为 ,中科院物理所与上海蓝宝光电材料有限公司联合开发的蓝光发光二极管解决了从外延材料到器件工艺的关键技术 ,已申请并被受理了 4项发明专利 ,产品已得到了市场的认可 ,其器件性能达到国际先进水平。这项技术的发展对推动我国蓝光LED产业化的实施有重要意义。氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过鉴定     

四阱耦合InGaAs/InAlAs/InP量子级联激光器材料的结构特性研究

报道了用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器 (QCL)材料的结构特性。X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明所生长的QCL有源区的界面 (含 770层外延层 )、厚度达到单厚子层控制 ,组份波动≤ 1% ,晶格失配≤ 1× 10 - 3。采用特殊的优化工艺 ,Φ5 0mm外延片的表面缺路陷密度降至 1× 10cm- 2 ,达到了器件质量的要求。     

甘露寡糖对肉鹑内脏器官的影响

[目的]研究甘露寡糖(MOS)对肉鹑内脏器官的影响,探讨日粮中添加MOS在肉鹑生产中的效果.[方法]选用1日龄肉鹑240羽,随机分成4组,每组设4个重复,每个重复15羽鹌鹑.对照组饲喂基础日粮,试验组在基础日粮中分别添加0.5%、1.0%、2.0%的MOS.[结果]随着日粮中MOS添加量的增加,肉鹑的心脏、肝脏、脾脏鲜重呈先增高后降低的趋势(P>0.05),其中0.5%MOS组50日龄肉鹑心脏、肝脏、胰腺鲜重分别比对照组提高10.00%、17.00%、5.00%,1.0%MOS组35日龄肉鹑法氏囊鲜重比对照组提高13.04%,1.O%MOS组50日龄肉鹑心脏鲜重比对照组提高11.00%,2.0%MOS组35和50日龄肉鹑心脏鲜重分别比对照组提高7.14%和8.130%.35日龄肉鹑心脏、肝脏干重随日粮MOS添加量的增加呈升高趋势(P>0.05),0.5%MOS组心脏、肝脏分别比对照组提高7.84%、6.48%;MOS显著提高了50日龄肉鹑心脏干重(P<0.05).随着日粮MOS添加量的增加,35日龄肉鹑心脏、肝脏、脾脏指数均呈先降低后增高的趋势(P>0.05);法氏囊和胰腺指数呈不规则变化(P>0.05);50日龄肉鹑心脏、肝脏、脾脏、法氏囊、胰腺指数均呈波浪式变化,其中0.5%MOS组肉鹑心脏指数显著低于对照组和1.0%MOS组(P<0.05).[结论]在肉鹑饲粮中不添加抗生素的情况下,添加适量的MOS,对内脏器官无损害作用,甚至可提高肉鹑心脏干重,其中MOS的添加量以1.0%效果较好.     

SGGG多晶料合成及晶体生长

掺杂钆镓石榴石(SGGG)晶体是一种性能优越的YIG液相外延片材料,解决SGGG基片内部均一性问题对生长合格的YIG外延片具有重要意义。本文采用固相法合成多晶料技术,考察了碳酸钙、碳酸镁、草酸钆等盐类化合物高温下反应生成SGGG多晶料规律,查明了掺杂元素、长晶温场对SGGG品质的影响。结果表明,使用碳酸钙、碳酸镁、草酸钆等盐类化合物有助于提高SGGG多晶料合成品质,弧顶式长晶温场生长的SGGG晶体内部质量良好,且所得切片晶胞参数满足YIG外延片使用需求。     

MOCVD法生长Ⅲ—Ⅴ族化合物材料近红外光致发光的测量

本文利用近红外光致发光技术测量了ＭＯＣＶＤ生长的Ⅲ－Ⅴ族化合化物Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ和ＩｎＰ中的深能级发光，研究这些深能级发光对激发强度和温度的依赖关系；讨论了Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ外延层深能级发光的辐射机理和来源，得出了ＩｎＰ外延层的Ｃ带发光的热激活能。