硅表面氧吸附的自洽键轨道计算

一种简单的考虑到电荷转移引起原子波函数变化的自治键轨道计算用于 Si(111)表面原子氧吸附的研究.在顶位吸附的模型下,适当选择Si-O键的长度可以得到在价带光电子发射谱中几个主要峰的相对能量位置.结果表明,顶位吸附的 Si-O键的长度只略小于体内Si-Si键的长度,而不是通常猜测的那样接近SiO_2体内的键长.同样的计算也能给出氧化后的Si-O键的能量.     

水分子在Si（100）面上吸附位的确定

本文用Ｓｉ６６Ｈ５０原子集团模拟Ｓｉ（１００）表面，采用ＣＮＤＯ分子轨道理论方法计算了Ｈ２Ｏ在其上吸附的势能面．确定出Ｈ２Ｏ在Ｓｉ（１００）表面的最佳吸附位为洞位．在桥位Ⅰ、桥位Ⅱ和顶位上吸附时势能依次升高．     

Ce在Si(111)面上吸附的EHT研究方法

采用集团模型和半经验的EHT方法研究Ce原子在Si(111)顶位和三度位吸附,由体系总能量最低确定了稳定的吸附位置,并在最稳定的三度吸附位讨论了Ce-Si成键特性和状态密度.结果表明,Ce原子的5d和4f轨道与Si原子的3p轨道相互作用,在费米能级以下形成了混杂的能级,同时5d和4f轨道的能量降低,获得少量6s轨道的电荷,而整个Ce原子失去约0.8个电子.计算所得结果及态密度在吸附前后的变化与第一性原理的DVM计算符合较好.     

H原子吸附对Si（113）表面的影响

本文采用半经验分子轨道理论方法ＡＭＩ研究用Ｓｉ１６Ｈ２１模拟的Ｓｉ（１１３）高指数表面及其吸附Ｈ原子的体系，得到生成热和表面原子上受力随吸附的变化．从生成热分析得知，Ｓｉ（１１３）表面上形成Ｓｉ─Ｈ２吸附比Ｓｉ─Ｈ容易，且为放热吸附；受力分析指出了表面原子再构发生的趋向，而吸附则引起趋向改变．     

Si(111)表面电子结构

本文利用自洽LMTO-ASA方法研究了晶体Si及Si(111)表面的几种模型的电子结构,给出了在slab模型各不同结构下的态密度和分波态密度,以及各不等价原子态密度和分波态密度,该结果与其它理论计算和实验结果相吻合     

生长于Si(111)上的氮化硅薄膜表面结构

利用扫描隧道显微镜 ( STM)等分析手段 ,我们对 Si( 1 1 1 )在 NH3气氛下氮化后的表面结构进行了研究 .Si( 1 1 1 )在 1 0 75K暴露于 NH3后 ,表现所形成的氮化硅存在周期为 1 .0 2 nm的(“8/3× 8/3”)再构 ,当温度提高到 1 1 2 5K以上时 ,表面出现周期为 3.0 7nm的超结构 .这两种表面超结构都可以形成“8× 8”低能电子衍射花样 .系统的研究证明 3.0 7nm超结构是在 Si( 1 1 1 )表面形成晶态 β- Si3N4 薄膜 ( 0 0 0 1 )表面的 4× 4再构 ,而 1 .0 2 nm周期是 Si( 1 1 1 )表面未获得有效氮化的一种结构     

生长于Si(111)上的氮化硅薄膜表面结构

利用扫描隧道显微镜(STM)等分析手段,我们对Si(111)在NH3气氛下氮化后的表面结构进行了研究.Si(111)在1075K暴露于NH3后,表现所形成的氮化硅存在周期为1.02nm的(“8/3×8/3”)再构,当温度提高到1125K以上时,表面出现周期为3.07nm的超结构.这两种表面超结构都可以形成“8×8”低能电子衍射花样.系统的研究证明3.07nm超结构是在Si(111)表面形成晶态β-Si3N4薄膜(0001)表面的4×4再构,而1.02nm周期是Si(111)表面未获得有效氮化的一种结构.     

Si(111)湿法腐蚀后表面形态的FTIR研究

运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术 (ATR-FTIR) ,研究了 Si(1 1 1 )在不同比例的 NH4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态。通过分析表面振动模型的偏振波长及红外粗糙因子 ,表明在较低的 PH值的NH4F-HCl溶液中腐蚀的 Si(1 1 1 )表面粗糙度较大 ,与通过扫描隧道显微镜 (STM)技术测量的结果基本一致     

碱性腐蚀工艺条件对硅片表面腐蚀形貌的影响

碱性腐蚀工艺条件对硅片表面腐蚀形貌如粗糙度、显微镜下的表面状况的影响做了研究,通过实验结果给出了特定要求条件下硅片腐蚀的最佳方案.运用硅的化学腐蚀机理分析了表面腐蚀状况的原因.     

硅表面原子芯态能级的化学位移

本文以共价晶体硅的(100)面为例,直接采用原子波函数,在键轨道模型近似下计算了清洁和存在氧吸附的表面Si原子的2p能级结合能的位移,得到了与实验数据相吻合的结果,从而证明了利用这种方法研究芯能级结合能的位移是行之有效的.     

氢在金刚石表面的吸附

运用集团模型和自洽EHT方法研究氢原子在金刚石表面的吸附.计算表明,氢在金刚石表面倾向于顶位吸附,且根据吸附后电子态的变化,可以对金刚石表面其禁带中是否存在本征表面态这一理论与实验的不一致给予一定的解释.     

用XPS对CdTe（111）面进行化学特性分析

用ＸＰＳ化学位移和定量分析方法，研究了露于室温空气中的ＣｄＴｅ（１１１）面的化学特征。首次报道了经机械抛光表面上形成的表面化合物为ＴｅＯ２（Ｔｅ３ｄ５／２５７５．８ｅＶ，Ｏ１ｓ５３０．１ｅＶ）和Ｃｄ（ＯＨ）２（Ｃｄ３ｄ５／２４０５１ｅＶ．Ｏ１ｓ５３１．４ｅＶ）。并与基体里的ＣｄＴｅ共存；经２％Ｂｒ－乙醇溶液化学抛光，表面上形成的化合物为ＣｄＴｅＯ４（Ｃｄ３ｄ５／２４０５．３ｅＶ，Ｔｅ３ｄ５／２５７６５ｅＶ，Ｏ１ｓ５３１．２ｅＶ）和ＴｅＯｘ（ｘ＜１）（Ｔｅ３ｄ５／２５７４～５７５ｅＶ，Ｏ１ｓ５２８１ｅＶ），并且ＸＰＳ谱中没有基体里的ＣｄＴｅ的特征，其中ＴｅＯＸ为Ｔｅ氧化物的过渡态。结果表明，在相同氧化环境中，表面上形成的化合物强烈依赖表面状况。     

硅抛光片表面质量测试技术综述

随着硅抛光片尺寸逐渐增大,硅抛光片表面质量测试逐步被人们所关注。表面金属离子含量以及表面颗粒度成为衡量硅抛光片表面质量的重要指标,对表面金属离子含量以及表面颗粒度的测试原理以及设备进展进行了介绍。     

晶圆超精密磨削加工表面层损伤的研究

介绍了晶圆减薄机的工艺过程和原理,研究了磨削工艺中砂轮粒度、砂轮进给率、砂轮转速和工作台转速对硅片表面层损伤深度的影响.     

THE STUDY OF Si(100)AND(111)SURFACES AND Ni MOLECULAR BEAM EPITAXY ON THEM BY RHEED

Clean Si(100)and(111)surfaces produced by the Ar~+ ion bombardment and high temperatureanealing techniques,and the epitaxial growth of Ni on them at room temperatue using molecular beammethod are studied by reflection high energy electron diffraction(RHEED).On the basis of experimentresults,Si(111)7×7 and its negative zone RHEED pattern,Si(100)2×1,Si(111)19~(1/2)×19~(1/2)Ni and Si(100)4×2Ni structures have been obtained,and the lattice structure of nickel silicides produced by epitaxy withlow growth rate(0.15-0.5per min)is the same as that of silicon substrate.