NPC三电平逆变器IGBT损耗计算

为计算NPC三电平逆变器IGBT模块损耗,提出了一种精确计算方法。首先,结合NPC三电平工作时序,对NPC三电平电路在一个输出周期内进行详细分析,得到正负半周内IGBT模块的工作状态与电流流通路径,给出损耗发生的具体对象与类型,并建立IGBT工作电流函数;其次,基于对IGBT模块损耗相关的耦合参数的分析,建立损耗与各个参数的函数关系;最后,结合IGBT模块的热力学模型,通过样机实测温度,得出最终结果。结果表明,所建立的IGBT模块损耗强相关参数函数准确;NPC三电平逆变电路工作时序与IGBT模块损耗分析合理,由此计算的结果可精确反应IGBT实际损耗。     

赛米控又推新品

赛米控推出用于三电平UPS逆变器的IGBT功率模块;赛米控推出新型数字化驱动器SKYPER52;     

赛米控推出SEMITOP高频率IGBT功率模块

赛米控近期研发的集成在SEMITOP。功率模块中的超快速600V IGBT技术是为焊机、电池充电器和开关电源而开发的。这些高开关频率IGBT模块是专为开关频率为30kHz或更高的应用而设计。     

SEMITOP替代分立功率器件的良好选择

1引言 SEMITOP家族包含有SEMITOP 1,SEMITOP 2,SEMITOP3和最新的SEMITOP4。每类产品均有2个耐压等级：600V和1200V,使用的是NPT或Trench IGBT芯片。新推出的SEMITOP 4驱动电机时功率可达22kW,将最新的IGBT芯片封装在一个紧凑的包装里。它是目前的SEMITOP1、2、3模块的延续产品。     

IGBT在客车DC600V系统逆变器中的应用与保护

简要介绍绝缘栅极晶体管（IGBT）的结构、特点及其在铁路供电系统中的应用。重点讨论IGBT模块在铁路客车DC600V供电系统逆变器中的应用与保护。IGBT模块具有损耗小。便于组装,开关转换均匀等优点。应用结果表明,IGBT模块有过压、欠压保护,过流、过载、过热等保护功能,保证DC600V供电系统安全、可靠地运行。     

IGBT在客车DC 600 V系统逆变器中的应用与保护

简要介绍绝缘栅极晶体管(IGBT)的结构、特点及其在铁路供电系统中的应用.重点讨论IGBT模块在铁路客车DC 600V供电系统逆变器中的应用与保护.IGBT模块具有损耗小,便于组装,开关转换均匀等优点.应用结果表明,IGBT模块有过压、欠压保护,过流、过栽、过热等保护功能,保证DC 600 V供电系统安全、可靠地运行.     

PrimePACK~(TM)封装优化集成模块内的IGBT叠层可提高功率密度

本文讨论了最新PrimePACK^TM模块如何集成到现有的逆变器平台中,描述了包括控制和保护在内的逆变器模块的架构概念。该模块的机械特性允许对热管理进行优化,进而充分发挥IGBT输出电流能力,分析并比较了IGBT驱动的不同方案。最后,给出逆变器的测试结果。     

用于工业的具有高频开关性能的1200V IGBT模块

带有平面门极和场止结构的新型IGBT器件已应用到最新研发的1200V模块上。与沟槽门极IGBT模块降低大约20%的功率损耗。     

PrimePACK^TM封装优化集成模块内的IGBT叠层可提高功率密度

本文讨论了最新PrimePACK^TM模块如何集成到现有的逆变器平台中,描述了包括控制和保护在内的逆变器模块的架构概念。该模块的机械特性允许对热管理进行优化,进而充分发挥IGBT输出电流能力,分析并比较了IGBT驱动的不同方案。最后,给出逆变器的测试结果。     

可替代分立功率器件的SEMITOP

赛米控公司的SEMITOP是将多个功率芯片（如IGBT、二极管、输入整流桥等）集成在一起的单个功率模块。该模块的高集成度封装减少了器件数量和分立功率器件方案所需的巨大空间，同时也保证了良好的连结性及可靠性。由于SEMITOP使用的是先进的处理材料（例如DBC陶瓷衬底和内部的硅胶覆盖物），故其对于外部温度的改变和机械应力有较强的免疫力和品质保证。图1所示是SEMITOP的外形封装图。     

SEMITOP——替代分立功率器件的最佳选择

赛米控公司的SEMITOP将多个芯片,例如IGBT、二极管、输入整流桥等集成在一个单个的模块中。高集成度封装减少了器件数量和分立功率器件方案所需的巨大空间,同时还保证了良好的连结性以及可靠性。由于SEMITOP所使用的先进的处理材料,     

大功率IGBT驱动电路设计与应用

绝缘栅型双极性晶体管Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)作为电力变换装置的核心器件,它的可靠稳定工作直接影响着系统的性能,这对IGBT的驱动电路提出了很高的要求。针对500kW光伏逆变器,基于该逆变器的结构拓扑和IGBT型号,给出了一种IGBT驱动电路的设计方案,研究了驱动电路和保护电路的主要设计原理和注意问题。最后,结合实际应用,给出了该驱动电路的驱动波形和逆变交流侧电流波形,分析和讨论了该驱动电路设计的可靠性与合理性。     

1200V和1700V新型IGBT模块沟槽及电场截止型IGBT低注入续流二极管

介绍了最近开发的1200V和1700VIGBT模块的特性。该模块由沟槽栅极和电场截止结构的新型IGBT器件组装而成。由于采用了先进的封装技术，这种新型IGBT模块导致了更高的功率集成。进而，总功率损耗比常规IGBT模块的约减少了25％。     

对大功率IGBT模块损耗的研究

大功率IGBT模块损耗的确定是三相PWM变流器设计的一个关键参数。文中对两种类型转换器的功率半导体损耗进行了完整的分析计算。所提出的计算基础是将大功率IGBT的损耗简化为传导损耗和转换损耗。这种近似计算方法有助于预测和进一步研究两种变流器的功率IGBT的损耗性能。仿真计算结果指出了大功率IGBT损耗与变流器类型、工作点和脉冲宽度调制度的相关性,证明了所提出的计算方法的有效性。     

高压IGBT集成驱动模块2SD315AI-33的应用研究

介绍了一种新型高性能高压IGBT集成驱动模块2SD315AI-33的管脚功能和工作原理 ,同时还给出了该模块与同类产品相比的显著性能特点 ,介绍了2SD315AI-33在“双逆变器 -电机”能量互馈式交流传动试验系统中的应用方法 ,讨论了在实际应用中的注意事项     

2SD315A在驱动大功率IGBT中的应用

讨论了IGBT的驱动要求,并从结构特点到使用注意事项及应用实例等方面介绍了用于大功率IGBT驱动电路中的2SD315A模块.     

4500V SPT IGBT 动静态损耗优化

本文关注高压IGBT动静态性能的优化。对4500V增强型平面IGBT进行研究,该结构在阴极一侧具有载流子存储层。其中垂直结构采用软穿通(SPT)结构,顶部结构采用增强型平面结构,该结构被称为SPT IGBT,仿真结果显示4500V SPT 具有软关断波形,与SPT结构相比提升了导通压降和关断损耗之间的折衷关系。同时,对不同载流子存储层掺杂浓度对动静态性能的影响也进行了研究,以此来优化SPT IGBT的动静态损耗。     

三电平逆变器IGBT驱动和保护电路的实现

本文针对IGBT对驱动电路的要求，提出并分析了一种廉价的、适用于三电平逆变器的IGBT驱动和保护电路，并给出了设计时需要注意的问题。     

双馈风电变流器IGBT模块损耗及结温的计算分析及变化规律研究

针对双馈风电变流器IGBT模块在交变热应力的长期作用下导致故障频发的问题,提出其损耗与结温的准确计算模型及不同工况下两者变化规律的研究。首先,建立了机侧及网侧变流器在整流或逆变模式下IGBT模块损耗及结温的计算模型;其次,对机组在不同运行工况下,其损耗和稳态结温进行分析。结果表明,随风速的增大,机侧与网侧变流器IGBT模块的损耗变化规律不同;机侧变流器IGBT模块的结温波动剧烈,尤其是在同步风速附近区域。     

IPOSIM-IGBT仿真工具在变频器设计中的应用

IPOSIM是一个功能强大的IGBT仿真工具，能够计算IGBT和续流二极管的开关损耗和导通损耗，仿真其温度分布和结温纹波。本文简单介绍了计算IGBT损耗的基本理论和相关热分析模型以及应用该工具的相关原则。同时，又介绍了了一些最新的功能，如能够比较不同IGBT模块在不同开关频率条件下输出电流能力的大小；自定义负荷能够完成在给定的变频器负荷条件下IGBT的仿真分析。最后给出了一些应用该工具的仿真技巧和实例。