NAND快闪存储器"三明治"可支持高性能应用

位于美国加州纽华克（Newark）的闪存磁盘制造商——M-Systems公司与日本东芝公司设在该州伊尔文（Irvine）的半导体制造商——东芝美国电子元件公司经过合作，开发出了一项创新性的技术，该技术使得标准的多级单元（MLC）NAND快闪存储器能够在通常被NOR型存储器所主宰的高速、高可靠性系统中得到应用，例如代码数据和局部数据存储器。这项被称为x2的创新技术改进了NAND操作规范，并可使同等的NOR存储器容量增加三倍，或使同等的二进制NAND存储器容量增加一倍。标准NOR允许直接根据存储器的指令执行软件，但操作速度低于NAND，…     

基于高密度闪速存储器的研究和应用

主要介绍闪速存储器的技术分类,以及各类技术架构的特点和功能,简要对比了目前市场上各大存储器厂商的主要产品;并结合高分辨率数码相机实例分析了NAND型闪存K9W8G08的优缺点以及解决方案.     

恒忆^TM（NUMONYX）强势进军存储器市场

4月1日,由意法半导体、英特尔和Francisco Partners合作成立的恒忆^TM（Numonyx B．V）公司作为一家全新的半导体公司正式问世。公司主要业务是整合NOR、NAND及内置RAM的存储器,并利用新型相变移位存储器（PCM）技术,为存储器市场开发、提供创新的存储器解决方案。新公司凭借其雄厚实力和技术专长,在成立之初就成为存储器市场的领先厂商,专注于存储器开发制造业务,为手机、MP3播放器、数码相机、超便携笔记本电脑、高科技设备等各种消费电子产品制造商提供全方位的服务。     

MT29F2G08A／16A：2Gb90nm NAND闪存

美光公司日前推出两种2Gb的90nm闪存存储器MT29F2G08A和MT29F2G16A，目标应用在闪存卡、USB器件、海量存储设备和移动应用。NAND闪存补充了美光存储器系列和CMOS图像传感器解决方案。     

NAND存储器均衡算法的实现

文中提出了一种可用于NAND存储器的块寿命均衡算法.此算法使用简易日志系统和垃圾块回收机制,以降低极低的写入速度为代价,成功的对NAND存储器的块寿命实现了均衡管理,因而增强了存储器在嵌入式系统中的使用寿命和文件稳定性.本算法经过基于FAT文件系统的实际测试显示了较好的性能,具有很高的推广与应用价值.     

基于内建自测试电路的NAND Flash测试方法

随着NAND Flash在存储器市场中的占比与日俱增,对NAND Flash的测试需求也越来越大。针对NAND Flash存储器中存在的故障类型进行讨论,并对现有测试算法进行分析,为提高故障覆盖率以及降低测试时间,对现有的March-like测试算法做出改进,改进算法比March-like算法的故障覆盖率提高了16.7%,测试时间减少了30%。完成存储器内建自测试（MBIST）电路设计,设计了FPGA最小系统板并进行板级验证,结果验证了MBIST电路以及改进的测试算法的可行性。     

用于180nm CMOS工艺技术的可重编程非易失性存储器IP

这些用于180纳米工艺技术的DesignWare AEON非易失性存储器（NVM）知识产权（IP）包括数次可编程（FTP）IP、射频识别（RFID）IP多次可编程（MTP）IP和可擦可编程只读存储器（EEPROM）多次可编程（MTP）IP等多种IP解决方案。DesignWare AEON NVM IP可面向多种领先工艺技术并具有100多种不同的存储配置,     

基于闪存阵列的缓存容量确定方法

针对低成本、小型化的数据记录系统的应用,提出了一种数据缓存技术解决方案。存储模块是由闪速存储器芯片（NAND Flash）组成的存储阵列,以FPGA为载体的SOPC系统作为存储模块的控制核心。分析存储系统的结构及控制平台的实现过程,并对系统工作原理及并行分路技术进行讨论。深入研究Flash阵列的存储过程,提出最小FIF...     

0.09μm工艺缩小快闪存储器尺寸

美国加州圣尼维尔（Sunnyvale）的SanDisk公司和该州伊尔文（Irvine）的东芝美国电子元件公司合作开发了0.09μm工艺，从而使二元和多级元（Multi-levelcell,MLC）NAND快闪存储器容量和竞争力提高。新的工艺将使目前0.13μm工艺产品的存储容量提高一倍，并且使产品体积缩小，生产成本降低。两公司在发展计划中提出未来存储产品的容量将进一步提升，包括 2Gb和4Gb MLC NAND快闪存储器。在单片存储卡上集成多个闪存芯片，将使手持设备能够存储数十分钟长度的DVD视频，成千上万的高分辨率图像，超过30小时的数字音乐，或者数千兆的数…     

64GB NAND闪存存储器

Toshiba推出64GB嵌入式NAND闪存存储器模块,实现了更高容量。该芯片是6个嵌入式NADN闪存存储器模块新系列中的旗舰产品,完全符合最新e·MMC标准,设计用于各种数字消费电子产品,如智能电话、移动电话、上网本和数码摄像机。     

16MbitnvSRAM系列：nvSRAM

赛普拉斯半导体公司推出了16Mbit非易失性静态随机访问存储器（nvSRAM）系列,其中包括具备同步NAND闪存接口的器件。该系列是可直接与开放式NAND闪存接口（ONFI）以及ToggleNAND总线控制器相连接的非易失性SRAM存储器。     

Numonyx NAND闪存

恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb（gigabits）的多级单元（MLC）NAND闪存、32GB（gigabytes）的eMMC存储芯片和高达8GB的microSD产品,均采用先进的41nm制造工艺。对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商,这些新产品将是一系列易于设计的存储器解决方案     

一种高可靠大容量星载存储器的设计与研究

凭借着存储密度大和存储速率高的特点,基于NANDFlash的大容量存储器在星载存储领域得到了广泛的应用,由于NAND Flash本身存在缺陷,基于NAND Flash的大容量存储器在恶劣环境下的可靠性难以保证.提出了通过FPGA设计SRAM对关键数据三模冗余读取和缓冲、NAND Flash阵列热备份和数据的回放校验以及合理的坏块管理等措施,实现了高可靠性的大容量存储器.实验说明该系统不会因为外在偶然因素而造成数据的不完整,而且整个存储系统的成本开销相对于目前的星载存储器也非常低.     

AND的增长重塑NOR市场——NOR供应商需寻求新的非易失性存储器技术

2005年第一季度NAND闪存收入首次超过NOR，iSuppli公司预测，尽管表面上消费类电子对于低成本固态存储器的巨大需求将推动NAND需求的增长，但NOR超越NAND的情况在未来几年将继续。     

基于伪静态存储器的设计

伪静态（Pseudostatic）存储器的设计是用于直接替代静态随机存储器（SRAM）,即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器（PSRAM）及铁电随机存储器（F—RAM）。PSRAM针对慢速SRAM应用;当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM（即BBSRAM）应用,在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是用于非易失性数据获得,在这种应用中可以提供卓越的性能。本文将解释这两种伪静态存储器如何实现其功能及有助于简化系统设计人员的工作。     

SanDisk开发出32纳米NAND闪存技术

SanDisk和东芝公司日前宣布，两公司使用32纳米（nm）处理技术生产出32GB 3bits／单元（3-bits—per—cell）（X3）存储芯片，共同开发出多层式芯片（MLC）NAND快闪存储器。该项突破预期将很快为从存储卡到固态硬盘（SSD）等市场带来能够提高产品容量、降低制造成本的先进技术。32纳米是迄今为止最为先进的闪存技术，它需要先进的解决方案来管理性能规格的变化。32纳米技术将数种创新技术结合起来，与摩尔定律中的趋势线相比，模片区大幅度减小。     

基于嵌入式电池检测的文件系统的实现

为了有效地管理嵌入式电池检测系统的历史数据和运行数据,设计了基于嵌入式NAND Flash存储器的文件系统。充分利用NAND Flash存储器的特点,通过在内存中建立索引表,采用多种策略的无效块回收机制等方式,有效地降低了存储器的擦除次数,均衡了存储器的磨损,提高了文件的检索速度。该文件系统在μC／OS-Ⅱ操作系统中予以实现,并进行了性能测试。     

新型512Mb NOR闪存＋PSRAM／LPSDRAM子系统芯片

ST公司推出用于最新一代手机的基于NOR闪存的存储器子系统。这种单封装多片式子系统组合了ST新的单片256Mb和512Mb NOR闪存器件以及假静态随机存取存储器（PSRAM）或低功耗同步动态随机存取存储器（LPSDRAM）。采用ST的现代90nm工艺技术制造，新的NOR闪存存储器子系统有用于3G手机的更快的代码执行和更好的性价比。     

赛普拉斯新型West Bridge控制器提供层多单元闪存支持能力

赛普拉斯半导体公司日前推出了一款具备多层单元（MLC）NAND闪存支持能力的新型West Bridge外设控制器，可为设计者采用成本最低、密度最高的闪存存储器提供支持。这款West Bridge Astoria控制器最高支持16个MLCNAND闪存设备，而MLCNAND闪存与相同存储密度的单层单元（SLC）NAND闪存相比。其成本降低了三倍。     

基于SiGe量子点实现增强F-N隧穿的低压闪速存储器

提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/SiGe量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制.模拟结果表明该结构具有高速和高可靠性的优点.测试结果表明该结构的工作电压比传统NAND结构的存储器单元降低了4V.采用该结构能够实现高速、低功耗和高可靠性的半导体闪速存储器.