晶体管放大器三种组态的En—In人噪声分析与比较

准确评价晶体管三种组态的噪声性能是低噪声放大器电路组态优化设计的关键．本文在晶体管三种组态Ｅｎ—Ｉｎ人噪声分析等方面给出了若干新结果．     

集成运算放大器同相和反相形式的En—In噪声分析和比较

本文通过分析和比较同相和反相放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声的特点，给出了若干新结果，本文方法在低噪声运放电路设计和运放噪声参数提取中具有十分有重要的意义。     

晶体管放大器偏置电路的噪声计算

本文首次给出了晶体管放大器三种电路组态各管脚偏置噪声的计算方法。该方法能够定量模拟晶体管放大器不同工作状态下的偏置噪声，从而为晶体管放大器偏置电路的噪声分析和低噪声优化设计提供了有利的工具。     

微波低噪声场效应晶体管放大器的噪声特性与使用技术

本文讲述了微波小信号低噪声场效应晶体管（ＧａＡｓＦＥＴ）放大器的主要特性，提出了该器件在收信系统中的不同使用方案，还对每种方案进行了分析、探讨和系统噪声系数计算。     

晶体管放大器相位噪声的正交优化设计

本文给出了频标放大器输出级相位噪声功率谱密度的公式。为了降低相位噪声,用正交法对电路参数进行了优化设计。实验结果表明,放大器经优化设计后,其频率稳定度(阿仑方差)优于(35)10-13/s。     

零器模型在晶体管放大器分析中的应用

晶体管放大器常采用图解法和等效电路法进行分析．本文以ｎ－ｐ－ｎ型晶体管为例，介绍了零器模型（包括静态模型和动态模型）在晶体管放大器分析方面的应用，它与传统方法不同，简便易行。     

低频负反馈电路噪声性能分析的En—In模型方法

本文提出了一种基于Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型的负反馈电路噪声分析方法，针对不同形式负反馈电路噪声分析的需要，分别建立了四种分析模型与Ｅｎ－Ｉｎ模型之间的关系，仿真与测量结果的比较表明：由于本方法中充分考虑了Ｅｎ－Ｉｎ噪声的相关性，因此它在低电路噪声分析中准确的。     

前置运算放大器的噪声分析与设计

D类音频功率放大器设计系统中,前置运算放大器大多采用全差分设计,为实现较好的THD性能及噪声特性,要求其具有较宽的输入输出电压范围,高SNR,高PSRR,高CMRR。本文运用标准的电路理论和噪声模型,详细分析了运算放大器电路的噪声及应用在D类功放中引起的整体噪声特性,并给出改善放大器噪声性能的设计方法及设计结果。     

结型场效应晶体管放大器的噪声

本文通过分析结型场效应管(JFET)放大器内部不同的噪声源，首次导出了场效应管放大器在较宽频率范围内的等效输入噪声电压表达式，估算了当信号源阻抗为容性时JFET放大器的总噪声，为场效应管电路低噪声优化设计提供有力的工具。     

晶体管放大器的等效电路分析法

晶体管放大器的主要作用是放大交流信号(交流电压、电流或功率),用什么方法来求出放大器的性能指标?电工原理中可以利用欧姆定律,等效电源定理等来求出电流、电压,在晶体管电路中能否用相似的方法来分析放大器的指标?回答是肯定的,但必需具备一定的条件,因为晶体管的电流电压关系是非线性的,不符合欧姆定律,但是只要输入交流信号足够小,静态工作点又选择得恰当,对交流信号而言,晶体管可以     

单电子晶体管放大器的数值分析

本文基于单电子隧道效应晶体管的半经典模型，研究了电容耦会单电子隧道晶体管放大器的静态特性和小信号特性．结果表明：单电子晶体管放大器具有灵敏度高，功耗低等优点，缺点是由于几率工作，工作条件受到严格的限制．     

异质结双极晶体管高频噪声建模及分析

提出了一个T等效异质结双极晶体管高频噪声电路模型.该模型是对通常用在硅双极晶体管中的Hawkins噪声模型进行改进得到的,主要的改进包括发射极理想因子、发射极电阻、内部BC结电容、外部BC结电容和其它寄生元素对器件噪声性能的影响.为了从等效噪声电路模型中计算出精确的噪声参数,采用了噪声相关矩阵法来计算噪声参数,从而避免了在等效电路变换中可能产生的简化和复杂的噪声测量.进一步利用该模型分析了等效电路元素对器件最小噪声系数的影响,分析计算结果和物理解释一致.同时通过基于异质结双极晶体管器件物理的公式,给出了器件参数对器件最小噪声系数的影响.     

异质结双极晶体管高频噪声建模及分析

提出了一个T等效异质结双极晶体管高频噪声电路模型.该模型是对通常用在硅双极晶体管中的Hawkins噪声模型进行改进得到的,主要的改进包括发射极理想因子、发射极电阻、内部BC结电容、外部BC结电容和其它寄生元素对器件噪声性能的影响.为了从等效噪声电路模型中计算出精确的噪声参数,采用了噪声相关矩阵法来计算噪声参数,从而避免了在等效电路变换中可能产生的简化和复杂的噪声测量.进一步利用该模型分析了等效电路元素对器件最小噪声系数的影响,分析计算结果和物理解释一致.同时通过基于异质结双极晶体管器件物理的公式,给出了器件参数对器件最小噪声系数的影响.     

集成运算放大器同相和反相形式的E_n-I_n噪声分析和比较

本文通过分析和比较同相和反相放大器E_n-I_n噪声的特点,给出了若干新结果。本文方法在低噪声运放电路设计和运放噪声参数提取中都具有十分重要的意义。     

微波功率场效应晶体管放大器的实验研究

本文阐述了微波功率场效应晶体管(FET)放大器的设计基础──动态阻抗测量法和S参数测量法。输入榆出匹配电路是采用电感输入型低通滤波阻抗变换器;介绍了FET功率放大器(以下简称功效)的调试要点、保护电路和消除寄生振荡的方法;最后给出国产BD4001型FET的设计实例。用微带工艺在30×50×1mm陶瓷基片上制作的E波段功放,获得了与计算结果吻合的实验数据,并已作为FET功放的第一级运用于某型雷达,获得了良好的结果。     

集成运算放大器的噪声模型和精确测量

本文针对目前使用的集成运算放大器噪声模型及其测量方法的缺点,提出比其更加完善适用的噪声模型,根据叠加原理和等效噪声电路理论,推导出求解反相输入端与同相输入端噪声模型的等效噪声功率谱公式,并给出该模型的测量方法。     

双极晶体管g—r噪声模型与深能级分析

本文根据发射结空间电荷区深能级缺陷诱生ｇ－ｒ噪声机构，建立了双极晶体管ｇ－ｒ噪声定量分析，从而对实验上观察到的双极晶体管ｇ－ｒ噪声的偏置特性作出了合理的解释。基于该模型，提出了一种利用ｇ－ｒ噪声测量确定双极型器件深能级参数的新方法。