真空器件中电极表面微结构对其二次电子发射性能的影响

本文在概述金属材料二次电子发射性能和用于行波管多级降压收集极的低二次电子发射系数电极材料研究的基础上,对电极材料表面尖锥阵列微结构层对二次电子发射性能的影响进行了有限元计算分析,进而提出了具有三维网络结构的电极表面微结构层概念,为构建新型超低二次电子发射系数电极材料提出了思路。     

行波管多级降压收集极CAD软件研究与实现

该文讨论了行波管多级降压收集极CAD理论模型,在二维轴对称条件下,对网格自动划分技术、二次电子发射模型、空间电荷效应计算方法、外加磁场影响、收集极效率计算方法等进行了深入研究,并在现有模型基础上进行了修改,以获得更好的模拟效果。同时在此基础上,开发了行波管多级降压收集极CAD软件UESTC_MDC,并对该软件的使用进行了简单的介绍。最后根据国外研究发展动向,对我国行波管多级降压收集极CAD软件的发展提出了一些可参考的意见和建议。     

二次电子发射系数对新型SM􀀁PDP 放电过程的影响

针对新型荫罩式PDP(SM-PDP)结构，采用二维数值模拟的方法研究了二次电子发射系数对放电过程的影响；以及在放电单元不同的表面上，二次电子发射系数对放电过程影响。通过计算比较得知二次电子发射系数越大，响应频率越快，粒子电离率越高；在SMPDP中，二次电子发射主要是由粒子轰击放电单元内上下介质表面决定的。     

金刚石二次电子发射特性的研究

对高导热人造多晶金刚石、电镀人造金刚石及天然金刚石的二次电子发射特性进行了研究。测得金刚石的二次电子发射系数小于铜及镍,与热解石墨相当或更低。     

一种航天器有效载荷新型高功率微波开关

为了抑制空间高功率器件中微放电击穿,本文提出了一种表面多孔结构。通过在器件表面构造该多孔结构,实现对二次发射电子的禁锢,从而减小器件表面二次电子发射系数,提高微放电阈值。通过模拟分析不同金属材料表面的二次电子发射特性,结合波方程和电子动力学理论建立电磁粒子模拟算法,实现不同微观表面微波器件的数值模拟。使用偏置电流法测量不同条件下金属的二次电子发射数据。模拟计算一定功率电平下典型微波开关微放电的物理图像。测量给出不同银表面处理下的二次电子发射特性,并且模拟给出微放电阈值。模拟结果与实验结果吻合良好,证明了表面多孔结构对微放电的有效抑制。     

微波真空电子器件用无氧铜材料的蒸发特性

作为微波真空电子器件的常用材料之一,无氧铜材料的蒸发特性会对微波真空电子器件的电性能产生影响。该文利用超高真空测试设备,研究了处理工艺对无氧铜材料的蒸发性能的影响,采用X射线测厚仪测试了蒸发的铜膜厚度,用扫描电镜(SEM)观测了无氧铜材料的表面形貌。结果表明表面宏观形貌粗糙度对无氧铜材料的蒸发性能影响不大,但处理工艺对蒸发性能影响很大;无氧铜材料经过酸洗后,会大大增加蒸发量;无氧铜材料经过烧氢处理,可降低蒸发量,而经过去油清洗并烧氢处理的无氧铜的蒸发量极低。对无氧铜材料进行了表面分析,发现无氧铜材料的真空蒸发性能与材料的表面形貌状态有关,当表面微观形貌比较光滑、无孔洞等缺陷时,无氧铜材料的真空蒸发量就少。     

微波真空电子器件用无氧铜材料的蒸发特性

作为微波真空电子器件的常用材料之一,无氧铜材料的蒸发特性会对微波真空电子器件的电性能产生影响.该文利用超高真空测试设备,研究了处理工艺对无氧铜材料的蒸发性能的影响,采用X射线测厚仪测试了蒸发的铜膜厚度,用扫描电镜(SEM)观测了无氧铜材料的表面形貌.结果表明表面宏观形貌粗糙度对无氧铜材料的蒸发性能影响不大,但处理工艺对蒸发性能影响很大;无氧铜材料经过酸洗后,会大大增加蒸发量;无氧铜材料经过烧氢处理,可降低蒸发量,而经过去油清洗并烧氢处理的无氧铜的蒸发量极低.对无氧铜材料进行了表面分析,发现无氧铜材料的真空蒸发性能与材料的表面形貌状态有关,当表面微观形貌比较光滑、无孔洞等缺陷时,无氧铜材料的真空蒸发量就少.     

多级降压收集极CAD中的二次电子发射模型

多级降压收集极被广泛应用于提高微波放大器件效率.多级降压收集极中的二次电子发射对其效率有重要影响.该文探讨了真二次电子、弹性反射电子、非弹性反射电子3种二次电子发射模型,对发射率、发射角度以及能量分布情况进行了深入分析,并对考虑二次电子后的收集极模拟计算收敛条件进行了讨论.上述结果在多级降压收集极CAD软件中得到应用,定量分析了其对多级降压收集极效率的影响.     

微波管内的表面击穿

全面介绍了真空条件下表面击穿的研究状况,重点讨论了二次电子发射雪崩理论,论述了二次电子发射、陶瓷表面处理、磁场、解吸附等因素对表面击穿的影响,并讨论了增加表面击穿电压的各种办法.为研究微波管的人员提供了理论参考.     

二次电子发射系数的测量及应用

对多种材料的二次电子发射系数进行了测量,并讨论了这些受试材料的二次电子发射特性和发光效率。通过测量,可选择合适的材料以改善ＰＤＰ的性能。     

用离子束技术改善材料电子发射特性的研究

本文用离子束技术，使铜网的二次电子发射系数降低，场发射性能得到改善，钼网的“栅发射”得到抑制，测量并讨论了逸出功变化对电子发射性能的影响，研究表明，离子束技术是改善材料电子发射性能的有效手段。     

Secondary emission properties as a function of the electronincidence angle

Computer codes being developed to improve the understanding of crossed-field amplifier (CFA) performance require a more complete and reliable database of the secondary electron emission properties of the electrode materials than exists in the literature. The authors describe an experimental method and present results of secondary emission yield measurements on molybdenum surfaces, both clean and gas-exposed. The surface cleanliness was monitored by Auger electron spectroscopy (AES), and all measurements were made under ultrahigh-vacuum conditions (better than 1×10^-10 torr). The results differ from the existing data for which the surface cleanliness was not determined. The secondary electron emission yields were measured as a function of the primary electron energy and also of the angle of incidence. The results were fitted with the analytical expressions of J.R.M. Vaughan (1989), with good overall agreement if Vaughan's formulas are slightly modified     

高能原电子下金属曲面二次电子发射的理论研究

从半经典定理出发,根据金属二次电子发射系数与入射角度的近似关系,分析了曲面的二次电子发射,推导出高能原电子入射情况下,两种常规金属曲面(圆柱曲面和球冠曲面)的二次电子发射系数,进一步得到任意曲面二次电子发射系数的求解思路,分析并讨论了结果.     

扫描电子显微学中二次电子发射过程的蒙特卡洛模拟

利用蒙特卡洛模拟固体中电子散射轨迹的计算方法，系统地研究了扫描电镜中二次电子信号的发射过程。该模拟电子与固体相互作用的蒙特卡洛模型包含了级联二次电子产生的过程，并且采用光学介电函数方法描述电子的能量损失和相伴的二次电子激发。由于模拟计算可以给出背散射电子和二次电子的绝对产额，以及它们随加速电压和样品的原子序数的变化关系，因此可以用于模拟元素衬度和形貌衬度像。还计算得到了关于二次电子产生和发射的其它分布，并与实验结果作了比较。     

The effects of initial electron velocities and space charge in secondary emission

This paper treats a secondary emitter as a fixed-temperature thermionic emitter with an equivalent work function which depends for its value upon the current density of the incident primary electrons. This permits Langmuir's treatment of the parallel-plane thermionic diode to be applied to secondary emission. The resulting equations account quantitatively for observed secondary-emission effects caused by space charge and initial electron velocities. The paper concludes with a discussion of three specific electron devices in which secondary-emission effects due to space-charge and initial electron velocity are important.     

电子跳跃结构场发射阴极的电子通过率研究

针对一种基于二次电子发射的跳跃电子阴极三极管结构进行了研究,这种特殊结构可以有效地提高了电子注电流密度。并减小受残余气体离子的对阴极轰击造成的阴极发射跌落。对应用碳纳米管场发射的跳跃电子阴极的三极管结构的电子通过率的研究,提出了的栅网上蒸镀高二次电子发射系数的介质膜的方法,可以有效地解决栅网的截获问题,提高电子通过率。     

两种微米金刚石聚晶颗粒薄膜的制备与场发射研究

采用微波等离子体化学气相沉积,在不同的沉积条件下得到两种微米金刚石颗粒薄膜,通过拉曼光谱仪和X射线仪分析了两种薄膜的成分,用扫描电子显微镜分析了两种薄膜的表面形貌,用二级结构的场发射装置研究了薄膜的场发射性能,最终分析并讨论了场发射性能优异的微米金刚石薄膜的特征。