凝胶自燃法制备低温烧结Z型铁氧体材料

采用干凝胶自燃工艺制得铁氧体纳米粉，研究了干凝胶的自燃烧过程，利用xRD分析了纳米粉的晶体结构与晶粒尺寸，结合TG-DTA数据，设计了粉体处理与陶瓷样品的烧结工艺。选用自燃粉制得的低温烧结Z型铁氧体材料性能为μi≈4(300MHz)；Q≥150；fr≥1.5GHz。     

制备超高磁导率MnZn铁氧体的若干关键技术的实验探究

对制备超高磁导率MnZn铁氧体的配方组成、制料方法和烧结工艺条件等关键技术进行了实验研究，解决了其中一些难题，制备出μ1≥10000的MnZn铁氧体，给出并讨论了若干有实用科学价值的实验结果。     

低温烧结Z型平面六角结构铁氧体研究

采用两种氧化物低温烧结工艺合成了Ｚ型平面六角结构铁氧体材料，研究了不同预烧工艺对低温合成Ｚ型平面六角结构铁氧材料的影响；通过ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＨＰ４１９１Ａ研究了材料的结构，晶粒形态及有关磁性能；探讨了影响低温烧结铁氧体材料磁性能的可能因素。     

超细BaTiO3和掺钇半导BaTiO3陶瓷的溶胶—凝胶法制备及其表征

采用溶胶－凝胶法制备了平均粒径小于３０ｎｍ的超细ＢａＴｉＯ３和未见文献报道的掺钇超细ＢａＴｉＯ３，并用Ｘ－ｒａｙ粉末衍射分析和化学分析对它们进行了表征；用ＴＧ－ＤＴＧ－ＤＴＡ和ＩＲ对“ＢａＴｉＯ３”干凝胶的热分解历程进行了研究；用一般陶瓷工艺制得了掺钇半导钛酸钡陶瓷并对其室温电阻率与钇含量以及烧结温度的关系进行了讨论。     

Y—PSZ对Al2O3纳米粉烧结特性及性能的影响

在Ａｌ２Ｏ３纳米粉中加入１００－４００ｍｇ．ｇ＾－１的０．０２５ｍｏｌＹ２Ｏ２（Ｙ－ＰＳＺ），探讨了加入量对Ａｌ２Ｏ３纳米粉的烧结特性和烧成陶瓷力学性能的影响，结果表明，Ｙ－ＰＳＺ可促进烧结致密化，降低烧结温度，并且有效地抑制烧结时Ａｌ２Ｏ３晶粒的长大，提高烧成陶瓷的性能。     

干凝胶自蔓延燃烧法制备纳米级的MnZn铁氧体

以硝酸铁、硝酸锌，硝酸锰和柠檬酸为原料，利用溶胶－凝胶法和干凝胶自蔓延燃烧工艺制备了纳米的MnZn铁氧体。利用热分析（TG－DTG）研究了干凝胶自燃烧过程，并且利用X衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）研究了PH值、温度，成胶时间以及燃烧温度对MnZn铁氧体的晶体结构，晶体组成和粒径大小的关系。实验结果表明，在较低的PH值和适当的成胶时间下，通过微波外界加热维持干凝胶的自蔓燃烧可以制得粒径为10－20nm之间，晶型良好的立方尖晶石结构MnZn铁氧体。     

“烧结”炭（综述）

“烧结”炭（综述）“烧结”炭是用中间相粉末以一种单一的陶瓷型的粉末固结化工艺而制得的高强材料。固结化工艺免去了制备多晶炭常用的沥青浸渍工艺，它只是前驱体粒子紧密结合并得到较高的密度（＞１．９ｃｍ－３）。对受压粉末进行热处理体积收缩可达３０～４０％，而...     

纳米级NiZnCu铁氧体粉的晶粒尺寸对瓷体性能影响

用柠檬酸盐溶胶-凝胶法制备的(Ni0.2Zn0.6Cu0.2)Fe2O4铁氧体粉体,通过不同的预烧温度控制粉体的粒径,制得不同晶粒大小的纳米粉体,采用两种烧结工艺实现NiZnCu铁氧体的低温烧结.利用XRD、SEM、TEM,频谱仪等分析了不同初始晶粒尺寸对烧结性能和铁氧体陶瓷电磁性能的影响,总结了烧结后晶粒尺寸对瓷体性能的影响规律,研制出细晶、高磁导率、高电阻率的低温烧结NiZnCu铁氧体陶瓷材料,其初始磁导率≥1000,电阻率比固相法提高了两个数量级.     

SHS-β-Si3N4的气氛加压烧结

本文用硅粉和氮通过高温自蔓延方法合成β－Ｓｉ３Ｎ４粉末，以此为原料，采用气氛加压烧结工艺，研究了烧结助剂ＹＡＧ的添加剂量及烧结保温时间对其性能的影响，研究结果表明在１９４０℃、１．２ＭＰａＡｒ，保温１ｈ的条件下，β－Ｓｉ３Ｎ４粉烧结后可达９９％的理论密度并且具有较高的断裂韧性及硬度。     

氚固体增殖剂偏铝酸锂多孔陶瓷研究

采用喷雾干燥－热分解法制得了平均粒径０．１μｍ的γ－ＬｉＡｌＯ２超细粉，该粉末经冷压烧结成型工艺制得密度８０％（Ｔ．Ｄ）、孔径分布为０．０８～０．４μｍ的γ－ＬｉＡｌＯ２多孔陶瓷芯块，已成功地用于我国第一条产氚演示回路上。     

干凝胶自蔓延燃烧法制备纳米级的MnZn铁氧体

以硝酸铁、硝酸锌、硝酸锰和柠檬酸为原料 ,利用溶胶 凝胶法和干凝胶自蔓延燃烧工艺制备了纳米级的MnZn铁氧体。利用热分析 (TG -DTG)研究了干凝胶自燃烧过程 ,并且利用X衍射 (XRD)、透射电子显微镜 (TEM)研究了pH值、温度、成胶时间以及燃烧温度对MnZn铁氧体的晶体结构、晶体组成和粒径大小的关系。实验结果表明 :在较低的pH值和适当的成胶时间下 ,通过微波外界加热维持干凝胶的自蔓延燃烧可以制得粒径为 10～ 2 0nm之间 ,晶型良好的立方尖晶石结构MnZn铁氧体。     

PZ-PT-PMN热释电陶瓷的制备研究

用经典的电子陶瓷工艺过程制得了PZ-PT-PMN热释电陶瓷。通过分析晶体构型、原子半径等，设计了几个典型的配方，并制得了相应的陶瓷材料，实验还对影响陶瓷热释电及机械性能的烧结温度、烧结时间、模压压力等工艺参数进行了优化。本制备方法简单，工艺成熟，制得的陶瓷适合应用于红外探测领域。     

铜置换部分锌低温烧结铁氧体材料的研究

利用溶胶凝胶法在铜不置换锌和铜置换部分锌两种情况下制取了W型铁氧体材料。研究了烧结工艺中铜对W型铁氧体材料烧结温度的影响。铜置换部分锌使铁氧体的成相温度降低幅度达50℃,在850℃就可烧结成单相的铁氧体,但降低了铁氧体的吸波性能。     

Bi掺杂对Ni-Zn-Cu铁氧体的烧结与磁性能的影响

低温烧结软磁铁氧体是表面组装元件（ＳＭＤ）中的一类关键材料。本文对Ｂｉ掺杂的低温烧结Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ铁氧体从烧结性质、结构与相组成、显微形貌、磁结构和磁性质（磁导率、品质因数及频谱）方面进行了研究，在此基础上分析了Ｂｉ掺杂对材料形成过程和磁化机制的影响，发现Ｂｉ对材料磁性能的改进所起的作用主要产生于它对材料显微结构（晶粒、晶界和气孔）的调制。     

工艺条件对MnZn功率铁氧体性能的影响

研究了粉末体粒度、成型密度和烧结工艺对ＭｎＺｎ功率铁氧体材料性能的影响，指出了组成为Ｚｎ０．１６Ｍｎ０．７６Ｆｅ２．０８Ｏ４的材料的最佳工艺条件，得到了与日本ＴＤＫ公司ＰＣ５０材料性能相的的功率铁氧体。     

GdSe涂层(CdSe/Ni)的烧结工艺对半导体隔膜电极(SnO_2·P/CdSe/Ni)性能的影响

通过Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）和高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）等技术，研究了由蒸发冷凝法制备的ｎ型半导体材料ＧｄＳｅ超细微粒涂层（ＣｄＳｅ／Ｎｉ）的烧结工艺。实验指出，烧结后的ＧｄＳｅ粉体涂层的结晶形态、膜层的致密均匀性以及结晶粒度的尺寸等均与烧结的工艺条件密切相关。将涂在Ｎｉ箔上的ＧｄＳｅ粉体膜层置于氩气氛中，在缓慢升降温的条件下，于４５０～５００℃温度下恒温２ｈ的多次重复烧结，可以获得表面平整致密、在衬底Ｎｉ箔上附着力强的ＧｄＳｅ多晶膜层，以下称ＣｄＳｅ／Ｎｉ为烧结体。将烧结体应用于半导体隔膜电极（（ＳｎＯ２·Ｐ／ＣｄＳｅ／Ｎｉ）中，可有效地改善半导体隔膜电化学伏打电池（ＳＣ－ＳＥＰ电池）的光电化学特性。     

超细BaTiO_3和掺钇半导BaTiO_3陶瓷的溶胶－凝胶法制备及其表征

采用溶胶－凝胶法制备了平均粒径小于３０ｎｍ的超细ＢａＴｉＯ＿３和未见文献报道的掺钇超细ＢａＴｉＯ＿３．并用Ｘ－ｒａｙ粉末衍射分析和化学分析对它们进行了表征;用ＴＧ－ＤＴＧ－ＤＴＡ和ＩＲ对＂ＢａＴｉＯ＿３＂干凝胶的热分解历程进行了研究;用一般陶瓷工艺制得了掺钇半导铁酸钡陶瓷并对其室温电阻率与钇含量以及烧结温度的关系进行了讨论。     

粒级组配工艺制备高磁导率Ni-Cu-Zn铁氧体

介绍了一种采用物理方法降低Ni-Cu-Zn铁氧体材料烧结温度的工艺一粒级组配工艺。通过纳米粉体与微米粉体的合理匹配,使材料的致密化过程加速,有效地降低了材料的烧结温度,并使材料的初始磁导率保持较高值。当纳米粉体含量为10％时,Ni_0.13Cu_0.26Zn_0.64Fe_1.98O₄铁氧体的烧结温度为900℃,初始磁导率达764。     

高性能叠层片式电感(MLCI)材料研究进展

综述了用于制造叠层片式电感（MLCI）的材料－－软磁铁氧体的低温烧结方法及各种低温烧结铁氧体材料的研究进展，简要介绍了叠层片式电感的制造与最新应用。     

纳米TiO2粉晶的晶粒长大动力学及相转位动力学

用溶液胶－凝胶法制备了ＴｉＯ２纳米粉晶。对干凝胶做了ＤＴＡ、ＴＧ等热分析。利用ＸＲＤ微结构数据对粉晶长大行为及其相转位进行了分析了研究。结果表明,当热处理温度低于５００℃时,粉末粒径增长缓慢,而热处理温度高于５００℃时,粉末生长上变理论计算了晶粒长大激活能及相转位活化能,研究表明,高温区粒子生长激活能比低温区（５００℃以上）高出几倍,与粗晶粒相比,ＴｉＯ２的锐钛矿向金红石相转变的活化能要低得多。