不同物相二氧化钒间的相互转化及其相变性能研究

利用乙醇还原[VO(O2)2]-配合离子可以成功制备出VO2(B)纳米带;考察了VO2(B)在煅烧和水热条件下转化其它物相VO2的条件.结果表明,在惰性氛围中,VO2(B)在700℃的条件下煅烧2 h可以转化为VO2(M);在水热条件下,如果体系中无掺杂剂,VO2(B)可以转化成VO2(A);如果体系中存在掺杂剂(如钼酸),则VO2(B)转化为掺杂的VO2(M).在一步水热法制备VO2(M)过程中,选择掺杂剂是至关重要的,掺杂剂有利于形成掺杂VO2(M),使VO2(M)在水热条件下能够稳定存在.VO2(A)在惰性氛围中煅烧,发现VO2(A)也可以转化为VO2(M).不同物相VO2具有均一的带状形貌,初步探讨了VO2之间的转化机理.VO2(A)的相变温度为162.4℃;Mo掺杂VO2(M)的相变温度为53.7℃,说明掺杂Mo原子可以有效降低VO2(M)的相变温度,也表明Mo原子可以有效地进入VO2(M)晶格中.     

PVP对DEPE脂质膜结构影响的小角X射线研究

用小角X射线(SAX)研究聚乙烯吡略烷酮(PVP)对磷脂酰乙醇胺(PE)脂质膜结构的影响.研究发现,在PE-PVP膜中,随着PVP浓度的增加,发生了由立方相Im3m(Q229)到立方相Pn3m Q224)的相变.在0.05 wt%PVP中,PE-PVP膜是处在Im3m(Q229)和Pn3m(Q224)共存的立方相.在0.5 wt%PVP中,PE-PVP膜是以立方相Pn3m(Q224)存在.     

磷酸盐玻璃中稀土离子Ce~(3 )、Tb~(3 )、Er~(3 )和Tm~(3 )的能量转移和敏化过程的研究

本文报道了磷酸盐玻璃中Tb~(3 )和Ce~(3 )的浓度猝灭效应。在KrF激光(248毫微米,10毫微秒)激发下,测出磷酸盐玻璃中不同浓度Ce~(3 )或Tb~(3 )离子的荧光寿命。着重讨论了磷酸盐玻璃中Ce~(3 )→Tb~(3 )、Er~(3 )和Tm~(3 )的能量转移和敏化过程。     

1986年上海铁道学院铁道运输自动化与通信专业硕士研究生入学试题及题解

试题名称:电路、信号与系统一、试写出图1(a)、(b)、(c)、(d)所示含源单口网络的端口伏安特性 U=f(I)。(10分)二、1.在图2(a)所示电路中,t<0时电路已稳定,在 t=0时打开开关 K,试求 u_C(t)。(5分)2.在图2(b)所示电路中,t<0时电路已稳定,在t=0时闭合开关 K,试求流经开关的电流 i(t)。(5分)三、1.试求图3所示含理想变压器电路的输入阻抗 Z_(?).(5分)2.在图3所示电路中,若断开 a-a′,试重新求输入阻抗 Z_(?) (5分)四、在图4所示电路串,已知 C_1=60μF,L=     

提高傅真速度的新方法

目前国内使用的傅真电报机的调幅设备都是不抑制图象频率的,即在调幅器输出端除去送出载波频率和上下两个边带之外,还送出了图象频率。为了要使图象频率不致影响下边带,致引起被调制波的畸变,载波频率应该满足下式: f_(car)≥2F_(max) (1)式中f_(car)是载波频率,F_(max)是最大图象频率。又因上下两个边带必须在通路允许通过的频率范图之内,设f_(car)和F_(max)分别为通路频带范围的上限和下限,则 f_(car)+F_(max)≤f_(max) (2) f_(car)-F_(max)≥f_(max) (3)我们在(1)式和(2)式中取等号,则通路可允许的最大的最大图象频率是 F_(max),max=1/3f_(max)在频带范围是300赫—2700赫的载波电话通路中,最     

其它相关学科与技术

0625674直接边界元法及其在地下水渗流问题中的应用[刊,中]/田玲玲//西华大学学报(自然科学版)．—2006,26 (1)．—44-45,49(G) 0625675表达胰岛素的毕赤酵母生长动力学及诱导策略[刊,中]/董鹏//北京化工大学学报(自然科学版)．—2006,33(3)．—37-41(C) 0625676用十六烷基三甲基溴化铵从发酵液中提取透明质酸[刊,中]/盛瑞堂//北京化工大学学报(自然科学版)．—2006,33(3)．—33-36(C) 0625677梯度核壳乳液的合成研究[刊,中]/孙志娟//北京化工大学学报(自然科学版)．—2006,33(3)．—23-27(C) 0625678浅析高能磷盐的代谢与运动性疲劳[刊,中]/方正阳//衡阳师范学院学报．—2006,27(3)．—152-153(G) 0625679在地震动水平与摇摆分量作用下高层结构随机地震反应[刊,中]/陆铁坚//中南大学学报(自然科学版)．—2006,37(3)．—623-629(L)根据地震作用的概念统计特征,研究剪切型高层结构在地震动的水平与摇摆分量联合作用下的随机反应。建立了在地震动水平与摇摆分量联合作用下高层结构的振动方程,推导出在平稳随机地震作用下结构体系的反应功率谱密度函数,得到结构体系反应的各     

半导体器件

0619944 CPLD在DSP实时图像采集系统中的应用[刊,中]／孙咏／／江南大学学报(自然科学版)．-2006,5(2)．- 158-161(G) 0619945 CPLD在某型雷达方位指示器中的应用[刊,中]／张妍瑶／／微处理机．-2006,27(2)．-61-62(G)阐述了在某型雷达的指示器中,CPLD器件的编     

一种MPEG-2 TS流的同步字节识别

讨论在数字视频广播(DVB)中MPEG-2传输流(TS)的同步字节检测技术,在其同步并行接口(SPI)的FPGA芯片设计中采用VHDL语言来实现,并得到实际工程的验证.     

金属-半导体超晶格中的金属费米能级和半导体平均键能

为了进一步了解在金属-半导体接触势垒高度计算中采用半导体平均键能Em作为参考能级的合理性,本文在金属-半导体超晶格的LMTO-ASA能带计算中,引用"冻结势"方法,计算了(Ge2)4(2Al)6(001),(Ge2)4(2Au)6(001),(Ge2)4(2Ag)6(001),(GaAs)4(2Al)6(001),(GaAs)4(2Au)6(001)和(GaAs)4(2Ag)6(001)等超晶格金属-半导体界面两侧的金属费米能级EF(M)和半导体平均键能Em(S).研究发现,在超晶格的金属-半导体界面两侧,金属的费米能级EF(M)与半导体的平均键能Em(S)几乎处于同一能量水平线上,Em(S)≈EF(M),也就是EF(M)与Em(S)在界面两侧相互"对齐".因此,在理想金属-半导体接触的势垒高度理论计算中,采用半导体平均键能Em作为参考能级,可以获得比较可靠的计算结果.     

金属-半导体超晶格中的金属费米能级和半导体平均键能

为了进一步了解在金属-半导体接触势垒高度计算中采用半导体平均键能Em作为参考能级的合理性,本文在金属-半导体超晶格的LMTO-ASA能带计算中,引用"冻结势"方法,计算了(Ge2)4(2Al)6(001),(Ge2)4(2Au)6(001),(Ge2)4(2Ag)6(001),(GaAs)4(2Al)6(001),(GaAs)4(2Au)6(001)和(GaAs)4(2Ag)6(001)等超晶格金属-半导体界面两侧的金属费米能级EF(M)和半导体平均键能Em(S).研究发现,在超晶格的金属-半导体界面两侧,金属的费米能级EF(M)与半导体的平均键能Em(S)几乎处于同一能量水平线上,Em(S)≈EF(M),也就是EF(M)与Em(S)在界面两侧相互"对齐".因此,在理想金属-半导体接触的势垒高度理论计算中,采用半导体平均键能Em作为参考能级,可以获得比较可靠的计算结果.     

用平衡树实现集合运算的研究之三

在上篇Search(f,r,a)函数基础上对平衡树的插入算法Inseart(r,a)进行了深入的研究.首先用Search(f,r,a)函数判别a是否在Tr中,若a已在Tr中插入结束,否则Search(f,r,a)函数给出a应插入于Tr中的位置f,据f的不同情况实施插入.在Inseart(r,a)算法中,引入了Inseartasleaf(f,a)过程,对该过程中的Inseartasleaf31(f,a)算法进行了详细论述,最后给出了Inseart(r,a)时间复杂度的证明.     

在磁场中生长半导体致冷晶体的研究

本文阐述了在磁场中生长B_(i2)T_(e3)——Sb_2T_(e3)——SbS_(e3)三元半导体致冷晶体的方法与设备,实验研究了晶体的强度,在理论上初步探讨了磁场在晶体生长中起的作用。     

4^3／4位A／D转换器MAX133（134）的原理及应用

MAX133(134)是 Maxim公司生产的新型单片4~(3/4)位A/D转换器。该芯片具有外围元件少、线路简单和精度高的优点,所以在数字电压表(DVM)、数据采集系统和单片微型计算机的接口电路中获得广泛的应用。本文重点介绍其工作原理和应用。一、管脚功能及电路特点 (一)管脚功能 MAX133(134)A/D转换器管脚排列图如图1所示。主要管脚的功能如下:WR为写信号,低电平有效;D.GND为数字地;CS(A_0)为片选信号,在MAX133芯片中为片选CS,而在MAX134中为地址A_0;ALE(A_1)为锁存信号,在MAX133芯片中为锁存ALE,而在MAX134中为地址(A_1);BCO(A_2)为缓     

全国家电维修培训协调指导小组、中国电子学会电子爱好者协会 中山市星宝电子厂有限公司、六刊一报联合举办“星宝杯”家电知识竞赛试题

<正> (1)如果一个电路中参考点变化了,则( )。a.该电路中各点电位和任意两点间电压均改变;b.该电路中各点电位不变,但任意两点间的电压可能变化;c.该电路中各点电位变化,但任意两点间的电压不变化 (2)在标准75Ω电阻上测得电压有效值为1V,用分贝毫伏计其数值为( )。a.60;b.120;c.6 (3)在电路中使用的晶体管,只要( )晶体管就必然损坏。a.工作电流超过I_(CM)值;b.工作频率超过f_T值;c.耗散功率超过P_(CM)值 (4)用某些万用表(如MF6、MF9)测电视机行输出     

面向对注氢硅片中微结构的影响

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子.     

YAG中Nd~(3 )离子分凝系数与其结晶关系

YAG(Y_3Al_5O_(12))中Nd~(3 )离子分凝系数的测定,证实了其数值并非为恒定,而是在0.12～0.25之间波动。显然,这种因素与不同的结晶条件有关。本文报道了关于生长速度对YAG晶体中Nd~(3 )离子的俘获和分布的影响实验数据。为了对比,还给出镥铝石榴石(Lu_3Al_5O_(12))晶体的相应数据。在氮气氛中按[110]生长方向用定向结晶法从熔体中生长出直径为11.6毫米的晶体。在所有实验中,熔体的Nd~(3 )离子浓度均为1％(原子)。晶体中Nd~(3 )的分凝系数由以     

外基区电阻对共发射极饱和压降的影响

本文分析了外基区串联电阻r_(bb)对共发射极饱和压降v_(ccs)产生明显影响的条件。近似认为r_(bb)上的压降是流入有源基区的基极电流I_(bb)与r_(bb)的乘积,从而给出了与I_(bb)·r_(bb)有关的V_(ccs)的粗略表达式。由式中可以看出在I_(bb)·r_(bb)较大时才会对V_(ccs)产生明显影响,并用单管模拟验证了以上分析。这种情况在实际生产中有时是会遇到的,特别是功率晶体管。在此基础上,对某集成电路中的功率晶体管改变了设计以降低r_(bb),确实得到了降低V_(ccs)效果,而且V_(ccs)降低的程度和V_(ccs)的粗略表达式估计的结果相接近。     

一种适用于多种CA的条件接收系统

1　方案的设想在本方案中,除节目信息外,仅包括PRO(应用程序)、EMM(授权管理信息 )、EPG(电子节目指南 )、ECM(授权控制信息)4种信息,具体说明如下:(1)PRO它是CA厂家的应用程序,在本方案中,规定它的PID号为 8000,并且携带有厂家的序列号和版本号。机顶盒的其他应用程序应和有关CA的应用程序分开,并由国家标准化组织制定统一标准。有关CA的应用程序应是模块化设计,便于升级。(2)EMM它是由SMS(用户管理系统 )生成的授权管理信息,包括用PDK(私钥 )加密的SK(业务密钥 )和用户权限,在本方案中,规定它的PID号为 8001。用户权限的…     

大直径直拉硅中氮对原生氧沉淀的影响

研究了在大直径直拉硅单晶中掺氮 (N )对原生氧沉淀的影响 .通过高温一步退火 (10 5 0℃ )和低 -高温两步退火 (80 0℃ +10 5 0℃ )发现在掺 N直拉 (NCZ)硅中氧沉淀的行为与一般直拉 (CZ)硅是大不相同的 ,经过高温一步退火后 ,在氧化诱生层错环 (OSF- ring)区氧沉淀的量要小于空洞型缺陷 (voids)区 ,而经过低 -高温两步退火后 ,OSF-ring区的氧沉淀量要远远大于 voids区 .由此可得 ,在晶体生长过程中 ,N通过改变硅晶体中空位的浓度及其分布从而改变原生氧沉淀的尺寸和分布 .并在此基础上讨论了在大直径 NCZ硅中掺 N影响原生氧沉淀的机理 .     

大直径直拉硅中氮对原生氧沉淀的影响

研究了在大直径直拉硅单晶中掺氮(N)对原生氧沉淀的影响.通过高温一步退火(1050℃)和低-高温两步退火(800℃+1050℃)发现在掺N直拉(NCZ)硅中氧沉淀的行为与一般直拉(CZ)硅是大不相同的,经过高温一步退火后,在氧化诱生层错环(OSF-ring)区氧沉淀的量要小于空洞型缺陷(voids)区,而经过低-高温两步退火后,OSF-ring区的氧沉淀量要远远大于voids区.由此可得,在晶体生长过程中,N通过改变硅晶体中空位的浓度及其分布从而改变原生氧沉淀的尺寸和分布.并在此基础上讨论了在大直径NCZ硅中掺N影响原生氧沉淀的机理.