半导体激光器、集成光学激光器

Y2002.63306-571 0309429用于波分复接通信的可调谐半导体激光器=Tunablesemtconductor lasers for WDM telecommunicatiotis[会,英]/Ackerrnan,D.A.& Johnson,J.E.//2001 IEEEInternational Conference on Indium Phosphide and Relat-ed Materials.—571～574(E)     

半导体激光器、集成光学激光器

Y2002-63306-342 0307097气体源分子束外延生长1.26μm GaInNAsSb 单量子阱激光器=1.26μm GaInNAsSb-SQW Lasers grown bygas-source MBE[会,英]/Shimizu,H.& Kumada,K.//2001 IEEE International Conference on IndiumPhosphide and Related Materials.—342～345(E)Y2002-63306-473 0307098具有改进高温特性的1.3μm量子点激光器=1.3μm     

半导体激光器、集成光学激光器

Y2000-62210-7 0012615超高吞吐量通信和信号处理系统用的以磷化铟为基础的飞秒器件=Indium phosphide-based femtosecond de-vices for ultrahigh throughput communications and signalprocessing systems[会,英]/Wada,O.//Proceedings of11th International Conference on Indium Phosphide andRelated Materials.—7～10(UC)为实现未来网络吞吐量进入1Tb/s 到10Tb/s 范围,超快速光电器件起着关键作用。文中讨论了超快速光通信和信号处理系统的需求,以及其所需器件。介绍了超快速以半导体为基础的光电器件(超短脉冲激光器和超快速全光学开关)的新进展。参26     

半导体激光器、集成光学激光器

0319657大功率 InGaAsP/InGaP/GaAs 激光器特性研究[刊]/李忠辉//固体电子学研究与进展.—2003,23(1).—11～13(D)介绍了无铝激光器的优点;利用 LP-MOVPE 生长了 InGaAsP/InGaP/GaAs 分别限制异质结构单量子阱(SCH—SQW)结构,讨论了激光器的腔长对特征温     

半导体激光器、集成光学激光器

0103628高占空比、高功率线阵二极管激光器封装技术[刊]/唐淳//强激光与粒子束.—2000,12(5).—544～546(L) 0103629915-980nm 应变量子阱激光器新进展[刊]/徐遵图//功能材料与器件学报.—2000,6(3).—293～296(K)报道了915～980nm 半导体激光器的最新进展,宽条激光器输出功率为0.2～2.0W,最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达400mW,水平和垂直方向远场发射角分别为7°和23°,组合件输出功率大于150mW。     

集成光学技术

近几年来,由于可以得到高亮度的相干激光源,光学在军事和工业系统中已经起着不断增长的作用。诸如雷达测距仪和目标指示器等项目,只不过是目前普通的光学系统中少数几种。应用的数目继续以不断增长的速率增长着。     

半导体激光器、集成光学激光器

9907300GaAlAs/GaAs 量子阱 LD 泵浦 Nd:YAG 激光器[刊]/王晓华//半导体光电.—1998,19(6).—407～408(EdD)利用分子束外延技术生长出了 GaAlAs/GaAs 折射率渐变分别限制单量子阱结构材料。用该材料作出的激光二极管作泵浦源对 Nd:YAG 激光器进行端面泵浦实验,在工作电流为3.3A时,LD 输出功率为2.7W,得到 Nd:YAG 激光器的输出功率达700mW,光-光转换效率达26％。参2     

半导体激光器、集成光学激光器

Y2001-62909-119 0118389采用最佳 Au/Sn 冶金技术的一氮化硼散热片上的大功率激光二极管安装=Mounting of high power laserdiodes on boron nitride heat sinks using an optimized Au/Sn metallurgy[会,英]/Pittroff.W.& Erbert,G.//2000 IEEE 50th Electronic Components & TechnologyConference.—119～124(PC)     

半导体激光器、集成光学激光器

SPIE-Vol.3626 01002131999年 SPIE 会议录.卷3626:半导体激光器的测试、封装、可靠性与应用(4)=1999 Proceedings of SPIE.Vol.3626:testing,packaging,reliability,and applica-tions of senticonducto lasers Ⅳ[会,英]/SPIE-the Inter-national Society for Optical Engineering.—999.—212P.(PC)本会议录收集了于1999年1月28日在美国加州圣何塞召开的半导体激光器测试、封装、可靠性与应用专题讨论会上发表的28篇论文,内容涵盖了激光二极     

半导体激光器、集成光学激光器

Y2000-62067-109 0009226InGaN-AlGaN 量子线及量子点激光器中激子跃迁形成的阈电流密度减少=Reduction of threshold currentdensity in InGaN-AlGaN quantum wire and quantum dotlasers due to excitonic transitions[会,英]/Huang,W.&Jain,F.//1998 IEEE International Conference on Opto-electronic and Microelectronic Materials and Devices.—109～115(EC)     

半导体激光器、集成光学激光器

Y98-61409-59 9913066利用双偏振发射外腔二极管激光器的光生毫米波数据传输=Data transmission on optically generated millime-ter-waves using a dual-polarization emission external cavi-ty diode laser [会,英]/Pajarola,S.& Guekos,G.//1998 Proceedings of the International Zurich Seminar onBroadband Communications.—59～62 (MaG)     

半导体激光器、集成光学激光器

Y2000-62079-237 0019995电信用半导体激光器=Semiconductor lasers fortelecommunications[会,英]//1999 IEEE Coherence onLasers and Electro-Optics.-237～243(F)本部分收录6篇论文摘要。各自研究了锁模分布式 Bragg 反射器激光器,带有可控可饱和吸收体的三段分布式 Bragg 反射器激光器中高能脉冲的生成,可调分布式 Bragg 反射器激光器中长周期稳定性,分布式反馈激光器中随机小平面相位对光纤链路传输障碍的影响,半导体光放大器中多波长混合及其导致的一个预放大波分复用系统,能够使吉位局域网中多模光纤链路在850nm 增大带宽的一个单一器件。     

半导体激光器、集成光学激光器

Y2000-62067-392 0014365用以表征垂直腔表面发射激光器特性的测量自动化=Measurement automation for characterising vertical cavitysurface emitting Lasers[会,英]/Boros,V E & Rakic,A D//1998 IEEE Internatlonal Conference on Opto-electronic and Microelectronic Materials and Devices.—392～395(EC)     

半导体激光器、集成光学激光器

Y99-61822-95 2001951在色散光纤上微波产生和传输用线性调频激光二极管的模拟技术=Modelling of chirping laser diodes for mi-crowave generation and transimission over dispersivefibers[会,英]/Freude,W.& Palai,P.//InternationalTopical Meeting on Microwave Photonics.—95～98(UC)     

半导体激光器、集成光学激光器

Y2000-62027-198 0005586利用微型电子机械系统式微型镜面技术检测激光功率的方法=Laser power monitoring using MEMS mi-cromirrortechnology[会,英]/Agarwal,A.& Arney,S.//1999 IEEE International Reliability Physics Sympo-sium.—198～201(UC)     

半导体激光器、集成光学激光器

Y98-61303-381 9905732边缘和表面发射的量子点激光器=Edge and surfaceemitting quantum dot lasers[会,英]/Bimberg,D.&Ledentsov,N.N.//1997 IEEE International ElectronDevices Meeting.—381～384(AG)Y98-61303-385 9905733自组织 In_(0.4)Ga_(0.6)As/GaAs 量子点室温激光器的直流、     

半导体激光器、集成光学激光器

0101927燃烧驱动气动 CO_2激光器几种液体燃料性能差异的数值模拟[刊]/王云萍//强激光与粒子束.—2000,12(4).—429～432(D)在甲苯、苯、煤油和乙醇四种不同液体燃料燃烧驱动条件下。对气动 CO_2激光器燃烧室的平衡组分、小信号增益沿流场方向的分布及激光器的输出功率进行了数值模拟,计算对比分析了该四种燃料的性能。计算结果表明甲苯是这四种燃料中最为理想的燃料。参4SPIE-Vol.3631-97 0101928光电子激光器与检测器(含4篇文章)=Session 4:op-toelectronic lasers and detectors[会,英].—97～130(PC)本部分含4篇文章。题名为:宽可调混合半导体激光器,模拟光纤链路与信号处理用的波导异质结光电晶体管,基于硅的集成 Ge/Si 量子阱和超晶格红外     

半导体激光器、集成光学激光器

Y2002-63306-101 03050421.3μm～1.5μm波长范围 GaIhAsN 激光器=GaIhAsNbased lasers for the 1.3 and 1.5μm wavelength range[会,英]/Fischer,M.& Collub,D.//2001 IEEE In-ternational Conference on Indium Phosphide and RelatedMaterials.—101～104(E)     

集成光学技术的进展

估计在以集成光学技术为基础的实用系统付诸使用之前,研究、研制、演示及评定要花十年左右的时间。