高速集成光发射机研究新进展

一、引言近来已经明显地看出,光纤通讯比通常的铜导线通讯,具有非常大的传输容量。为了实现光纤通讯的优点,现在大量工作集中在高速电学器件和光学器件的研究方面。在一个半导体衬底上,光器件和电子电路的单片集成,对于宽范围的应用,是很有吸引力的。由于光电集成电路(OEIC)有很多优点,如高速和高密集度,所以,对各种光电集成电路如LD/FET发射机,PIN/FET光接收器和单片中继器等,正在积极地进行研究。     

PIN PD+InP MISFET

随着半导体激光器、发光二极管和光探测器等半导体光电器件的高性能化和高可靠性化,在这个领域内,对以实现更高速、多功能器件为目的的单片集成回路的研究工作也逐渐活跃起来。这里介绍的PIN—FET就是将PIN光电二极管(PIN PD)和MIS结构的FET放大器在半绝缘衬底上单片化的器件,是一种旨在用于目前正在成为光纤通     

1.3μm光电子集成

NEC公司光电研究实验室已制作出1.3μm的光电子集成,该光电集成电路是在InP衬底上光电集成LD和光电二极管,它可用于Gbit/s系统。1.3μm发射机由条形LD和双极驱动晶体管组成,按收机由PIN光电管和FET组成。该组件工作于1.3μm波     

半导体激光器与驱动电路的单片化

日本日立中研研制出GaAs系半导体激光器与驱动用FET集成化的光电子集成器件。该器件具有高速工作、高可靠性、低噪声等优点。半导体激光器和FET是用MO-CVD法进行晶体生长,用10比1的缩小投影曝光装置制作。该器件把半导体激光器、驱动电路、监测用探测器、监控输出电路等集成在0.9×2mm芯片上。     

GaAlAs/ GaAs 半导体功率放大激光器的研究

研究一种GaAlAs/ GaAs 材料的高功率半导体功率放大激光器(LD - SLA) 。器件为双 异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD) 与半导体功率放大器(SLA) 集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜,使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29 %、71 %提高到90 %以上,进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命     

2001年第九届全国光电技术及系统学术会议征文通知

本次会议由中国光学学会光电专业委员会主办 ,中国计量学院和浙江大学承办。一、征文内容1 .新型光源 :新型激光器及可调谐激光器 ,LD,LD抽运激光器 ,光纤激光器 ;紫外、可见、红外光源 ;同步辐射加速器 ;太阳能利用 ;绿色照明。 2 .光电接收、放大 ;新型光电子器件及光电子技术 ;CCD器件及其应用 ;数码相机 ,DVD及数码电视及其应用 ;红外及微光夜视系统、红外热电视系统。 3.有源、无源集成光电子学器件 ;光纤器件、光纤光栅及波分复用器件及技术 ;光纤通信系统中的光电子器件、技术和系统。 4.微小光学与光学微加工技术 ,二元光学及其…     

SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成

成熟的CMOS技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III~V族半导体材料。综述了近期III~V族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术,按键合材料的不同分为无机和有机材料键合。着重分析了各种InGaAs/InP光电探测器与SOI波导集成的光耦合方案,并对其优缺点进行对比。同时给出设计的一种倏逝波耦合的InGaAs/InP光电探测器,用时域有限差分(FDTD)法对器件光学特性进行了模拟,以SOI上有机键合的方式,获得95%的探测器吸收效率,表明该SOI波导集成的光电探测器可实现小体积、低损耗及高响应度的光探测,符合片上光互连系统的要求。     

GaAlAs/ GaAs 半导体功率放大激光器的研究

研究一种GaAlAs／GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD—SLA)。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体，使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜，使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29％、71％提高到90％以上，进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命。     

基于CVD单层MoS_2 FET的光电探测器北大核心

通过化学气相沉积(CVD)工艺在SiO_2/Si衬底生长出MoS_2材料,对材料进行喇曼光谱表征,验证了单层MoS_2的存在;基于CVD生长的单层MoS_2完成了晶圆级背栅场效应晶体管(FET)光电探测器的工艺研发;对MoS_2 FET器件进行了电学特性表征,开关比可达到105数量级,场效应迁移率约为1 cm2·V-1·s-1,栅极漏电流为10-10 A数量级;对MoS2FET器件的光电特性进行了表征,该光电探测器具有普通光电导探测器的基本光电特性,其光电流随光照强度的增强以及源漏电压的增加而增加,同时由于栅极的调制提高了光电探测器的灵活性。通过控制栅极电压能够控制MoS2FET光电探测器的暗电流大小,实现对探测器η参数的有效调制。最后通过器件能带图对MoS_2 FET光电探测器的光电特性进行了阐释,为其走向实际应用奠定了理论基础。     

NTT

半导体激光器问世于1960年,半导体光电集成电路(OEIC)的概念提出于1970年,含有GaAs体效应二极管和GaAs MESFET的光电集成电路分别出现在1978年和1983年。半导体光电技术在光通信、光纪录、光读出、光测量和光信息处理等领域已得到广泛的应用,现正在逐步建立起一种新型的光电产业。光电单片集成电路技术以其易于解决光学器件与电子器件间的互连和调制、易于消除由键合点和引线导致的寄生电感和分布电容及易于提高速度、降低噪声、改进可靠性和减小体积等优点而颇受重视。看来,把具有不同功能的光学器件和电子器件集成在一个单片上的CEIC是发展光电器件的必由之路。光电单片集成所需的技术水平极高,目前尚处于实验室的研制阶段,而作为过渡产品的光电混合集成电路却深受欢迎。目前,世界各国,尤其是日本各大公司和研究单位正大力进行OEIC的研究和开发工作,并取得了一定的成果。本专集介绍日本NTT等九家研究单位在OEIC方面的研究方向、研究重点、所用电路结构、制作工艺等情况,并报导了已取得的成果。     

半导体光电器件工艺技术概述

半导体光电器件主要包括半导体激光器，半导体发光管，半导体探测器以及半导体光放大器等基于半导体材料的光电器件，它们体积小，可靠性高，便于集成，光电，电光转换效率高，在光通信系统中完成发射，接收，放大和监控等功能，是通信系统重要的组成部分。     

简讯

中国光学学会第二届全国集成光学学术会议于1983年9月20日在长春举行。这次会议是根据1981年桂林会议精神,由中国光学学会委托中国科学院长春物理研究所筹备的。 会议有特邀报告5篇。 中国科学院北京半导体所庄婉如作了从“IOOC’83”看集成光学及光电器件近年来发展动态的报告;     

谐振式集成光学角速率传感器光源的研究

文中对谐振式集成光学角速率传感器(IORS)关键器件之一--大功率、窄线宽光源进行的分析与实验表明,为达到优于1(°)/h的分辨率,光源的线宽应小于300kHz;在实验研究中采用大功率、窄线宽的半导体激光器(LD)泵浦Nd:YAG激光器和光纤光栅外腔半导体激光器(FBG-LD)作为光源,分别应用于保偏光纤谐振腔构成的IORS的实验装置,实测谐振腔的清晰度与理论计算值是一致的.     

一种新的混合型光学双稳器件与基本光逻辑门的实现

本文报导了一种用雪崩型异质结光晶体管和半导体激光器组成的新型光学双稳态器件。由于该器件利用光晶体管内部的光电双稳性,因此具有结构简单,调整方便,便于集成。文中讨论了该双稳器件稳态工作的四种工作模式。当其工作在光学双稳态模式时,最小临界触发光功率<10μW;高态输出     

量子阱分布布喇格反射半导体激光器

分布反馈(DFB) 和分布布嗽格反射(DRB)半导体激光器都是很有吸引力的集成光学激光器件,它对实现单纵横工作的光通讯等领域很有意义。此外DRB还易于与其他光电元件单片集成。此外当以偶次级光栅做反射器时,可以实现激光的表面发射输出的优点。长期以来,由于工艺复杂,尤其是作为反射器的非激活区光栅波导的高吸收损     

半导体光电器件应用专集

半导体光电器件主要指光发射器件和各种光传感器。前者主要有各种波长的半导体激光器、发光二极管以及以它们为主体的组件和集成器件;后者包括有以光电二极管、雪崩光电二极管为主的各类光电探测器、电荷耦合器件、液晶传感器以及包含有这些器件的组件等。近几年来,这些光电子器件的理论研究非常活跃,器件制造工艺由于和半导体电子器件相容,因此器件的生产和应用都有了很大发展。半导体光电子器件的应用领域非常广泛,由它们组成的光纤传输系统比同轴电缆有损耗低、宽带快速、抗电磁干扰等优点,因此在通讯网路、数据网路、工     

集成光学技术及其应用》

由重庆光电技术研究所研究员杨家德编著,中国科学技术文献出版社出版发行的《集成光学技术及其应用》一书,已正式出版。 　　该书从工程技术角度介绍集成光学的现状、发展及其在相关领域中的应用。本书系统介绍玻璃基、LiNbO3基、Ⅲ-Ⅴ族化合物基、Si基、聚合物基集成光学技术,包括器件设计、制作、集成等实用技术。同时,本书还详细介绍集成光学技术在优化光电器件、光通信、空间遥感、相控阵天线、光纤陀螺、视频分析仪、激光多普勒速度仪及仪器制造等领域中的应用。 　　本书内容丰实、具有工程实用价值,是从事光电子技术研究、开发和应用的较好参考书。本书为大32开,32万字,387页,精装本,每册定价50元,邮寄费5元。欲订者请从邮局汇款至《半导体光电》编辑部(地址：重庆市南坪花园路14号44所内;邮编：400060),或从银行汇至中国工商银行重庆南坪分理处(帐户名：信息产业部电子第44所,帐号：271-08804039),并注明购书款和书名。     

半导体激光器功率输出特性的理论分析及实验研究

本文从理论上及实验上分析研究了半导体激光器(LD)功率输出特性与其腔面反射率之间的关系.研究结果表明,通过改变LD腔面反射率,可以使其输出功率增大,也可以使其转变为新的光电器件,如超辐射发光二极管(SLD)或行波半导体激光放大器(TW-SLA)等等.在大量实验数据的基础之上建立了LD输出功率曲线阈值与腔面反射率关系的经验公式,确定了LD最佳输出功率腔面反射率以及SLD和TW-SLA的工作条件.     

D—VSTEP及其应用

1.前言 近年来,随着光电半导体工艺的发展,可以利用面型发光激光器和面型输入输出光耦合器件(VSTEP)等的二维面型光电半导体器件。这种光电半导体器件可以高度集成和高速调制,适合于并行或者高速处理。另一方面,利用面型光电半导体器件     

光电器件及光电集成发展

1.光电器件的发展 光电子器件技术是推动光纤通信技术发展的核心技术。它经历了分立元件—组件—模块—光集成和光电集成的发展过程。在第一代点对点光通信系统中采用的主要光器件有半导体激光器、光纤、,连接器和光检测器。随着光电器件性能的提高及新功能光电器件的商用化,第二代大容量光通信系统也已得到广泛应用。在第二代光通信系统中除了第一代系统的光电器件外,还加进了合/分波器、光放大器、低速光开关和外调制器等。