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Si/Si1—xGex应变层异质结双极晶体管(HBT)交直流特性的仿真研究 总被引:4,自引:1,他引:3
本报道了Si/Si1-xGex应变异质结双极晶体管(HBT)交直流特性的仿真结果,通过用叠代法求解漂移-扩散方程的数值解,确定器件的直流特性,再利用瞬态激励法,求解器件的交流特性参数,将基区Ge摩尔含量x为0.2,0.31的HBT的模拟结果分别与有关献报道的实验结果进行了比较,两的结果符合良好。 相似文献
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本文报道了Si/Si1-xGex应变层异质结双极晶体管(HBT)交直流特性的仿真结果.通过用叠代法求漂移-扩散方程的数值解,确定器件的直流特性.再利用瞬态激励法,求解器件的交流特性参数.将基区Ge摩尔含量x为0.2、0.31的HBT的模拟结果分别与有关文献报道的实验结果进行了比较,两者的结果符合良好 相似文献
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应变Si1—xGex层材料和Si/Si1—xGex器件物理参数模型 总被引:4,自引:0,他引:4
Si/Si1-xGex异质结系统已成功地应用于高速数字、高频微波和光电器件中。对这些器件进行理解和分析时,往往受到应变Si1-xGex材料参数缺乏的制约。本文建立和给出了常温和低温下重要应变Si1-xGex层材料和Si/Si1-xGex器件物理参数模型,对Si/Si1-xGex异质结器件的理解、研究和设计有重要的实际意义。 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
用一种简练的异质结双极晶体管(HBT)模型来模拟SiC基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在27℃(300K)到600℃(873K)下的6H-SiC/3C-SiCHBT。将其高频大功率特性与AlGaAs/GaAsHBT作了比较。不出所料,欧姆接触电阻限制了SiCHBT的高频性能。现在看来,在SiC上只能可靠地产生1×10 ̄(-4)Ω-cm ̄2的接触电阻。所以f_T和f_(max)的最高实际值仅分别为4.4GHz和3.2GHz。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到1×10 ̄(-6)Ω时,则6H/3CSiCHBT的f_T和f_(max)分别可达到31.1GHz和12.76Hz。 相似文献
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提出了一个模拟SiGe基区HBT器件特性的物理模型。在基区部分考虑了发射结处的价带不连续、大注入效应、Ge组份变化及重掺杂效应引起的能带变化的影响;在集电区分析时考虑了基区推出效应、载流子速度饱和效应、电流引起的空间电荷区效应以及准饱和效应。在此基础上给出了SiGe基区HBT器件的电流和电荷公式。同时开发了SiGe基区HBT的直流瞬态模型和小信号模型。利用修改的SPICE程序模拟了实际SiGe基区 相似文献
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给出了适用于分析复杂结构HBT的电荷传输延迟时间及截止频率的电荷分配模型(CP)。模拟了Si/SiGeHBT的高频特性。模拟结果显示Si/SiGeHBT的频率特性较SiBJT大为改善,而基区及集电结SCR区的电荷输运时间将成为提高Si/SiGeHBT截止频率的主要制约因素。与实验报道的对比证实了本模型可作为优化器件设计的有效手段。 相似文献
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GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管 总被引:2,自引:1,他引:1
用气态源分子束外延(GSMBE)法生长了掺杂GexSi1-x/Si合金并试制了p-n异质结二极管,X射线双晶衍射和二极管I-V特性表明,GexSi1-x/Si合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因.通过控制GexSi1-x/Si合金的组分及厚度,我们获得了较高质量的GexSi1-x/Sip-n异质结二极管材料,其反向电压为-5V时,反向漏电流密度为6.1μA/cm2. 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(1)
单片GaAs HBT p-i-n二极管可变增益放大器、衰减器和开关在GaAsHBT工艺中,人们可以用现有的材料层制作p-i-n二极管,并可将其与HBT集成在同一块单片上。HBT器件结构的轻掺杂集电区层可用作p-i-n的本征层;重掺杂基区和第二集电区可... 相似文献
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介绍了移动通信的发展动向和移动通信对半导体技术的要求。给出了具体的器件技术包括Si双极晶体管、SiMOSFET、GaAsHBT、HJFET和HEMT以及电路技术。 相似文献
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本文介绍了在电阻率为(77~300)kΩ·cm的n型(111)Si衬底上用LPE法生长高质量Si1-XGex单晶薄层(其厚度一般为1~3μm)的生长条件,并对引入的缺陷进行了TEM研究,结果表明其缺陷密度和用MBE及超高真空CVD法生长的同样厚度和组分的Si1-xGex薄层的缺陷密度相等甚至更低.霍尔迁移率μH与温度有μH∝Tm的关系,(在T=80~300K时,m=-0.95).当x>0.85时,μH的测量值和由Krishnamurthy计算的理论值相符,x<0.85,测量值仅为理论值的70%.由Bi杂质 相似文献
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P^+—GexSi1—x/P—Si异质结内光发射(HIP)长波长红外探测器结构的… 总被引:1,自引:1,他引:0
本对P^+-GexSi1-x/P-Si异质结内光发射以长红探测器的电极结构进行了改进,并在国内首次报道了这种器件在77K下的电学特性和光学响应特性。 相似文献
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用GexSi1-x/Si亚稳材料在高温下制作了光波导,它的传输损耗为0.8dB/cm,比低温工艺的0.5dB/cm稍大。并发现GexSi1-x/Si材料的大量失配位错和一些有趣的现象。 相似文献
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超高真空化学气相淀积法生长的n-Si/i-p~+-i SiGe/n-Si结构的透射电镜和二次离子质谱分析 总被引:1,自引:1,他引:0
本文用透射电镜(XTEM)和二次离子质谱(SIMS)分析了由超高真空化学气相淀积法(UHVCVD)生长的n-Si/i-p+-iSiGe/n-Si结构,发现在硅上外延生长i-p+-iSiGe时,在靠近Si的i/p+SiGe界面处存在一个很薄的层,但在i-p+-iSiGe上外延生长Si时,无此现象产生.此薄层是由在硅上外延生长i-p+-iSiGe时硼原子聚集在靠近Si的i/p+SiGe界面处形成的高掺杂薄层.高掺杂的薄层影响由此结构制备的异质结双极晶体管(HBT)的BC结的正向导通电压. 相似文献
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SiGe/Si HBT作为单片微波集成电路中的有源元件,在截止频率,增益,噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材料和器件、电路等方面做过的工作,对实现SiGe单片微波集成电路的一些理论和技术要点作了阐述。 相似文献
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用GexSi1-x/Si亚稳材料在高温下制作了光波导,它的传输损耗为0.8dB/cm,比低温工艺的0.5dB/cm稍大。并发现GexSi1-x/Si材料的大量失配位错的一些有趣的现象。 相似文献