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采用铌铁矿预产物合成法制备了组成在相界附近的(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-PT)弛豫铁电陶瓷。陶瓷样品X-射线衍射相组成和相结构分析表明:所有陶瓷样品均为纯钙钛矿相,无任何其他杂相出现;且组成在x=0.33处存在一准同型相界(MPB),在该相界附近三方相和四方相共存,而远离该相界则分别为纯三方相和四方相。相界附近组成随PT摩尔分数增加,介电峰变得尖锐,频率弥散减弱,即介电弛豫程度减弱。这主要是由于四方相增多,三方相减少,从而使弛豫铁电体变为正常铁电体。 相似文献
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采用传统固相法制备Dy2O3掺杂(Ba0.7Sr0.3)TiO3系电容器介质陶瓷,通过扫描电镜、X线衍射仪及LCR测试系统,研究不同含量的Dy2O3对体系微观结构及介电性能的影响.结果表明,随着Dy2O3添加量的增大,(Ba0.7Sr0.3)TiO3陶瓷平均粒径减小且Dy2O3掺杂(Ba0.7Sr0.3)TiO3陶瓷均为钙钛矿结构单相固溶体.Dy2O3通过占据钙钛矿晶格A、B位引起(Ba0.7Sr0.3)TiO3陶瓷晶格畸变,体系自发极化能力降低,进而显著降低了体系室温相对介电常数及介电损耗.随着Dy2O3添加量的增大,(Ba0.7Sr0.3)TiO3陶瓷居里温度向负温方向移动,且体系的相对介电常数及介电损耗随温度变化显著. 相似文献
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BBS玻璃掺杂对CLST陶瓷介电性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用传统陶瓷工艺制备了BaO-B2O3-SiO2(BBS)玻璃掺杂的CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(CLST)介质陶瓷,用X-射线衍射仪,扫描电镜及电感-电容-电阻测试仪等对其烧结特性、相结构及介电性能进行了系统研究.结果表明,BBS掺杂能显著降低CLST陶瓷的烧结温度,由1 300℃降至1 100℃.BBS掺杂量为7%(质量比),烧结温度为1 100℃时,CLST陶瓷具有较好的综合介电性能:介电常数εr=62,介电损耗tan δ=0.007,频率温度系数τf=0.82×10-6/℃. 相似文献
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研究了固相反应法和熔盐法两种制备方法对BiNbO4微波陶瓷的烧结温度、微观形貌、结构和介电性能的影响。实验表明:在添加CuO和V2O5分别为0.1%(质量分数)时,固相反应法在较低的烧结温度下可获得较致密的陶瓷样品,样品表面晶粒呈球状,品质因数与谐振频率的乘积即Q×f值较大,谐振频率温度系数为正值;熔盐法制得的陶瓷样品具有明显的各向异性,晶粒呈棒状,谐振频率温度系数随烧结温度的升高由正值向负值变化,在940℃烧结,介电常数为38,Q×f值为7781 GHz,谐振频率温度系数近零,为0.92×10-6/℃。两种方法制得的陶瓷样品在微波频段介电常数相近。 相似文献
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BST陶瓷制备及介电性能研究 总被引:1,自引:1,他引:1
采用微波水热法合成了纳米晶钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,简称BST)粉体,并将粉体烧结成陶瓷,对样品的介电性能进行了测试,研究分析了材料的介电性能,并与传统制备工艺获得的样品进行了性能上的对比,实验结果表明:微波水热法获得的BST粉体较细,其合成温度和烧结成瓷温度较传统制备工艺大幅降低,分别为195℃和1 230℃,可以获得晶粒尺寸在3μm以下的陶瓷。随着晶粒的减小,BST陶瓷的相对介电常数和介电损耗降低,尤其是介电损耗因子有较大幅度降低。 相似文献
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热压烧结AlN-BN复合陶瓷的制备及介电性能 总被引:6,自引:0,他引:6
用热压工艺制备一系列BN含量(质量分数)为0~30%的AlN-BN复合陶瓷材料,研究了三氧化二钇和碳酸钙添加剂对致密性及介电性能的影响。结果表明:三氧化二钇和碳酸钙均有促进瓷体致密化的作用,但碳酸钙含量增加会造成组分不均匀,介质损耗增加。BN的质量分数为20%、三氧化二钇质量分数为5%的条件下,获得相对介电常数为8.5、介质损耗为0.000 683(1 MHz下)的AlN-BN复合陶瓷材料。测定了复合陶瓷介电常数及介质损耗随频率 (0.01~1 MHz)变化的特性,探讨了复合陶瓷介电常数与介质损耗与制备工艺的关系。 相似文献
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采用传统固相烧结工艺制备了BaO-La2O3-nTiO2(n为3,4,5和6)微波介质陶瓷,研究了该系陶瓷的相组成、微观形貌和微波介电性能之间的关系。结果表明:该系陶瓷具有较优介电性能的主晶相为斜方晶系BaLa2Ti4O12,并且第二相的存在对其介电性能影响明显。烧结体致密性是Q·f及τf的重要影响因素。当n为4时,获得相对较优的介电性能:εr为139.7,Q·f为1239.0GHz和τf达180.0×10–6℃–1。 相似文献
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分别采用熔盐法和固相反应法预制的Ba0.85Sr0.15TiO3(BST)粉体,制备了BST-ZnO复合陶瓷。对陶瓷的晶相组成、微观形貌特征及介电性能进行了研究。结果表明,BST-ZnO复合陶瓷微观结构及介电性能受BST粉体性质的影响显著。以熔盐法预制BST粉体时,陶瓷的ZnO晶粒显著长大,其εr可达104量级。而以固相反应法预制BST粉体时,陶瓷的ZnO晶粒较小。当r(BST:ZnO)=0.4时产生纤维状ZnO晶粒,并在16~20℃附近出现与BST材料相似的相变特征。 相似文献
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钙钛矿型铌锌酸铅陶瓷材料合成及其性能 总被引:1,自引:0,他引:1
用X射线衍射和差热分析研究了铌锌酸铅Pb〔(Zn0.7Mg0.3)1/3Nb2/3〕O3陶瓷材料普通合成法和两种铌铁矿先驱体合成法的合成机理。研究表明,该材料的合成过程中,首先生成焦绿石相然后在较高温度生成钙钛矿相,先驱体法可以明显抑制焦绿石相的生成并使其反应温度向高温推迟,从而可以明显提高钙钛矿的产率。而简单先驱体法(PbO+ZN+MN)比复合先驱体法(PbO+ZMN)具有更好的合成效果。采用简单先驱体法通过合适的合成工艺可以制得钙钛矿含量大于95%的Pb〔(Zn0.7Mg0.3)1/3Nb2/3〕O3陶瓷材料,其介电温谱具有明显的弥散性,为无序铁电陶瓷材料。研究发现,差热分析作为判断焦绿石和钙钛矿反应温度的重要依据,可以用于铌锌酸铅系陶瓷材料钙钛矿的合成研究。 相似文献
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采用固相反应法制备了Mg4Nb2O9微波介质陶瓷,研究了添加V2O5对其烧结温度、微观结构和介电性能的影响。结果表明:当添加0.5%(质量分数)的V2O5时,Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度从1350℃降低到1150℃,烧结温度范围拓宽为1150~1300℃;在1150℃烧结5h后,其介电性能达到最佳:εr=11.86,Q·f=99828GHz(11.2GHz),τf=–57×10–6/℃(10~90℃,1MHz)。当w(V2O5)增大到1.5%时,Mg4Nb2O9陶瓷的介电性能变差。 相似文献
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B位非化学计量比对0.6BCN-0.4BZN陶瓷性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用传统固相反应法,制备了Ba(Co0.6Zn0.4)1/3Nb2/3O3(0.6BCN-0.4BZN)微波介质陶瓷。系统研究了Ba(Co0.6Zn0.4)(1/3+x)Nb2/3O3陶瓷中B位(Zn,Co)离子的非化学计量比(x=-0.015,-0.009,-0.003,0,0.003,0.009,0.015)对该微波介质陶瓷性能的影响。结果表明:少量的B位离子缺量,可以促进烧结的致密化。x为-0.009时所制陶瓷密度最大,达到理论密度的99%以上。在1400℃下烧结20h,可以获得εr=35.35,Q.f=40787GHz(f=5.180GHz),τf=-3×10-6/℃的0.6BCN-0.4BZN陶瓷。 相似文献
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研究了w(B2O3)=0.5%~3.0%(质量分数)对Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)微波介质陶瓷结构和微波特性的影响。实验结果表明,B2O3掺杂可促进烧结,当w(B2O3)=1%时,BMT陶瓷致密化烧结温度降至1 200℃左右,其表观密度ρ=7.306g/cm3,相对密度达到95.7%,同时,陶瓷体系获得了良好的介电常数εr=22.08,品质因数Q.f=88 000GHz(10GHz),频率温度系数τf=3.3×10-6/℃。 相似文献