流延法制备SrBi4Ti4O15压电陶瓷

采用同相法和熔盐法（KCl-NaCl作为熔盐）合成SrBi4Ti4O15陶瓷粉体，用模板晶粒定向技术（TGG）获得具有各向异性晶粒定向排列的SrBi4Ti4O15陶瓷。实验中，着重探讨了流延成型的工艺。分析表明，以预烧温度900℃模板和900℃固相粉体在1200℃烧结合成制得的流延片的取向度（79．52％）较高，定向排列程度较高，但由于实验过程中，添加了大量有机溶剂，所以有许多缺陷存在。以900℃模板在1200℃烧结的流延陶瓷片的介电性能最好.     

CuO掺杂铌酸盐基无铅压电陶瓷的性能研究

采用固相反应法制备了主成分为0．94（Na0.5K0.5）NbO3—0．03LiSbO3—0．03LiNbO3（简称为NKNLS-3）的无铅压电陶瓷,探讨了掺杂不同量的CuO对材料相结构、显微结构和电学性能的影响,以期获得最佳的配方。实验结果表明：CuO的掺入使d33先降低后升高,εr显著降低,机械品质因数Qm增大。当CuO掺杂量为0．3mol%时,陶瓷样品的综合压电性能最好：d33=106pC／N,tgδ=0．054,εr=340,kp=0．29,Qm=85。     

BNBMT无铅压电陶瓷的制备及性能研究

本文采用新型溶胶-凝胶制粉技术和传统陶瓷生产工艺制备了0.93Bi0.5Na0.5TiO3-0.07Ba1-xMgxTiO3（简称BNBMT100x）体系无铅压电陶瓷,并对BNBMT陶瓷的晶相特征及其介电和压电性能进行了讨论。XRD分析表明,陶瓷样品均形成了单一的钙钛矿结构固溶体;Mg的加入对陶瓷的介电、压电性能有显著影响;陶瓷的铁电-顺电相变峰显著降低、展宽;介电损耗在室温至200℃范围内较平缓。当x=0.04时,机电耦合系数kp和kt最大,分别为16%和19%,压电常数d33值为111pC/N。     

无铅压电陶瓷制备方法的研究进展

无铅压电陶瓷的开发和应用已经成为各个国家的研究热点.无铅压电陶瓷的制备方法是决定其结构、性质和应用的关键因素.本文从粉体制备方法和陶瓷制备新技术两个方面综述了近几年无铅压电陶瓷制备方法(如溶胶-凝胶法、水热法、熔盐法、压电厚膜技术、放电等离子烧结技术等)的研究进展,并对制备出的无铅压电陶瓷的性能与传统方法进行了对比,讨论了不同制备方法的优缺点.     

晶粒定向技术制备无铅压电陶瓷的研究现状与进展

压电陶瓷晶粒定向技术是一种结构改性,它是利用压电材料性能各向异性的特点,将无规则取向的陶瓷晶粒定向排列。其特点是能够在不改变材料居里温度的前提下大幅度提高陶瓷的压电性能,常见的有热处理技术、模板晶粒生长技术、多层晶粒生长技术和定向凝固法等。本文主要介绍了热处理技术和模板晶粒生长技术并综述了晶粒定向技术对常见的几类无铅压电陶瓷结构和性能的影响。     

锂掺杂KNN-BNKT无铅压电陶瓷性能研究

采用液相包覆法制备了结构致密的铌酸钾钠基[(K0.5Na0.5NbO3-K0.1Na0.4Bi0.5TiO3)-xLiNbO3,0≤x≤0.02]无铅压电陶瓷,研究了掺杂Li+对铌酸钾钠钛酸铋钾钠K0.5Na0.5NbO3-K0.1Na0.4Bi0.5TiO3(KNN-BNKT)晶体结构和压电、介电性能的影响。结果表明:当Li+含量在x取0～0.010(摩尔分数)时,陶瓷样品均形成了均一的钙钛矿型结构。Li+掺杂量对陶瓷压电、介电性能有很大的影响,其压电常数(d33)随着Li+掺杂量的增加先升高后降低,并在x=0.010的时候取得最大值。实验表明:当x=0.01时,(K0.5Na0.5NbO3-K0.1Na0.4Bi0.5TiO3)-xLiNbO3无铅压电陶瓷表现出较好的压电性能:d33=173pC/N,相对介电常数εr=620.745,介电损耗tanδ=0.0132,kp=27.35%,kt=26.34%,Qm=48.97。     

无铅压电陶瓷制备方法的研究进展

无铅压电陶瓷的开发和应用已经成为各个国家的研究热点。本文从粉体制备方法和晶粒定向生长技术两个方面综述了近几年无铅压电陶瓷主要制备方法（如溶胶-凝胶法、水热法、熔盐法、热处理技术等）的研究进展,最后对其今后的发展方向做出了展望。     

Na0.5Bi0.5TiO3基无铅压电陶瓷研究与应用的新进展

综述了钙钛矿结构的Na0.5Bi0.5TiO3(简称BNT)基无铅压电陶瓷的研究现状,并与其它无铅基压电陶瓷进行了对比.列举了近年来BNT 基压电陶瓷的新发展和热门体系,结合笔者承担的相关研究工作内容,总结和指出了BNT基无铅压电陶瓷新的研究思路和相关方向.     

钛酸钡系无铅压电陶瓷的研究进展

钛酸钡（BaTiO3）压电陶瓷具有优异的电性能和低污染性，长期以来是人们重点研究的对象。本文综述了近年来BaTiO3系无铅压电陶瓷研究开发的几种体系与进展，着重介绍了BT--BNT和BT-BKT二元系无铅压电陶瓷的结构及性能。同时对BaTiO3系无铅压电陶瓷的发展趋势作了评述。     

无铅压电陶瓷的研究进展

在压电陶瓷领域，无铅压电陶瓷从环保的角度考虑越来越引起人们的注意。本文主要综述了以BNT为基的3类无铅压电陶瓷体系。它们都是很好的无铅压电陶瓷的侯选材料，其中BNBT－6，BNTN－3和BNST－2的机电耦合常数K33分别为0．55，0．43，而且具有较高的频率常数和较小的介电系数，适用于众多高频超声换能检测领域以及压电致动装置等方面，所以作为无铅压电陶瓷它们是很有潜力的。     

无铅压电陶瓷的开发及目前研究现状

无铅压电陶瓷的开发和应用已经成为各个国家的研究热点.本文结合国际开发研究现状,从压电结构的钙钛矿型结构入手,主要论述了无铅压电陶瓷的发展现状,以及目前主要的无铅压电陶瓷的研究体系.探讨了生产的新工艺和新的压电陶瓷体系开发的研究方法;并对无铅压电陶瓷的研究开发前景做了展望.     

氧化铋掺杂对铌酸钾钠无铅压电陶瓷性能的影响

用传统固相反应法制备了结构致密的铌酸铋钾钠[(Na0.5K0.5)1-3xBixNbO3,0≤x≤0.05]无铅压电陶瓷,研究了掺杂氧化铋(Bi2O3)对铌酸钾钠(Na0.5K0.5)NbO3(NKN)晶体结构和压电性能的影响.结果表明:当Bi2O3含量x＜0.02时,能得到具有纯钙钛矿结构的(Na05K0.5)1.3xBixNbO3陶瓷.最佳烧结温度随Bi2O3含量的增加而升高,与纯铌酸钾钠陶瓷相比,样品密度显著提高.Bi2O3掺杂量对铌酸钾钠的压电性能有很大影响,其压电常数(d33),机电耦合系数(kp,kt)随Bi2O3含量的增加先升高而后降低,并在x=0.01时达到最大值,机械品质因数(Qm)有明显提高.实验表明:当x=0.01时,(Na0.5K0.5)1-3BixNbO3无铅压电陶瓷的密度达4.42g/cm3,表现出优异的压电性能:d33=154×10-6C/N,kp=45%,kt=46%,介电损耗tanδ=3.5%,相对介电常数ε=598,Qm=138.     

Bi0.5Na0.5TiO3基无铅压电陶瓷设计与制备研究的新进展

综述了Bi0.5Na0.5TiO3(BNW)基无铅压电陶瓷体系研究的最新进展,介绍了BNT基无铅压电陶瓷的设计方法及其制备技术.用自洽场离散变分法(self-consult charge-discrete variation-Xa,SCC-DV-Xa)等计算方法可为设计新型BNT基陶瓷提供重要的理论指导.用湿化学法,包括:溶胶-凝胶法、柠檬酸盐法、水热法等,可以合成BNT基纳米粉体,该类方法制备的BNT基粉体具有良好烧结活性,利于致密化烧结,使材料电性能得到改善.用模板晶粒生长技术可获得晶粒生长定向程度很高的BNT基压电陶瓷材料,进而提高材料在特定方向的压电性能.     

LixNa(0.52-x)K0.48NbO3无铅压电陶瓷性能研究

采用普通的固相烧结方法制备了LixNa(0.52-x)K0.48NbO3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的显微结构及压电性能。随着Li含量的增加陶瓷烧结温度降低,相结构逐渐由正交相向四方相转变。在x=0.05时,压电常数d33达到117pc/N,平面机电耦合系数kp为36.4%,介电损耗tanδ为0.032。     

PBSZT系大功率压电陶瓷极化工艺的研究

为探索大功率低损耗压电陶瓷材料的最佳制备工艺,对改性锆钛酸铅压电陶瓷Pb0.9Ba0.05Sr0.05(Sn1/3Nb2/3)0.06(Zn1/3Nb2/3)0.06Ti0.44Zr0.44O3 0.5wt%MnO2 0.5wt%Sb2O3的极化工艺进行研究。结果表明,该体系的最佳极化电场为4Kv/mm,极化温度120℃左右,此时得到的陶瓷性能较佳。     

(Na,K)NbO_3基无铅压电陶瓷的研究进展

本文主要综述近几年来国内外有关(Na,K)NbO3基无铅压电陶瓷体系的加压固相烧结技术、液相助烧致密化技术、掺杂改性、相结构调控以及相关机理研究方面的研究进展和动向,并展望该陶瓷体系在医疗超声换能器技术方面的应用前景。     

NBT基无铅压电陶瓷的研究进展

由于环境保护的要求，无铅压电材料越来越受到关注，NBT基压电陶瓷是目前研究较多的一种无铅压电材料，采取各种掺杂措施可以提高其压电性能，获得具有实用价值的无铅压电陶瓷材料。