中芯国际2006年3月开始量产90nm产品

中国的半导体代工企业——中芯国际集成电路制造（SMIC：Semiconductor Manufacturing International）将于2006年3月进入90nm工艺量产体制，预计90nm工艺产品的销售额将出现在2006年第二季度（2006年4月-6月）的业绩中。中芯国际社长兼CEO张汝京表示，除了已经公开的德国英飞凌以外，还有数家公司计划委托中芯国际使用90nm工艺进行代工。英飞凌委托中芯国际使用90nm工艺制造的是DRAM产品，预定于2006年第三季度进入量产阶段；而对于在第二季度就能带来销售额的90nm产品，张汝京并没有公开委托公司的具体名称，只是表示是从两家公司接到了逻辑LSI产品的委托制造订单。     

中芯通过尔必达90nm工艺认证将于北京300mm厂投产DDRII

中芯国际19日正式对外宣布，获得其重要代工客户尔必达（Elpida）旗下90nm512MbDDRII认证，此一产品预期将于中芯北京300mm晶圆厂投产，且据悉，尔必达也是中芯北京300mm厂第一个采用90nm工艺投产的客户。     

Spansion与中芯国际扩展代工协议扩大65nm产能生产45nm闪存

NOR闪存领先供货商Spansion与中国最大的晶圆代工领导企业中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际）宣布双方将延伸目前的代工协议以扩展中芯目前的65nm代工产能．并为Spansion制造45nm闪存。     

Spansion与中芯国际签署晶圆代工协议

2007年10月24日，Spansion公司宣布，为加强对中国市场的关注力度，Spansion已与晶圆代工领域的领先企业中芯国际集成电路制造有限公司展开合作，将向中芯国际转让65nm的MirrorBit技术，用于其在中国的300mm晶圆代工服务。中芯国际与Spansion还签署了一项初步谅解备忘录，将授权中芯国际为中国的与内容发布相关的产品应用市场制造和销售90nm、65nm以及将来的Spansion Mirror Bit Quad产品，从而使中芯国际进入特定的闪存细分市场。[第一段]     

2007中国半导体制造业年度人物

中芯国际（SMIC）总裁兼首席执行官张汝京（Richard Chang） 2007年12月,中芯国际上海12英寸生产线（Fab8）正式运营。同月,中芯国际与IBM签订45nm bulk CMOS技术许可协议,使中芯国际为全球客户提供45nm代工服务有了可能。     

中芯国际采用ARM物理IP支持90nm技术下的低功耗高性能设计

日前，全球领先的代工厂商中芯国际集成电路制造有限公司和ARM公司共同宣布：中芯国际采90nm LL（低渗漏）和G（主流）处理工艺。该协议通过在ARM网站免费下载的方式进一步增进了两家公司在推动前沿设计和制造方案的协作和承诺。     

DRAM及NAND是中国12英寸芯片线的出路

台积电赴大陆投资0.18微米制程（8英寸晶圆）申请案获批准：台积电早于2005年1月即向台湾当局提出赴大陆投资0．18微米制程申请．不过迟迟未能获得放行，让竞争对手中芯国际有充裕的时间奋起直追：期间大陆晶圆代工龙头中芯国际积极发展先进制程．第一批90纳米逻辑产品已于2006年第三季正式量产．其中第三季90纳米产品比重已达4．9％65纳米工艺技术也有望于明年下半年出台。     

上广电与Cadence将合资成立上海广电集成电路公司

中芯国际和ARM日前宣布,中芯国际采用ARM(r) Artisan(r)物理IP系列产品中的ARM Metro(tm)低功耗/高密度产品和Advantage(tm)高性能产品,用于90nm LL(低渗漏)和G(主流)处理工艺。ARM称,2006年第四季度,客户可通过ARM网站免费获取用于中芯国际90nm工艺的ARM物理IP。     

AMD64进入90nm工艺明年将“绑定”特许完全转向65nm

AMD日前披露，新加坡晶圆代工厂商特许半导体（Chartered）已开始利用90nm工艺为AMD生产AMD64微处理器，生产在特许半导体的Ф300mm工厂中进行。双方表示，计划在2007年年中的时候开始利用65nm制造工艺进行生产。     

Spansion与中芯国际签署晶圆代工协议

纯闪存解决方案供应商Spansion Inc宣布，为加强对中国市场的关注力度，Spansion已与晶圆代工领域的领先企业中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”）展开合作。Spansion将向中芯国际转让65纳米MirrorBit技术，用于其在中国的300毫米晶圆代工服务。中芯国际与Spansion还签署了一项初步谅解备忘录，将授权中芯国际为中国的与内容发布相关的产品应用市场制造和销售90纳米、65纳米以及将来的Spansion MirrorBit Quad产品，从而使中芯国际进入特定的闪存细分市场。     

Spansion与中芯国际签署晶圆代工协议

Spansion Inc．——全球纯闪存解决方案供应商之一，为加强对中国市场的关注力度，已与晶圆代工领域的领先企业中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际；SMIC）展开合作。Spansion将向中芯国际转让65纳米MirrorBit技术，用于其在中国的300毫米晶圆代工服务。Spansion与中芯国际还签署了一项初步谅解备忘录，将授权中芯国际为中国的与内容发布相关的产品应用市场制造和销售90纳米、65纳米以及将来的Spansion MirrorBit Quad产品，从而使中芯国际进入特定的闪存细分市场。     

90nm与65nm光刻工艺各有千秋

2003年下半年起英特尔等世界顶级IC公司陆续量产90nm芯片，比国际半导体技术蓝图ITRS2001／2003要求2004年实现90nm工艺的规划提前了一年。2005年底、2006年初世界半导体市场“霸主”英特尔量产65nm芯片，比ITRS2003要求2007年实现65nm工艺的规划整整提前了一年，两者如出一辙。光刻工艺是量产90／65nm芯片最重要、最关键的工艺之一，也是使用频率最高的工艺，如90／65nm铜互连需8层金属布线，那至少要进行15次光刻，因为金属互连层间还需绝缘层隔离。目前光刻工艺能量产的只有光学光刻技术，它是通过不断缩短曝光波长（λ）、增大数值孔径（NA）和降低工艺因子（k1）来提高其水平，从而达到不断缩小芯片的特征尺寸的目的，如从90nm——65nm。     

中芯国际和新思科技携手推出Reference Flow4．0

新思科技公司与中国内地芯片代工企业中芯国际集成电路制造有限公司将携手推出全新的65nm RTL-to-GDSII参考设计流程4.0（Reference Flow 4.0）。作为新思科技专业化服务部与中芯国际共同开发的成果,该参考流程中增加了Synopsys Eclypse低功耗解决方案及IC Compiler Zroute布线技术,为设计人员解决更精细工艺节点中遇到的低功耗和可制造性设计等问题提供更多的可用资源。     

中芯国际启动32nm工艺技术开发已获批准

中芯国际集成电路制造（SMIC）将从2009年1月正式启动32nm工艺技术的开发。开发得以启动的原因是美国政府批准向SMIC提供32nm工艺技术。在得到美国政府许可后，SMIC将在该公司拥有尖端技术的全部工厂启动32nm逻辑工艺的开发。并且，该公司还有可能从2009年1月开始，利用SMIC在武汉的300mm晶圆生产线，启动32nm工艺闪存的研究开发。SMIC在此前已经与美国Spansion就探讨制造32nm工艺的闪存达成了协议。     

中芯国际和新思科技携手推出Reference Flow4．0

半导体设计．验证和制造软件及知识产权（IP）供应商新思科技公司与中国内地最大的芯片代工企业中芯国际集成电路制造有限公司（“SMIC-”）日前宣布．将携手推出全新的65nm RTL-to-GDSII参考设计流程4．0（ReferenceFlow4．0）。作为新思科技专业化服务部与中芯国际共同开发的成果,该参考流程中增加了Synopsys Eclypse低功耗解决方案及IC Compiler Zroute布线技术。为设计人员解决更精细工艺节点中遇到的低功耗和可制造性设计（DFM）等问题提供更多的可用资源。     

Spansion与SMIC达成新代工模式

如何提高产能、并且降低制造成本一直是存储行业厂商的竞争力所在.Spansion 继宣布量产300mm65nm工艺MirrorBit闪存的消息之后再度发出消息,宣布与SMIC(中芯国际)签署晶圆代工协议,使得Spansion 300mm晶圆厂增加到3家,并且spansion在会上也宣布了此次合作将与以往的代工合作有所不同.     

台积电再度起诉中芯国际芯片巨头重打司法战

2006年8月28日消息，台积电宣布，已正式在美国起诉中芯国际侵犯知识产权。台积电与中芯国际分别是全球及中国内地最大芯片代工商。     

高通：开启中芯国际代工合作第一章

日前，高通与中芯国际代工战略合作正式在天津启动，合作重点是用于3GCDMA手机的电源管理芯片，至此高通的代工厂由3家增至5家，在提高产能的同时，也进一步将其全球供应链布局延展到了中国内地。对于中芯国际而言，中芯国际则在成立短短6年后首次赢得了高通公司这一全球最大的无生产线（Fabless）芯片厂商的青睐，全球前五大Fabless都己成为其代工的客户。     

三星成立子公司跨入芯片代工行业

韩国三星电子公司资深官员日前表示，公司计划今年年底它的代工芯片子公司的产能将增加1倍，将成为一个打入代工芯片业务参与有效竞争的新对手。三星电子公司的子公司三星半导体公司的目标是：将采用客户需要的最先进的制造方法——通过和IBM公司、特许半导体公司的半自动技术联盟，获得最先进的45nm制造工艺。三星电子公司美国子公司新的技术副总裁Ana Hunter说：“我们将专注于90nm和90nm以下的制造工艺，     

良率提高，众DRAM内存厂商纷入“70纳米时代”

目前，众DRAM内存厂商纷纷买入70nm制造工艺。奇梦达（Qimonda）正式对外宣布，将于2006年底前导入75nm工艺，并计划于德国300mm厂试产，而身为其重要合作伙伴的华亚科也对外表示，与奇梦达最新工艺制造技术将会同步。据了解，到8月底前华亚科将全部改采用90nm工艺来生产DRAM。