外电场下4-溴苯酚的分子结构和解离特性

采用密度泛函方法(DFT)和含时密度泛函方法(TDDFT)在B3LYP/6-311+G(d,p)基组水平上优化计算了在不同外电场作用下4-溴苯酚分子的物理性质,包括键长、键角、分子体系总能量、偶极矩、能隙、红外光谱、解离特性以及激发态.研究表明在外电场(0～0.03 a.u.)作用下,4-溴苯酚分子结构有明显的变化,随...     

基于中红外量子级联激光器系统的甲醛和甲烷光谱检测

采用相对灵敏度为3.61×10-6cm-1Hz-1/2的QCL气体检测系统对室温下的甲醛气体进行了吸收光谱的测试,采用F-P标准具对系统进行相对频率校准,根据此波段甲烷的吸收谱线对甲醛吸收光谱进行绝对频率校准.当调谐QCL工作温度为-15℃~20℃,以每5℃变化时,采集并处理相应的频率调谐光谱.采用He,Ne,Kr,O2和CO2作为本波段的非吸收性缓冲气体作用于甲醛,通过计算光谱数据得出1 253.143 92 cm-1处甲醛的吸收线强度.给出了N2中的展宽光谱以及相应的光谱数据处理残差结果,并对结果进行了分析.     

基于C51单片机的便携式甲烷浓度检测仪

本文介绍了一种基于C51单片机与红外光谱的吸收特性的便携式甲烷浓度检测报警仪的设计与实现。采用红外光谱技术对甲烷气体的浓度进行定量分析,并在超过设定值时报警,并能通过串口与PC机进行通信,适合于用在矿场开采的安全检查中,测量范围0~100%,且使用方便,工作稳定,数据可靠。     

外电场下不对称阶梯型量子阱的等离激元特性

我们研究了Al Ga As/Ga As不对称阶梯形量子阱中准二维电子气的集体激发色散关系随电场的变化特性。发现正向电场会使子带间等离激元模变短甚至消失,反向电场会使子带间等离激元模变变长。该子带间集体激发模波矢的有效大小取决于最低两能级的波函数交叠程度。这些特性可能有利于研究基于电场效应的阶梯形量子阱结构的器件。     

甲烷流量对8.5代非晶硅光伏组件P层材料结构和光学性质的影响

本文研究了甲烷流量对作为工业非晶硅光伏组件的p层材料—非晶碳化硅结构和光学性质的影响.p层非晶碳化硅薄膜采用硅烷和甲烷混合气体在射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)设备中沉积制得,该设备是应用材料公司制造的尺寸为2.2 m × 2.6 m的8.5代系统.采用红外光谱和透射/反射谱分析与沉积工艺相关的键结构和光学性质.相同工艺条件下,当甲烷含量从3000 sccm增加到8850 sccm, p层非晶碳化硅薄膜的光学带隙逐步增加. p层非晶碳化硅薄膜的沉积速率随甲烷流量的增加而逐渐减小,其原因是硅烷-甲烷等离子体中SiH3粒子的减少.文中还通过在不同位置取样和分析沉积速率研究了大面积薄膜的均匀性.     

用红外光谱技术研究打蜡梨的红外光谱特性

采用CCD阵列光谱仪研究了打蜡梨的红外光谱特性。经分析,在655~660 nm波段,经过打蜡处理后的梨会出现吸收峰,而未经打蜡处理的梨则没有出现吸收峰;在610~620 nm波段,打过石蜡梨的红外图谱吸收峰峰高和未打蜡梨的红外图谱吸收峰峰高相当,而打过果蜡梨的红外图谱吸收峰远远低于未打蜡梨的红外图谱吸收峰。该结果表明红外光谱技术在打蜡梨检测中具有一定的可行性,同时也为进一步研究针对打蜡梨的智能化无损检测技术提供了参考依据。     

基于多模激光关联光谱的甲烷气体检测技术

为提高多模激光吸收光谱的灵敏度,将多模二极 管激光关联光谱、长程吸收技术和波长调制光谱结合,建立了一 套具有高检测灵敏度和高稳定性的气体检测系统。采用1675nm多模激光器作为光源,以光程为100 m的离散镜片型 多通 池作为气体吸收池,利用甲烷的2ν₃泛频带吸收谱线,通过计 算待测气体和参考气体的二次谐波信号峰值之间的关系,实 现了对CH₄气体的测量。实验在室温和20.265 kPa(即0.2个标准大气压)条件下进行 ,CH₄浓度范围为1.00×10－5－1.10×10－2。实验结果表明,CH₄浓度测量值与真实值之间具有良好的线性关系, 其线性度为0.997,系统的测量准确度为 3.50%,对浓度为2.60×10－6的气体样 品在30 min内的连续测 量表明系统稳定度优于2.53%。本方法具有操作简单、稳定性 好、灵敏度高和环境适应性强等优点,在工业过程控制和环境监测中具有广阔的应用前景。     

IInN0.01Sb0.99薄膜的红外反射光谱及探测特性和退火的影响

对基于GaAs失配衬底的新型红外探测材料InN0.01Sb0.99薄膜的远红外反射光谱, 以及制备成光电导器件后的黑体响应和光电流谱进行了测试, 获得了80 K温度下, 响应峰值约为4.4 μm、半高宽约为3.5 μm、截止波长约为5.7 μm的中波宽带响应红外探测原型器件.研究了退火对InN0.01Sb0.99薄膜光电导器件性能的影响, 发现退火能够改善晶体质量, 提高器件的响应能力, 并减小Moss-Burstein效应的影响.     

SIMOX薄膜材料的红外光谱特性和薄膜厚度的非破坏性测量方法

报道了SOI材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法,详细地研究了SIMOx材料的红外吸收光谱特性,求出了特征峰对应的吸收系数.提出利用红外吸收光谱测量SIMOX绝缘埋层厚度的非破坏性方法,并根据离子注入原理计算出表面硅层的厚度.SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度是SOI电路设计时最重要的两个参数,提供的非破坏性测量方法,测量误差小于5％.在SIMOX材料开发利用、批量生产中,用此方法可及时方便地检测SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度,随时调整注入能量和剂量.     

在外电场作用下有限抛物量子阱中类氢杂质态结合能

采用变分方法研究GaAs/AlxGa1-xAs有限抛物量子阱中类氢杂质态能量和结合能随外电场和阱宽的变化关系.在计算中考虑了电子有效带质量和介电常数随空间坐标(或合金组分)的变化因素.结果表明,外电场对类氢杂质态能量和结合能均有明显的影响,并且这些影响随着阱宽的增大而增大.电子有效带质量和介电常数随空间坐标的变化效应使得类氢杂质态基态能量减小,结合能增大,此效应随着阱宽的增大明显变小.     

外电场作用下InP电子结构与光学性质的计算

磷化铟(InP)已成为光电器件和微电子器件不可或缺的重要半导体材料。采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法,计算了不同外电场作用下InP超胞的电子结构和光学性质。计算结果表明:未加电场时InP的能隙值为0.876eV,随着z轴方向的外电场增大,该值逐渐减小,当电场强度达到1.0×10⁸V/cm时,InP的禁带宽度几乎为0。InP导带区域的总态密度随着外电场增大逐渐向费米面偏移,态密度跨度变小,而价带与导带的情况恰恰相反。外电场对介电函数虚部的影响主要体现在低能量区域(0~7eV),而在较高能量区域内可忽略不计。外电场对InP吸收系数的影响主要集中在近红外波段。     

体全息光栅外腔半导体激光器列阵的光谱特性

从理论上分析了强反馈外腔半导体激光器的工作原理,并采用了体全息光栅(VHG)外腔反射镜来改善大功率半导体激光器列阵(LDA)的光谱特性,这种体光栅具有很好的波长选择性,使得半导体激光器列阵的光谱线宽从2nm减小到0.22nm,增加了光谱亮度,而且随电流和温度变化的波长稳定性得到极大改善.     

外加电场作用下光折变晶体的各向异性自衍射

对于晶体ｃ轴平行于入射面的实验配置，观察到了掺杂钾钠铌酸锶钡（ＫＮＳＢＮ）晶体在外加电场作用下的各向异性自衍射现象；同时给出了包含光栅波矢空间分布和空间电荷场二阶分量作用的各向异性自衍射的耦合波方程及其数值解，理论分析和实验结果都表明各向异性自衍射光来自于两束入射光的共同作用     

电场中束缚极化子

采用线性组合算符及幺正变换方法研究了电场对量子阱弱耦合束缚极化子的性质的影响.推导出量子阱中束缚极化子的基态能量和库仑束缚势、电场和阱宽的变化关系.数值计算结果表明,基态能量因电场和库仑束缚势的不同而不同,随电场和库仑束缚势的增大而增大,随阱宽的增大而迅速减小.     

电场中束缚极化子

采用线性组合算符及幺正变换方法研究了电场对量子阱弱耦合束缚极化子的性质的影响.推导出量子阱中束缚极化子的基态能量和库仑束缚势、电场和阱宽的变化关系.数值计算结果表明,基态能量因电场和库仑束缚势的不同而不同,随电场和库仑束缚势的增大而增大,随阱宽的增大而迅速减小.     

甲基对硫磷溶液的荧光光谱及其特性————

为了研究甲基对硫磷溶液的荧光光谱及其特性,采用多功能光谱测量系统,对甲基对硫磷标准溶液在紫外光激励下的荧光光谱特性进行了实验研究。利用GAUSSIAN软件与量子力学理论进行了理论分析,获得了其荧光光谱的产生机理以及甲基对硫磷分子的相应跃迁能级差,估算了其中直线型结构的荧光团的电子跃迁能级差,估算值与理论值误差不大。结果表明,在波长为200nm～320nm的紫外光激励下,甲基对硫磷标准溶液产生4个荧光峰,分别位于435nm,467nm,567nm,650nm,最佳激励波长为200nm和295nm。4处荧光峰分别是溶剂丙酮分子中C=O上的n电子跃迁、硝基上的n电子跃迁、甲基对硫磷分子中氧原子与苯环形成的大共轭电子结构跃迁以及P=S上的n电子跃迁共同作用产生。以上结果对食品安全监管等领域检测有机磷农药含量是有帮助的。     

蓝色电子墨水微胶囊的制备及其电场响应行为

利用脲甲醛树脂为壁材制备了以酞菁蓝BGS(β-CuPc)颗粒分散在四氯乙烯(TCE)中的悬浮液为核材料的蓝色电子墨水微胶囊。研究了不同改性剂与表面活性剂对β-CuPc颗粒的改性效果及在TCE中的分散性、TCE／水界面张力及囊内β-CuPc微颗粒在胶囊内表面的吸附的影响。结果表明，用十八胺(ODA)改性的β-CuPc颗粒在TCE中的分散性有很大程度提高，其电泳移动速度是未改性前的20倍；TCE／水间的界面张力越大越有利于微胶囊的形成；在TCE中的油溶性表面活性剂Span-80的浓度不低于0．062mmol／L时，β-CuPc颗粒在胶囊内表面吸附被阻止。在100V／mm的直流电场下．微胶囊囊内TCE中分散的β-CuPc颗粒表现出良好的可逆移动特征。     

外电场与镜像电荷对碳纳米管场致发射的影响

在Fowler-Nordheim理论基础上,首先,引入两个参数口和口描述碳纳米管与无限大金属平面的偏离以及碳纳米管尖端电荷分布不均匀性等因数对场致发射的影响,并对不同的权重因子η1≡β／α进行了数值分析。结果表明,势垒结构与η1有关,而镜像电荷和外电场可以使表面势垒高度降低,宽度变窄。其次,用第一类和第二类全椭圆积分严格地给出了场致发射几率。以碳纳米管场致发射为例,选择电子能量为-3.50eV,外场强度为10^3V／μm,权重因子为10^-4,可得电子穿透系数为7．0×10^-14;选择管间距为2．5μm,可得平板阵列场致发射电流密度为43．2A／cm^2。     

静电场与恒定电流场的转化与统一

本文讨论静电场和恒定电流场。目前教材中这两部分是完全独立的。正是爱因斯坦的相对论把两者统一起来,即没有绝对运动,也没有J→、绝对静止。文中把电流J→和电荷P看作统一的四维矢量。研究表明：在运动坐标x＇r＇y＇系中,电介质内可以存在电流,;而导电媒质内则可存在电荷p（尽管极小）,这就是静电场与恒定电流的相互转化和统一。文...