第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会在北京召开

由中国电子学会生产技术学会三束学组和中国电子学会半导体与集成技术学会超微细加工及三束学组联合举办的第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会于1984年11月2日—5日在北京举行。来自全国98个单位的258名代表出席了本届年会,会上     

第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会简讯

由中国电子学会生产技术学会“三束”专业委员会、半导体与集成技术学会超微细加工及“三束”学组联合召开的第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会于1984年11月2-5日在北京香山举行。来自全国各地的高等院校、科研单位、工厂共98个单位,258名代表参加了会议. 中国电子学会半导体集成技术学会主任委员王守武同志致开幕词,国务院电子振兴领导小组办公     

第四届全国电子束、离子束、光子束学术年会将于今年四季度召开

经中国电子学会批准,由中国电子学会半导体与集成技术学会超精细加工学组与中国电子学会生产技术学会“三束”学组联合召开的全国第四届电子束、离子束、光子束学术年会将于今年四季度召开。本届年会将总结、交流“三届”年会以来在电子束、离子束和光子束的设备及微细加工工艺技术方面的研究与应用成果与进展。具体内容如下:     

会议简讯

由美国真空学会、美国电机及电子学工程师联合会电子器件学组和电化学学会联合主办的1983年国际电子束、离子束和光子束讨论会于5月31日至6月3日在美国加利福尼亚州洛杉矶举行。在本届全体会议上,宣读了分子级制造技术和分子电子器件、激光直接书写工艺和用聚焦离子束实现毫微米结构的无掩模蚀刻等三篇报告。在随后举行的分组会议上,共     

从84年“三束”会议看粒子束曝光技术的现状和发展

今年五月底六月初我们出席了在美国纽约附近的Tarrytown召开的1984年国际电子束离子束和光子束讨论会(简称“三束”会议)。会议前后,我们还参观了一年一度的美国西部半导体设备和材料展览会(Semicon/West),访问了斯坦福大学的固态电子学实验室,廉奈尔大学的国家亚微米中心,IBM的华生研究中心,Varian,Micro-mix,SVG公司等。下面就我们在会上及参观访问过程中了解到的关于粒子束(电子束,离子束,X射线及光子束)曝光技术的情况谈谈我们的粗浅看法。     

第37届(1993)国际三束会议及顺访美国FEI公司

1.1 会议概况 国际三束会议是由美国真空学会(AVS)、美国电机和电子工程师学会(IEEE)、美国光学学会(OSA)联合举办的学术性年会。会议主要内容为电子束、离子束、光子束(三束)的科研、技术、工程和应用,涉及电子束技术、离子束技术、光学曝光和X射线曝光技术、微米和纳米加工、纳米结构和纳米器件、干法刻蚀和薄膜淀积、计量测量和诊断、电子离子光学、三束引起的化学物理过程等方面。这些内容直接应用于微电子学(硅集成电路)、     

第十六届世界“三束”会议概况

<正> 第十六届电子束、离子束、光子束学术讨论会,于5月26日至29日在美国德克萨斯州达拉斯召开。我国代表连同在国外访问的学者共7人出席了这次学术会议。参加这次会议的科技人员共约300余名。     

简讯

由中国电子学会半导体与集成技术学会和生产技术学会共同的举办第六届全国电子束、离子束、光子束学术年会于1991年3月11日～13日在北京国际会议中心举行。出席这次大会代表共160余人。 大会特邀报告5篇,论文106篇。这样论文集中反映了第五届“三束”年会后二年多来,我国在“三束”设备和“三束”技术及其在科研生产应用方面的进展和现状。论文内容主要在微电     

从86年的“三束”会议看当前电子束曝光机的最新进展

第30届国际电子束、离子束、光子束会议已于今年5月27日至30日在美国波士顿举行,参加会议的人数为420人,其中美国347人,日本36人,英国13人,西德6人,荷兰5人,奥地利4人,其它国家9人。大会收到论文102篇,其中美国65篇,日本21篇,英国6篇,西德5篇,中国4篇,荷兰1篇。     

第二届全国三束及超精细加工年会在常州召开

由中国电子学会生产技术学会、半导体与集成技术学会联合召开的第二届全国电子束、离子束、光子束及超精细加工学术年会于1982年10月27日至11月1日在常州举行。来自全国各地95个单位的282名代表参加了这次会议。会上共有174篇论文分别在6个专业组上宣读,另有51篇论文进行书面交流。美国橡树岭国家实验室B.R.Applton博士应邀到会作了半导体离子注入及激光退火的专题报告。     

第二届全国电子束离子束光子束(三束)及超微细工艺学术年会在江苏常州举行

由中国电子学会生产技术学会三束学组和中国电子学会半导体与集成技术学会三束与超微细加工学组联合举行的我国第二届电束离子束光子束及超微细工艺学术年会于;19够年10月28日至1982年n月1日在江苏省常州市举行。出席这次年会的有来自全国从事三束技术研究开     

集成电路制造中的三束技术

集成电路制造工艺技术种类繁多,包括光刻、刻蚀、氧化、扩散、溅射、封装等。作为代表性的先进工艺技术是电子束、离子束和光子束加工技术,俗称三束技术。对三束技术做了介绍。     

第一届全国电子束离子束光子束学术年会论文集即将发行

由中国电子学会生产技术学会三束技术学组编辑,由中国人民解放军第三炮兵学校印刷厂印刷的第一届全国电子束离子束光子束学术年会论文集已编印就绪,准备在近期在国内内部发行。该论文集收集了经第一届全国三束学术年会各专业组评议推荐的论文共七十二篇,内容包括发展动态、整机、部件、工艺及应用等,是迄今国内在三束技术领域内比较完整的技术资料。适合于从事三束技术研究开发     

前言

本世纪中叶以来,随着半导体技术的飞速发展,人们对以电子束、离子束和光子束技术为代表的半导体新工艺技术的研究、开发及应用越来越深入广泛。其中,离子注入技术的发展更为突出,现已成为半导体器件和大规模集成电路制造的重要技术基础之一,并在材料改性等方面开辟了新的应用领域。     

学术动态

1979年5月30日至6月1日,在美国真空协会和IEEE电子器件组的支持下,在波斯顿召开了第15届电子束、离子束和光束工程学讨论会,约有400人参加.会议的主要内容是离子束刻蚀以及用各种方法力求达到100埃的微加工极限.关于电子束曝光和X射线曝光两年来也取得了很大进展,发表了很多研究论文.     

全国激光显微光谱定量分析方法专题学术交流会在昆明召开

由中国矿物岩石地球化学学会微束分析委员会激光学科组主持的垒国激光显微光谱定量分析方法专题学术交流会于1984年4月23日至5月13日在昆明召开，参加会议的有来自全国22个省（市）、自治区，54个单位的62名代表。会议分激光显微光谱分析法的原理、仪器设计、定量和半定量分析方法、应用等十个专题，以专题讲座和互相讨论相结台的方式进行充分的讨论与交流。     

简讯

由中国矿物岩石地球化学学会微束分析委员会激光学科组主持的全国激光显微光谱定量分析方法专题学术交流会于1984年4月23日至5月13日在昆明召开,参加会议的有来自全国22个省(市)、自治区,54个单位的62名代表。会议分激光显微光谱分析法的原理、仪器设计、定量和半定量分析方法、应用等十个专题,以专题讲座和互相讨论相结合的方式进行充     

离子束应用国际会议简讯

第6届离子束材料改性国际会议将于1988年6月12—17日在日本东京召开。会议将交流与讨论(1)离子束与固体相互作用;(2)离子束混合;(3)离子束金属改性;(4)离子束绝缘体改性;(5)半导体中的离子注入;(6)材料改性新技术等多方面的学术内容。     

中国电子学会广播电视学会召开1984年学术年会

中国电子学会广播电视学会于1984年12月2日至8日在福州市召开1984年学术年会.与会代表106名,共收到各种论文71篇.年会期间,广播电视学会委员会举行了多次会议,正式成立了电视、应用电视、发送、接收、电声、磁记录和理论与系统研究等7个专业学组.各专业学组讨论     

聚焦离子束组合装置及应用

聚焦离子束技术是一种集形貌观测、定位制样、成分分析、薄膜淀积和无掩膜刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。对电子离子双束纳米工作站,聚焦离子束、扫描电镜和Ar离子束构成的“三束”显微镜系统的原理和应用作了详细介绍,同时也对聚焦离子束-分子束外延组合装置、聚焦离子束与二次离子质谱仪(SIMS)的组合装置以及单轴聚焦离子/电子束(FIEB)装置作了简单介绍。