钽催化磁控溅射法制备GaN纳米线

利用磁控溅射技术通过氮化Ga2O3/Ta薄膜,合成大量的一维单晶纤锌矿型氮化镓纳米线.用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征.结果表明;制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约20～60 nm,其最大长度可达10 μm左右.室温下光致发光谱测试发现363 nm处的较强紫外发光峰.另外,简单讨论了氮化镓纳米线的生长机制.     

Sb2S3纳米线的制备和表征

以硫化钠(Na2S)和氯化锑(SbCl3)为原料,采用水热法在240 ℃下反应12 h 制备了大量高长径比的Sb2S3纳米线.X射线粉末衍射测试结果表明,所制备的产物是正交Sb2S3晶相,其晶胞参数为:a=1.123 nm,b=1.131 nm,c=0.3840 nm.通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)分析表明:所制备的Sb2S3纳米线为单晶并且沿[001]晶面生长,其直径为100～250 nm,长为100 μm.初步讨论了Sb2S3纳米线的生长机制.     

水热法制备掺Mn的ZnS纳米线及其磁学性能

采用水热法在低温下制备了MnxZn1-xS纳米线.MnxZn1-xS纳米线的形貌和微观结构用透射电子显微镜和X射线衍射仪进行表征.磁性能用振动样品磁强计进行测试.MnxZn1-xS的形貌取决于Mn的含量和在ZnS纳米粒子内外的分布.未掺杂Mn的ZnS纳米线的直径和长度分别为80～200nm和10～20μm.随着Mn含量的增加,MnxZn1-xS纳米线的平均直径逐渐增加,长径比不断减小.X射线衍射结果表明MnxZn1-xS纳米结构结晶性好,为六方纤锌矿结构.在Mn的掺杂量为0.25%时,矫顽力达到最大.随着Mn掺杂量的增加,饱和磁化强度也不断非线性增强.     

氨化合成一维GaN纳米线

用氨化溅射Ga2O3薄膜的方法，成功地合成了一维GaN纳米线。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)对样品进行了分析。生成的GaN纳米线平直光滑，其直径为20nm～90nm，长可达50μm；纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN，沿[110]方向生长。用此工艺制备GaN纳米线，避免了在制备过程中引入杂质，合成的纳米线纯度较高。     

溶剂热法水热后处理合成ZnS纳米棒

采用水热后处理方法将片状、共价键结合的有机-无机复合硫化物ZnS·0.5en放入热液中热解,制备六方纤锌矿结构ZnS纳米棒,利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、红外吸收光谱仪分析了水热后处理对ZnS的晶体生长和结构形貌的影响.结果表明ZnS纳米棒是单晶结构,长度达1μm,直径约有30～40nm.纳米ZnS纳米棒的生长符合溶剂配位分子模板机理.     

模板法电化学沉积超长铜纳米线制备及其性能

用恒电位电化学沉积法，尝试在氧化铝模板纳米孔内制备超长铜纳米线。透射电子显微镜（TEM）和扫描电子显微镜（SEM）分析结果表明：在较低的沉积电位下，纳米线表面较为光滑且呈现条纹结构，直径均匀，大约100nm，线长可达40-50μm，放置一段时间后离解成颗粒状；较高沉积电位下，纳米线的边缘粗糙不平，主要由晶粒连接而成，晶粒之间有空隙存在。金属纳米线的生长实际上是金属颗粒的堆积过程，金属原子之间无较强的化学键存在。由X射线衍射（XRD）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）分析得知，低电位下所得纳米线为单晶结构，沿[111]方向生长，而高电位下则出现了孪晶结构。     

类金刚石碳纳米线的制备及生长机理

采用热蒸发法制备了类金刚石碳纳米线,利用透射电子显微镜(TEM)和高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)对样品的形貌和结构进行观察,发现该碳纳米线具有圆形实心结构,表面光滑,直径10～40 nm;拉曼光谱研究显示特征峰出现在1 352 cm-1和1 586 cm-1处,为典型的类金刚石结构.用CO辅助生长机理解释类金刚石碳纳米线的形成过程.     

ZnS纳米晶须的溶剂热法制备及机理研究

在120℃下反应12 h,用乙二胺为溶剂,通过溶解热法制备出六方纤锌矿型的ZnS纳米晶须.ZnS纳米晶须的结构为定向排列的条纹状纹理.ZnS纳米晶须在乙二胺中的生长过程可以用溶剂配位分子模板机理加以解释.并讨论了乙二胺作为样品形态结构导向配位分子模板的作用.采用X射线衍射(XRD),透射电子显微镜(TEM),红外吸收光谱(IR)对样品进行了表征.     

掺杂硅纳米线的光电特性

采用激光烧蚀法制备了磷掺杂硅纳米线和硼掺杂硅纳米链,并运用透射电子显微镜(TEM)、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)、X射线光电子能谱(XPS)及场发射(FE)测量等对其进行了研究.结果表明:硅纳米线包覆在二氧化硅层中及其核心由磷掺杂的晶体硅构成,磷不仅存在于硅纳米线的核心内,也存在于二氧化硅与硅核心的相界面上;硼掺杂硅纳米链的外部直径约为15 nm,由直径11nm的晶核和2 nm的无定形氧化物外层构成的晶格所组成,其粒间距为4 nm,硅纳米粒子链的阀值场强为6 V/μm,优于未掺杂的硅纳米线的阀值场强(9 V/μm).X射线光吸收谱可以补充提供常规电流-电压测量得不到的信息,并提示掺杂分布的细节.     

AZ91D镁合金表面机械研磨处理后显微结构研究

采用表面机械研磨(SMAT)技术在AZ91D镁合金上制备出纳米晶结构表层,利用X射线衍射(XRD)仪、透射电子显微镜(TEM)及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)研究由表层沿厚度方向的组织结构变化特征.结果表明:经过表面机械研磨处理, 样品表层形成了厚度约为40 μm的变形层, 平均晶粒尺寸由约40 nm逐渐增加到约200 nm.