3.1~3.4GHz 120W硅脉冲功率晶体管

硅微波功率器件因其具有功率大、可靠性好、工作电压低等优点,在通讯、雷达等诸多系统中有着广泛的应用.随着系统向小型化、高机动化、高可靠方向发展,要求单只器件的输出功率尽可能大.因此硅微波功率器件也在不断向大功率方向发展.     

2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管

微波系统对功率放大用的硅功率晶体管的微波输出功率、增益、效率等性能指标提出了越来越高的要求。南京电子器件研究所先后在 P,L,S,C波段硅微波功率晶体管研究领域取得进展。最近又研制成功工作频率 2 .2～ 2 .4GHz,脉冲宽度 1 0 0μS,占空比 1 0 % ,输出功率大于 1 1 0 W,功率增益大于 8.0 d B,效率大于 45 %的硅脉冲功率晶体管。微波功率晶体管设计制造的重点和难点主要有如下三个方面 :1 .克服微波寄生参数 ,提高微波增益性能 ;2 .克服基区大注入效应 ,提高功率容量 ,保持大功率条件下的微波性能 ;3.克服大功率应用所带来的热效应 …     

3.3—3.4GHz28W硅脉冲大功率晶体管的研制

本介绍了采用网状发射极结构，浓硼扩散发射极镇流电阻，输入，人匹配等技术研制出的硅微波脉冲大功率晶体管，该器件在３．１－３．４ＧＨｚ的雷达频带内，脉冲输出功率２８Ｗ，增益７．５ｄＢ，效率３０％。     

3.1～3.4GHz长脉宽高增益硅功率晶体管

最近南京电子器件研究所在研制长脉宽工作、高增益硅脉冲功率晶体管领域取得重大进展。器件工作频率 3.1～ 3.4GHz,脉冲宽度 30 0μs,占空比 1 0 % ,输出功率大于 1 2 W,功率增益大于 9.5 d B,效率大于 35 % ,顶降小于 0 .5 d B,带内平坦度小于 1 .2 5 d B。器件具有抗 1 d B输入过激励、3∶ 1输出失配的能力。图 1　器件外型图( E:发射极 ;B:基极 ;C:集电极 )Fig.1　 Devise outline( E:Emitter;B:Base;C:Collector)芯片在 76 mm硅工艺线上研制成功 ,具有较高成品率和可靠性。器件采用共基极结构、气密性金属陶瓷封装 ,C类工作。…     

2．6～2．8GHz100W硅微波脉冲功率晶体管

研究并制造了2．6～2．8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25％、增益7dB、效率35％的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术，给出了研制结果。     

2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管

研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。     

3.5GHz 65W硅脉冲大功率晶体管研制

介绍了采用梳状发射极自对准工艺研制的硅微波脉冲大功率晶体管的实验结果。在3．5GHz频率下,该晶体管脉冲输出功率65W,功率增益7dB,集电极效率35％（脉冲宽度100微秒,占空比5％）。     

4.2GHz2W硅功率晶体管

<正>硅平面双极晶体管自问世以来,其频率和功率性能不断提高,发展迅速。但是,当频率提高到C波段以上时,由于其频率性能的提高与输出功率、散热性能和寄生参数等都发生了尖锐的矛盾。因此,硅微波功率管在C波段以上频段发展缓慢,并且渐渐被GaAs FET功率管所替代。然而,硅双极晶体管具有比GaAs FET低得多的相位噪声,所以,C波段硅功率管在卫星通讯等微波整机系统中仍有广泛的用途,国内的需求也非常迫切。 南京电子器件研究所硅工艺线采用先进的T形电极新结构、掺砷多晶硅发射区、BF_2。离子注入形成极薄的基区、反应等离子刻蚀技术和局部氧化等技术,用Ф75mm硅片研制成功C波段硅功率管。器件的典型微波参数是:     

1.2～1.4 GHz 300 W宽带硅大功率双极晶体管研制

介绍了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果。采用大面积亚微米精细线条阵列加工技术、深亚微米浅结制备工艺技术、均匀热分布技术、双层金属化技术等工艺技术,研制出了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管。器件在1.2~1.4 GHz频带内,脉冲宽度150μs,占空比10%,工作电压40 V条件下,全频带内输出功率大于300 W,功率增益大于8.75 dB,集电极效率大于55%,并具有良好的可靠性。     

2.6～2.8GHz 1OOW硅微波脉冲功率晶体管

研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管.本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果.     

L波段脉冲输出360W硅功率晶体管

南京电子器件研究所研制成功 L波段脉冲输出 36 0 W硅功率晶体管。该器件在 1 .4GHz、脉宽 2 0 μs、占空比 5 %条件下 ,脉冲输出功率 36 0 W,功率增益 7.8d B,效率大于 5 0 %。L波段大功率器件在雷达、卫星遥测等领域有广泛应用。由于这种器件工作频率高、输出功率大、增益高、工艺难度大 ,给器件研制带来很多困难。南京电子器件研究所在掺砷多晶硅发射极二次镇流结构的基础上 ,开发出超自对准功率管芯片工艺技术 ,使发射区和基区横向间距缩小至 0 .5 μm,发射极周长与基区面积比有较大提高 ,同时也减少了基极电阻。经过近 2年的工艺实…     

600 MHz 150W硅脉冲功率晶体管

６００ＭＨｚ１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管王因生，陈正东，张树丹，谭卫东，郑承志，刘六亭，康小虎，周德红，陈统华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａ６００ＭＨｚ１５０ＷＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...     

2.7-3.4GHz超宽带长脉宽硅功率晶体管

南京电子器件研究所最近在研制超宽带、长脉宽硅脉冲功率晶体管领域取得重大进展,研制出的器件在2.7～3.4 GHz超宽频带内,脉宽100μs,占空比10%条件下,全带内脉冲输出功率大于100 W,功率增益大于7.0dB,效率大于40%,顶降小于0.5dB.S波段硅脉冲大功率管带宽达到了700MHz,迄今尚未见国内外报道.     

540～610MHz脉冲输出150W功率晶体管

采用芯片设计优化、工艺改进及内匹配等技术，研制出应用于工程的脉冲功率晶体管．该管宽频带（５４０～６１０ＭＨｚ），长脉宽（５０μｓ），高占空比（１５％），带内增益平坦度为±０．５ｄＢ，集电极输出效率ηｃ≥５０％。     

L波段150W硅脉冲功率晶体管

Ｌ波段１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管谭卫东，张纪生，王志楠，张树丹，王因生，郑承志，刘六亭，康小虎（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａｎ１５０ＷＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＴａｎＷｅｉｄｏｎｇ；Ｚｈ...     

1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。     

1.44~1.68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管

南京电子器件研究所近期研制成功1.44～1.68GHz 220 W硅微波脉冲功率晶体管.该器件在1.44～1.68 GHz频带内,脉宽200 μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于220 W,功率增益大于7.1 dB,效率大于45%.该器件采用高效梳条状结构,单元间距6μm,发射极和基极线宽1.9μm,金属条间距1.6μm.每个器件由6个面积为1 600μm×800 μm功率芯片组成,每个功率芯片含有2个大功率子胞.整个器件包含12个大功率子胞、20个内匹配电容和200多条连接金丝.     

540—610MHz脉冲输出150W功率晶体管

采用芯片设计优化、工艺改进及内匹配等技术，研制出应用于工程的脉冲功率晶体管。该管宽频带，长脉宽，高占空比，带内增益平坦度为±０．５ｄＢ，集电极输出效率ηｃ≥５０％。