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以超高亮度阵列式发光二级管(LED)背光模组为研究对象,进行背光模块高亮度及均匀化研究。提出的超高亮度阵列式LED背光模组,通过LED阵列式排列方式排列,根据光学仿真软件对光学系统中的光棒尺寸大小进行精确设计,有效提高了光线亮度及其均匀性,并将光线通过菲涅尔镜进行汇聚,从而增强LED发出的光线密度,扩散板则消除由LED芯片和薄膜晶体管(TFT)所产生的炫光。通过对背光系统进行对比仿真测试,找到光源LED的最佳排列方式及各配光角度,并进行产品实物测试,测试结果符合各性能指标。 相似文献
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通过对LED灯珠光衰及失效的3种对比试验发现:在高温硫化试验中10pcs的LED灯珠平均光通量由初始时的69. 35 lm下降到62. 51 lm,平均光衰减率为9. 87%,且有5pcs的LED灯珠光衰减率 10%;在高低温冷热冲击试验中10pcs的LED灯珠中有2pcs的LED灯珠不亮失效;在高温燃点老化试验中5pcs的LED灯珠的平均光通量由初始的74. 80 lm下降至65. 21 lm,光维为原来的87. 20%,平均色温由初始的3 950 K增加至4 079. 75 K,色温偏移129. 75 K。高温硫化试验中LED灯珠光衰在于环境中的硫化物与灯珠支架上的银发生反应生成黑色的硫化银;高低温冷热冲击试验中LED灯珠失效在于封装胶发生热胀冷缩,使封装胶移位,导致金线被拉断;高温燃点老化试验中LED灯珠光衰在于封装荧光胶在高温条件下透光性和气密性变差以及荧光粉性能变差,LED蓝光芯片发出的蓝光直接从封装胶的气孔中射出,导致光衰和色温漂移。 相似文献
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改进封装技术提高HB LED光通量 总被引:1,自引:0,他引:1
《中国照明》2009,(12):78-81
毫无疑问,这个世界需要高亮度发光二极管(HBLED),不仅是离亮度的自光LED(HBW LED),也包括高亮度的各色LED,且从现在超的未来更是积极努力与需要超高亮度的LED (UHD LED) 相似文献
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白光LED用远程荧光技术 总被引:1,自引:0,他引:1
新型的远程荧光技术能有效地改善目前封装技术中存在的出光不均匀、色温漂移、芯片发热导致荧光粉性能衰减等缺点,可广泛应用于COB集成封装、大功率LED和贴片型LED封装,或者直接用于制造照明灯具产品,是白光LED制造技术的又一次创新。将远程荧光技术与大功率LED集成封装技术结合制备白光LED光源,结果表明,LED照明器件的光色一致性高,光效可达到100 lm/W,具有广阔的市场前景。 相似文献
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LED平面光源是LED应用于照明领域的新型封装产品,文中针对LED路灯配光成本过高问题,提出了一种将灯壳的防护、散热功能和配光结合在一起,几乎不增加成本的LED平面光源路灯的配光方案,给出了对应的路面照度的计算方法,并结合实例利用excel的宏调用功能模拟计算道路的照明效果。应用这些方法,可以在给定道路和布杆情况下模拟确定最适宜灯具的参数,同时也可以为道路照明设计提供参考。 相似文献
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LED日光灯结构设计研讨 总被引:1,自引:0,他引:1
通过分析LED日光灯的结构设计对LED日光灯性能的利弊影响,对LED封装类型及位置布置的优化组合方式进行了研究,提出了光照分布更加合理的LED日光灯结构设计方案,并探索突破LED日光灯技术瓶颈的思路。 相似文献
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贴片式 LED 的发展趋势及其应用特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
贴片式发光二极管是一种新型表面贴装式半导体发光器件,贴片式封装的LED又分为CHIP、TOP、SIDEVIEW等若干种类型,贴片式LED除了有着直插式LED的所有优点外,更以体积小、散射角大、发光均匀性好,散热性好等特点被广泛的应用于各种场合,例如显示屏、信号灯、家用照明上很多都已经采用了贴片式LED。本文从多个角度切入,介绍了贴片式LED的市场状况和发展趋势,同时探究贴片式LED的封装特性及最新研究成果,分析研究贴片式LED节能灯的驱动电路技术,并且将它与直插式LED节能灯做了光电特性对比测试,使我们能更全面的掌握当今贴片式LED的发展现状。相信贴片式LED的广泛应用和飞速发展,将引领当今LED照明行业朝着更轻薄、更高效的方向发展。 相似文献
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为了提高LED封装光源的抗硫化和发光性能,基于传统的镀银基板LED封装光源技术设计了一种底部涂覆的结构,实验探究其对LED封装器件的性能影响.结果表明:采用底部涂层技术制造镀银基板封装光源可有效提升产品的发光性能,同时产品的抗硫化能力和可靠性有一定的加强,对实际生产有一定的应用价值. 相似文献
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Hirofumi Chiba Yukio Suzuki Yoshiaki Yasuda Mitsuyasu Kumagai Takaaki Koyama Shuji Tanaka 《Electrical Engineering in Japan》2021,214(1):62-68
This paper reports a deep‐ultraviolet LED (deep‐UV‐LED) package based on silicon MEMS process technology (Si‐PKG). The package consists of a cavity formed by silicon crystalline anisotropic etching, through‐silicon vias (TSVs) filled with electroplated Cu, bonding metals made of electroplated Ni/AuSn and a quartz lid for hermetic sealing. A deep‐UV LED die is directly mounted in the Si‐PKG by AuSn eutectic bonding without a submount. It has advantages in terms of size, heat dissipation, light utilization efficiency, productivity and cost over conventional AlN ceramic packages. We confirmed a light output of 30 mW and effective reflection on Si (111) cavity slopes in the Si‐PKG. Based on simulation, further improvement of the optical output is expected by optimizing DUV‐LED die mount condition. 相似文献
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《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》2009,15(4):1028-1040