SnCl_4结晶水对SnO_2成膜的光电性质影响

报道了用无水ＳｎＣｌ４和ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ为原料，用热喷涂法制备ＳｎＯ２薄膜，在基片温度为５３０℃时，制得薄膜的Ｘ－射线，ＳＥＭ图及其光电性质．总结出含Ｈ２Ｏ的ＳｎＣｌ４制得的薄膜生长速度快，电阻率低，两者在结构上无明显差异。     

介孔氧化铟纳米粒子的制备及其气敏性质

以介孔氧化硅KIT-6为硬模板制备了介孔氧化铟纳米粒子,并对其进行了X射线粉末衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、氮气物理吸附分析。介孔氧化铟纳米粒子具有高的结晶度和有序介观结构,其尺寸为100 nm左右,比表面积为82 m2/g,孔径为4.5 nm左右,孔体积为0.42cm3/g。气敏性能测试结果表明介孔氧化铟纳米粒子对乙醇具有较好的敏感度,优于体相的氧化铟颗粒,在乙醇气体检测方面有潜在的应用。     

SnO2基NTC热敏陶瓷性能及结构的研究

以SnO2为主要原料，外加Sb2O3、陶瓷熔块等，成功地研制出了室温至200℃范围内使用的多元系统负温度系数NTC热敏电阻陶瓷，并通过XRD及电性能测定等分析手段，对其电学性能、反应机理及结晶构造等进行了探讨。     

低温热处理制备掺铝氧化锌薄膜技术的研究

使用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备掺铝氧化锌薄膜,研究热处理温度对薄膜结构、形貌、电学性能的影响。结果表明:使用低温热处理制备的薄膜具有更好的C轴取向生长,表面平整质密,面阻最小达到1800Ω/□。     

镍掺杂二氧化锡的制备及对甲苯的气敏性能

以五水四氯化锡和六水合氯化镍为原料,四乙基氢氧化铵为沉淀剂,用水热法制备出镍掺杂二氧化锡纳米材料. 通过X射线衍射、比表面及孔径分析仪对制备的纳米材料进行表征. 结果表明:制备的镍掺杂二氧化锡材料为纳米材料,晶粒尺寸小于10 nm. 镍的掺杂量为10 %（摩尔分数）的二氧化锡气敏元件对甲苯的气敏性能最好,在最佳工作温度400 ℃下,其对气体体积分数为1×10-4甲苯气体的灵敏度为18.05,与纯二氧化锡气敏元件的灵敏度（8.71）相比,提高了1倍.     

ITO表面改性对有机电致发光器件性能的影响

采用乙醇、氧等离子、NaOH、浓硫酸分别对氧化铟锡薄膜进行了处理;利用原子力显微镜、X-射线光电子能谱、接触角测试仪对处理后薄膜的表面形貌、化学组分及表面能进行了研究。实验结果表明经浓硫酸和NaOH处理后的氧化铟锡薄膜表面具有较低的粗糙度、较小的表面颗粒半径、较低的碳污染以及较高的表面能;另外,以不同材料处理的氧化铟锡基片为阳极采用真空热蒸发法制备了双层结构发光器件ITO/NPB/AlQ/Mg:Ag/Ag,并对器件的电流-电压(J-V)、亮度-电压(B-V)特性以及效率(η)进行了测试和分析,结果表明乙醇处理基片做制备器件性能最差,而经浓硫酸、NaOH处理后的氧化铟锡基片所制备的双层器件的光电性能优于氧等离子处理,其启亮电压更低,发光亮度及效率更高。     

变异函数在大厂锡矿的应用

变异函数是地质统计学的核心部分，多数情况下，矿体的产状会因构造和层有所变化，甚至在一个方向上也有很大的变化，形态比较复杂。若简单地应用统计一的变异函数，必然会有偏差根据具体情况，采取分 措施来处理问题，才能更好地与实际吻合。     

热处理温度对铟锡氧化物纳米粉显微结构的影响

采用化学共沉淀法制备了铟锡氢氧化物纳米粉，对其热处理前后的粉体进行了XRD和TEM分析，结果表明：未热处理的为铟锡氢氧化物，200℃热处理后铟锡氢氧化物部分晶化，300℃热处理后全部转变成晶态，然后随着温度升高逐渐转变为具有立方结构的铟锡氧化物纳米粉；600℃热处理1h后粉末粒度为5－10nm，铟锡质量比接近9：1。铟锡氧化物颗粒接近球形，分散性好。     

金属铝诱导低温晶化非晶硅薄膜研究

采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜，然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火，成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。利用XRD、RAMAN、SEM等测试方法，研究了不同铝膜厚度的非晶硅薄膜诱导晶化的过程实验结果表明，铝膜厚度较厚的样品在500℃下退火1h晶化为较好的多晶硅薄膜，而铝膜较薄的样品热处理后仍为非晶硅薄膜。     

高校办公室工作职能发挥趋势探究

高等学校办公室作为高校的综合管理职能部门,在高校管理系统中处于中枢核心的地位,在高校改革建设发展中发挥着举足轻重的作用。高校办公室必须要充分发挥好对上的参谋助手功能、对下的服务功能、对内的综合协调职能、对外的公关功能,才能在高校内涵式发展之路上做出积极贡献。