沈阳芯源匀胶显影系列国产率达70％推出国内首台12英寸后道封装匀胶机

沈阳芯源微电子设备公司自主创新研制的匀胶显影设备于近日顺利通过了辽宁省经委组织的新产品鉴定。匀胶显影设备是集成电路制造的关键设备之一。一直以来国内所需的中高端集成电路设备被国外产品所垄断。     

沈阳芯源:本土设备要勇于参与国际竞争

随着全球半导体重心的转移,本土半导体产业链取得了长足的进步,国产半导体设备也在近年获得快速发展,沈阳芯源微电子设备有限公司（SolidTool）就是其中一家。“国产设备供应商要公平勇敢地参与国际竞争”,日前沈阳芯源总裁宗润福在采访中提到。     

光纤到户之王PLC(下)

芯联芯新加坡芯联芯微电子有限公司"中国科技城光电产业园"项目签约仪式2012年11月8日在四川省绵阳市举行,标志着投资30亿元的芯联芯"中国科技城光电产业园"项目正式落户绵阳。新加坡芯联芯微电子有限公司是一家集光通信器件研究、开发、生产、销售和服务为一体的高科技企业,是专业的光通信无源芯片、有源芯片,光电模块的核心产品的设计制造商。2010年在新加坡成立以来,该公司取得了多项芯片研发专利,其     

8～12英寸先进封装技术专用匀胶设备

沈阳芯源微电子设备有限公司研制的8～12英寸先进封装技术专用匀胶设备获得“2007年中国半导体创新产品和技术”奖,其中12英寸（×300mm）晶圆先进封装设备,于2007年7月在我国五大先进封装测试厂之一的江阴长电先进封装有限公司通过严格的工艺检测验收,成功投入生产使用：实现了国产首台IC装备在晶圆尺寸和新工艺应用上的重大突破。     

国内要闻

中芯国际连续三年被列入恒生可持续发展企业基准指数中芯国际近日宣布再次被列入"恒生可持续发展企业基准指数"。中芯国际自该指数2011年9月创立以来即成为其成员公司,这是公司连续第三年获此认可。恒生可持续发展企业指数系列旨在提供一个以可持续发展为核心的投资基准。入选的上市公司必须在环境保护、社会责任和公司治理各方面都有高     

宗润福：可靠性是目前国产半导体设备的立足点

国产半导体设备尽管已经开始进入大生产线，但客观而论，相较于进口设备，国产设备的信誉度还远未到让人放心使用的程度。为此，致力于匀胶显影设备研制与生产的沈阳芯源先进半导体技术有限公司则以“全过程的持续改进和产品质量的得升来赢得客户信赖”。     

不要太小瞧自己

近日给美国同事发了一条“沈阳芯源微电子的12英寸晶圆封装设备被江阴长电先进封装有限公司使用”的消息，结果引起了美国这个全球半导体高地的极大兴趣，这表明美国人在密切关注中国半导体产业的发展，因为在他们眼里，中国是唯一有综合潜力对其构成竞争压力的后来者。     

芯源12英寸晶圆封装设备投入使用

据《中国电子报》2007年9月4日报道,由沈阳芯源微电子设备有限公司研制的12英寸(300mm)晶圆先进封装设备,于近日在江阴长电先进封装有限公司通过严格的工艺检测验收,已正式投入生产使用。这是国内首台12英寸芯片制造设备,是国产IC装备在晶圆尺寸和新工艺应用上的重大突破。沈阳     

无源单双纤转换器在交互式有线电视网络中的应用研究

本文介绍一种提高纤芯利用率的无源设备——无源单双纤转换器(PSDU),并对其应用场景及产品性能进行了分析。     

中芯国际2006年3月开始量产90nm产品

中国的半导体代工企业——中芯国际集成电路制造（SMIC：Semiconductor Manufacturing International）将于2006年3月进入90nm工艺量产体制，预计90nm工艺产品的销售额将出现在2006年第二季度（2006年4月-6月）的业绩中。中芯国际社长兼CEO张汝京表示，除了已经公开的德国英飞凌以外，还有数家公司计划委托中芯国际使用90nm工艺进行代工。英飞凌委托中芯国际使用90nm工艺制造的是DRAM产品，预定于2006年第三季度进入量产阶段；而对于在第二季度就能带来销售额的90nm产品，张汝京并没有公开委托公司的具体名称，只是表示是从两家公司接到了逻辑LSI产品的委托制造订单。     

硅通孔用光刻胶雾化喷涂技术

IC 3D集成需要穿透硅互连技术,也就是需要实现晶圆一侧到另一侧的电互连。很多穿透硅互连技术的应用需要在表面起伏很大的晶圆表面光刻图形,这就要先在晶圆表面均匀涂布光刻胶层。文章研究了光刻胶AZ4620的雾化喷涂性能,在沈阳芯源微电子设备有限公司KS-M200-1SP喷雾式涂胶机上进行了雾化喷涂试验,对光刻胶流量、扫描速...     

无序的市场,有序的布局——访PerkinElmer公司大中华区销售总监陈晴

1937年4月19日,两个美国人珀金·理查德和埃尔默·查理斯创立了PerkinElmer公司. 1944年,PerkinElmer公司成功推出世界上第一台商用红外分光光度计-12型开始,这奠定了PerkinElmker公司在分析仪器市场70年的繁荣基础.如今,PerkinElmer公司已经是分析仪器界新技术和完善产品的代名词,位列全球三大品牌之一.     

本土企业合力推动,中兴通讯诞生NB-IoT芯片

中兴通讯公司近日发布了其首款NB-IoT芯片:RoseFinch7100,多家本土公司参与了合作,例如制造采用了中芯国际的55nm极低功耗工艺55IILL RVt,成都锐成芯微公司提供了低功耗模拟技术,杭州中天微系统公司提供了CK802高安全、低功耗的CPU内核,各家代表介绍了打造这款超低功耗、高安全芯片的合作过程及产品特点.     

新一代音频播放的象征40周年总结版的大型功率放大器

今年,ACCUPHASE迎来了它的创建40周年纪念日. 为这具有纪念意义的一年做最后妆点的就是这款A-200.随着这台A-200的登场,ACCUPHASE公司顶级产品系列终于形成.可以算得上是新一代音频播放的象征的本机获得"音响铭机大奖"金奖,是再自然不过的了. 必定会为今后的音响发烧友们所垂涎 ACCUPHASE今年迎来了创建40周年.实际上,该公司的纪念产品早就已经在先行发售了.前级C-3800(2010年)、组合式CD/SACD播放机DP-900+DC-901(2011年),都曾获得过音元出版社主办的"AEx(Audio Excellence Award)——音响铭机大奖"金奖.而本机A-200是这些产品中真正的创立40周年纪念机,紧接在前面提到的两款产品之后获得金奖.至此,一个了不起的产品系列完成了,为该公司创立40周年添上了华丽的一笔.     

常州神雁光纤通信有限公司

常州神雁光纤通信有限公司是由武进市经济技术开发总公司、常州邮电局国脉通信开发有限公司及常州市邮电通信光缆厂三家合资组成的股份制企业;是生产通信光缆的产业实体。本公司主要生产中心束管式光缆(2-12芯),松套层绞式光缆(4-180芯),层绞式带状光缆(6-648芯)和束管式带状光缆(24-144芯),ADSS非金属自承式光缆五大系列产品,其中多层束管式带状光缆具有易于光纤分叉的优点,是本公司的专利产品,专利号为ZL98226228.0,该产品被江苏省科委列入一九九九年江苏省火矩计划项目,认定为高新技术产品。本公司光缆产品适用于通信、监控、有线电视…     

联芯科技获CEVADSP技术授权许可用于移动芯片

CEVA公司宣布大唐电信科技产业集团（ Datang Telecom Technology and Industry Group ）的核心企业之一联芯科技有限公司（Leadcore Technology Co．，Ltd．）已经获得CEVA公司DSP技术和平台授权许可，用于其下一代移动芯片。联芯科技经过全面的甄选过程，最终选择了CEVA的IP产品，主要是由于CEVAIP产品具有最高的功率效率和最完善的平台产品，并且在手机领域拥有业界公认的市场领导地位。     

常州神雁光纤通信有限公司

常州神雁光纤通信有限公司是由武进市经济技术开发总公司、常州邮电局国脉通信开发有限公司及常州市邮电通信光缆厂三家合资组成的股份制企业;是生产通信光缆的产业实体。本公司主要生产中心束管式光缆(2-12芯),松套层绞式光缆(4-180芯),层绞式带状光缆(6-648芯)和束管式带状光缆(24-144芯),ADSS非金属自承式光缆五大系列产品,其中多层束管式带状光缆具有易于光纤分叉的优点,是本公司的专利产品,专利号为ZL98226228.0,该产品被江苏省科委列入一九九九年江苏省火矩计划项目,认定为高新技术产品。本公司光缆产品适用于通信、监控、有线电视…     

无源波分复用设备应用分析

无源波分复用设备应用能够减少4G/5G基站接人光缆纤芯的使用量,达到增加光缆纤芯目的.本文系统分析了衰耗和色散对传输最大距离的影响,同时结合5G无线站点接入纤芯需求以及无线站点规划和站型配置,统筹考虑无源波分复用设备和彩光模块的选型,最后提出了无源波分复用设备的规划设计.     

AZ4620光刻胶的喷雾式涂胶工艺

对于一些MEMS应用,需要在形貌起伏很大的晶圆表面均匀地涂布光刻胶。喷雾式涂胶工艺满足了这些要求。研究了几种稀释的AZ4620光刻胶溶液的雾化喷涂性能,在沈阳芯源微电子设备有限公司KS-M200-1SP喷雾式涂胶机上进行了雾化喷涂试验,分别对裸片及深孔不同尺寸的晶圆进行喷雾式涂胶实验;特别研究了决定喷涂薄膜膜厚和均匀性...     

一种高精度CMOS带隙基准电压源设计

介绍了带隙基准电压源的基本原理,设计了一种高精度带隙基准电压源电路.该电路采用中芯国际半导体制造公司0.18 μm CMOS工艺.Hspice仿真表明,基准输出电压在温度为-10～120 ℃时,温度系数为6.3×10-6/℃,在电源电压为3.0～3.6 V内,电源抑制比为69 dB.该电压基准在相变存储器芯片电路中,用于运放偏置和读出/写驱动电路中所需的高精度电流源电路.