RESISTIVITY ANOMALY IN METALLIC GLASSES(Fe_(1-x)Co_x)_(78)Si_(9.5)B_(12.5)

用四端引线法测量了4.2K到室温的非晶态(Fe_(1-x)Co_x)_(18)Si_(9.5)B_(12.5)(x=0—1.0)合金的电阻率。结果表明,x=0—1.0的所有样品都出现了电阻率与温度关系的极小值。电阻率极小值温度T_(min)随Co含量x的增加而增加,在x=0.9时出现极大值。在T_(min)温度以下,电阻率与温度关系符合-lnT规律。x=0.5—1.0的样品,电阻率与-lnT关系出现两个斜率。在T_(min)温度以上,约100K以下电阻率符合T~2规律,在约100K以上电阻率则按T~(3/2)规律变化。实验结果表明,约在9.5K和100K温区,电阻率与温度关系可近似表达为:ρ/ρ_(min)=ρ_0+AlnT+BT~2。显现类Kondo型电阻极小。电阻率的T~2关系来源于电子-声子散射。     

TEMPERATURE (4.2—300K) DEPENDENCE OF ELECTRICAL RESISTIVITY OF FeMB (M=Mn, Mo) AMORPHOUS ALLOYS

本文研究了(Fe_(1-x)Mn_x)_(80)B_(20)(x=0—0.25)和(Fe_(1-x)Mo_x)_(80)B_(20)(x=0.05—0.18)非晶态合金的电阻率与温度(4.2—300K)的关系。结果表明,所有样品都显示出电阻率与温度关系的极小值。在TT_(mim)的温区,电阻率的T~2关系认为是电子-声子散射和局部自旋涨落散射的共同结果。     

FeMB(M=Mn,Mo)非晶态合金的电阻率与温度(4.2—300K)的关系

本文研究了(Fe_(1-x)Mn_x)_(80)B_(20)(x=0—0.25)和(Fe_(1-x)Mo_x)_(80)B_(20)(x=0.05—0.18)非晶态合金的电阻率与温度(4.2—300K)的关系。结果表明,所有样品都显示出电阻率与温度关系的极小值。在TT_(mim)的温区,电阻率的T~2关系认为是电子-声子散射和局部自旋涨落散射的共同结果。     

La0.67Ca0.33-xNaxMnO3的电输运性能研究

多晶陶瓷La_(0.67)Ca_(0.33-x)Na_xMnO_3(x=0.05,0.10,0.15,0.20,0.25)样品采用改进了的溶胶-凝胶法进行制备,利用SEM、XRD以及标准四探针法对样品的微观形貌、晶体结构及电阻率-温度的关系进行了分析,并测试了样品的磁化率温度曲线。通过试验结果可知,随着Na元素掺杂量的增加,样品的晶胞体积不断增大;样品的金属-绝缘体转变温度(T_P)逐渐升高;而样品的电阻率ρ和电阻率温度系数(TCR)则不断减小。在电阻率-温度曲线低温区域(TT_P),样品的的电阻率数据可用ρ(T)=ρ_0+ρ_(2.5)T~(2.5)进行拟合;而在电阻率-温度曲线的高温区域(TT_P),样品的电阻率数据则可用变程跳跃(VRH)小和极化子跃迁(SPH)模型进行拟合分析。对于整个温度区域(100～300K)内的电阻率-温度曲线可用渗透模型对其进行拟合分析。同时Mn~(3+)-O~(2-)-Mn~(4+)的键角随Na掺杂量的增加而不断变大,极化子激活能E_a则不断减小,这表明Na的掺杂增强了双交换作用,减小了电阻率。     

高流变成型法对Zr_(48)Cu_(36)Al_8Ag_8块体非晶合金β弛豫及热稳定性作用规律

以Zr_(48)Cu_(36)Al_8Ag_8为研究对象,结合差示扫描量热法和X射线衍射法,以电阻法探索高流变成型法对块体非晶合金β弛豫及热稳定性的作用规律。升温速率为10 K/min的验证试验表明,电阻法所标定样品的β弛豫开始温度T_β、一次晶化开始温度T_(x-onset)及其区间等特征参数均与差示扫描量热法结果相吻合。这证明电阻法探索β弛豫及热稳定性的有效性。为进一步获得更细致信息,以升温速率1 K/min约化电阻率曲线揭示,高流变成型法成型后样品的T_β大幅提前,且β弛豫所致电阻率变化值Δ_(ρrel)显著增加,表明高流变成型法显著增强该块体非晶合金β弛豫强度;成型后T_(x-onset)滞后且晶化温度区间ΔT_x变宽,反映高流变成型法提高了该块体非晶合金的热稳定性。这一结论得到不同温度水淬样品X射线衍射结果证实,尽管成型前后的最终晶化相并未改变。     

自旋梯子化合物Sr_(14-x)Ca_xCu_(24-y)Co_yO_(41)中的Co替代效应

系统地研究单相Co掺杂自旋梯子化合物Sr14-xCaxCu24-yCoyO41(x=9:y=0,1,2,3;x=6:y=0,3)系列样品的晶体结构、电阻率以及热电势随Co含量的变化。随着y(Co)掺杂量的增加,晶格常数a,b,c几乎线性增加。电阻测量发现所有样品的电阻率温度关系均为半导体型,电阻率随着Co掺杂量的增加而增加。除了x=9,y=0样品外,其他样品的电阻率均可以用热激活公式ρ=ρ0exp(Δ/kBT)拟合。热电势测量发现,x=9,y=0样品的热电势显示金属型行为,其余样品均显示半导体行为,并且热电势随Co含量增加而明显增大。认为Co掺杂引入了无序、电子,并且引起空穴载流子由导电性较好的自旋梯子向导电性较差的自旋链的转移,从而减少参与导电空穴的数目,使得能隙、电阻率以及热电势增加。     

球磨制备的La(Fe_(1-x)Co_x)_(11.2)Si_(1.8)化合物的相形成和磁热效应（英文）

将LaSi母合金和元素粉末混合,利用球磨工艺制备了La(Fe_(1-x)Co_x)_(11.2)Si_(1.8)(x=0,0.02,0.04,0.06)样品。在1423 K的温度下烧结30min,然后放入水中快速冷却,就可以获得几乎为NaZn_(13)型结构的单相化合物。磁性质的研究表明,样品的居里温度随着Co含量从x=0到x=0.06而提高,但是磁熵变减小。在0~1.5 T的外加磁场下,LaFe_(11.2)Si_(1.8)合金在其居里温度附近的最大磁熵变达到的6.5 J/kg,而x=0.06的样品的最大磁熵变约为2.1 J/(kg·K)。另外,球磨制备的样品还呈现了二级磁相变的特点,这对于磁热效应的应用非常有意义。     

EFFECT OF IMPURITY Zr ON PHYSICAL PROPERTIES OF AMORPHOUS FeZrSiB ALLOYS

本文研究了掺少量Zr对非晶态Fe_(82-x)Zr_xSi_5B_(13)(x=0.02,0.16,0.87)合金的磁性、电性和热稳定性的影响。实验结果表明,当Zr含量从x=0.02增加到0.87时,晶化温度T_(cr)从755K增加到782K(升温速率10K/min),室温下的饱和磁化强度σ(R. T. )和居里温度T_C分别下降了3％和4.5％。Zr的加入也使得交换积分的涨落增大。在x=0.87的样品中,温度T=15K时出现了电阻率的极小值,可以认为是类Kondo效应的贡献。     

掺少量Zr对非晶态FeZrSiB合金性能的影响

本文研究了掺少量Zr对非晶态Fe_(82-x)Zr_xSi_5B_(13)(x=0.02,0.16,0.87)合金的磁性、电性和热稳定性的影响。实验结果表明,当Zr含量从x=0.02增加到0.87时,晶化温度T_(cr)从755K增加到782K(升温速率10K/min),室温下的饱和磁化强度σ(R. T. )和居里温度T_C分别下降了3％和4.5％。Zr的加入也使得交换积分的涨落增大。在x=0.87的样品中,温度T=15K时出现了电阻率的极小值,可以认为是类Kondo效应的贡献。     

含Al,Si反铁磁性γ-Fe-Mn基合金中的电阻极小

本文研究Al,Si及Cr对反铁磁性γ-Fe-Mn基合金的Neel转变及电阻极小的影响.结果表明,Cr对Fe-Mn基合金的磁化率(X),X-T及ρ(电阻率)-T关系的影响较小,也不促进基体形成局域净磁矩.相反,Al,Si则显著改变γ-Fe-Mn合金的磁结构、X-T及ρ-T关系,在Neel温度T_N以下,随反铁磁转变的磁性电阻ρ_m的增大,出现电阻极小,随后出现负电阻温度系数.降温直至4.3k,γ-Fe-Mn及γ-Fe-Mn-Cr合金在试验精度内未呈现任何电阻反常变化,而固溶Al或Si后则观察到第二次电阻极小,电阻极小温度T_(min)~(2)与电阻极小深度△ρ(ρ_(4k)～ρ_(T_(min)))随Al,Si浓度的增大而增加,且在T_(min)~(2)—4k间,ρ随lgT的降低而线性增大.由此可以假定,反铁磁态γ-Fe-Mn中加入Al或Si,导致Fe离子处形成局域净磁矩,并发生ISDW-CSDW态转变,因而产生类似Kondo效应的低温电阻极小.     

RESISTIVITY MINIMUM IN ANTIFERROMAGNETIC γ-Fe-Mn BASE ALLOYS CONTAINING Al OR Si

本文研究Al,Si及Cr对反铁磁性γ-Fe-Mn基合金的Neel转变及电阻极小的影响.结果表明,Cr对Fe-Mn基合金的磁化率(X),X-T及ρ(电阻率)-T关系的影响较小,也不促进基体形成局域净磁矩.相反,Al,Si则显著改变γ-Fe-Mn合金的磁结构、X-T及ρ-T关系,在Neel温度T_N以下,随反铁磁转变的磁性电阻ρ_m的增大,出现电阻极小,随后出现负电阻温度系数.降温直至4.3k,γ-Fe-Mn及γ-Fe-Mn-Cr合金在试验精度内未呈现任何电阻反常变化,而固溶Al或Si后则观察到第二次电阻极小,电阻极小温度T_(min)~(2)与电阻极小深度△ρ(ρ_(4k)～ρ_(T_(min)))随Al,Si浓度的增大而增加,且在T_(min)~(2)—4k间,ρ随lgT的降低而线性增大.由此可以假定,反铁磁态γ-Fe-Mn中加入Al或Si,导致Fe离子处形成局域净磁矩,并发生ISDW-CSDW态转变,因而产生类似Kondo效应的低温电阻极小.     

非晶态(Fe_(1-x)Co_x)_(78)Si_(9.5)B_(12.5)合金的磁性和M()ssbauer谱的研究

本文研究了非晶态(Fe_(1-x)Co_x)_(78)Si_(9.5)B_(12.5)合金的饱和磁化强度与温度的关系以及室温下的M()ssbauer谱。得到每个过渡金属原子的磁矩从x=0时的2.1μ_B下降到x=1.0时1.2μ_B。Curie温度T_C与成分的关系可用分子场近似来描述。平均超精细场从x=0时的250kOe增加到x=0.7时的278.5kOe,然后在x=0.9时下降到262kOe。假定每个Co原子的磁矩不随成分而变化(1.2μ_B),得出每个Fe原子的磁矩μ_(Fe)随x的增加而增加并逐渐趋近饱和值2.6μ_B(x=0.9)。平均超精细场(h)_f和平均磁矩(■)可表示为:(h)_f/(■)=h_0 h_1μ_(Fe)/(■),用最小二乘法得到系数h_0和h_1的数值分别为42.5kOe和80kOe。从M()ssbauer谱得到该非晶态合金系列的磁化强度与带面夹角随Co含量的增加而减小,表明了应力-磁致伸缩各向异性能随x增加而减小的变化规律。     

MAGNETIC PROPERTIES AND M()SSBAUER SPECTRA OF AMORPHOUS (Fe_(1-x)Co_x)_(78)Si_(9.5)B_(12.5) ALLOYS

本文研究了非晶态(Fe_(1-x)Co_x)_(78)Si_(9.5)B_(12.5)合金的饱和磁化强度与温度的关系以及室温下的M()ssbauer谱。得到每个过渡金属原子的磁矩从x=0时的2.1μ_B下降到x=1.0时1.2μ_B。Curie温度T_C与成分的关系可用分子场近似来描述。平均超精细场从x=0时的250kOe增加到x=0.7时的278.5kOe,然后在x=0.9时下降到262kOe。假定每个Co原子的磁矩不随成分而变化(1.2μ_B),得出每个Fe原子的磁矩μ_(Fe)随x的增加而增加并逐渐趋近饱和值2.6μ_B(x=0.9)。平均超精细场(h)_f和平均磁矩(■)可表示为:(h)_f/(■)=h_0+h_1μ_(Fe)/(■),用最小二乘法得到系数h_0和h_1的数值分别为42.5kOe和80kOe。从M()ssbauer谱得到该非晶态合金系列的磁化强度与带面夹角随Co含量的增加而减小,表明了应力-磁致伸缩各向异性能随x增加而减小的变化规律。     

非晶态Co90—xCrxZr10合金的磁性和晶化

本文研究了非晶态Co_(90-x)Cr_xZr_(10)(0≤x≤25)合金的磁性,得到样品的Curie温度T_C和每个磁性原子的有效磁矩μ均随Cr含量x的增加近似线性下降,计算出每个Co和Cr原子的平均磁矩分别为μ_(Co)=1.51μ_B和μ_(Cr)=-3.62μ_B低温下的磁化强度与温度的关系符合Bloch的T~(3/2)定律,由此算出的自旋波劲度系数D从x=4时的D=2.788meVnm~2下降到x=20时的D=0.727meVnm~2,相互作用范围从x=4时的2—3个原子减小到x=20时的最近邻原子之间,样品的晶化温度随Cr含量x的增加单调上升,认为与合金的平均外层电子浓度有关,用X射线衍射和热磁测量分析了热处理样品的结晶相。     

某些非晶态合金的电阻率-温度特性

本文测量了由液态急冷技术制备的Zr_(100-x)Mx(M=Fe,Co,Ni,Cu和Pd),CU_(100-x)Ti_x和Pd_(83.5-x)Si_(16.5)M_x(M=Cu,Ag,Ni,Pt,Rh,Ru,Ir,Os,Hf,Ta,W和Re)以及Pd_(80-x)Si_(20)Cr_x等非晶态合金的室温电阻率ρ,和在0—500℃范围内的电阻率-温度特性.并确定了各个合金玻璃的电阻率温度系数α和各个结晶阶段的转变温度(T_1,T_2,T_3,和T_5)以及微量添加元素对它们的影响.     

TEMPERATURE DEPENDENCE OF ELECTRICAL RESISTIVITY OF SOME AMORPHOUS ALLOYS

本文测量了由液态急冷技术制备的Zr_(100-x)Mx(M=Fe,Co,Ni,Cu和Pd),CU_(100-x)Ti_x和Pd_(83.5-x)Si_(16.5)M_x(M=Cu,Ag,Ni,Pt,Rh,Ru,Ir,Os,Hf,Ta,W和Re)以及Pd_(80-x)Si_(20)Cr_x等非晶态合金的室温电阻率ρ,和在0—500℃范围内的电阻率-温度特性.并确定了各个合金玻璃的电阻率温度系数α和各个结晶阶段的转变温度(T_1,T_2,T_3,和T_5)以及微量添加元素对它们的影响.     

四元Mg_2Si_(0.27)Ge_(0.05)Sn_(0.65)Sb_(0.03)固溶体的热电性能（英文）

通过氧化硼助熔剂法和放电等离子烧结技术制备了Mg_(2(1+x))Si_(0.27)Ge_(0.05)Sn_(0.65)Sb_(0.03)(x=0.05,0.08)四元固溶体热电材料。在300~800 K的温度区间内测试了所有四元固溶体试样的塞贝克系数、电导率和热导率。结果表明随着温度的升高电导率单调降低而塞贝克系数单调升高,所有样品的晶格热导率明显高于通过Abeles模型计算所得到的理论值。最高无量纲热电优值ZT出现在x=0.08样品中,在800 K时达到最高值1.0。     

Pt-Gd合金的低温电阻

报道了浓度在1.24%Gd以下的4种Pt-Gd合金在4.2～77K的电阻测量.结果表明,合金没有出现电阻极小值,在12K以下,合金的电阻率可以用方程式p=p_0+αT~5+AT~2拟合.拟合曲线的偏差和高浓度合金的电阻温度系数反常,证实合金在低温下存在两个铁磁有序转变温度.     

初期晶化对金属玻璃(Fe_(1-x)Co_x)_(78)Si_(10)B_(12)磁化强度的影响

文献[1]曾对金属玻璃(Fe_(1-x)Co_x),_(78)Si_(10)B_(12)的晶化,作过X射线衍射和透射电镜研究,指出初期晶化相为相应晶态Fe_(1-x)Co_x的室温平衡相.本工作将在验证这一结论的基础上,研究初期晶化对一定磁场强度下磁化强度(定场磁化)的影响。一、样品和实验方法成分为(Fe_(1-x)Co_x)_(78)Si_(10)B_(12)(x=0.1,0.5,0.7,1)的合金用单辊快淬法制成截面为～1×0.3mm的金属玻璃窄带,用示差扫描热分析法测定其晶化温度T_(cr)(升温速率10℃/min)分别为505,490,440和420℃.磁性试样在石英管式炉中依次进行退火,退火温度T_a=350-500℃,除了x=0.7的样品在T_a≥450℃退火10min外,T_a≤450℃退火20min,     

非晶态合金(Fe_(1-x)V_x)_(84)B_(16)的低温电阻率反常

在非晶态合金中,低温电阻率极小与极大值现象不仅在稀释合金中存在,而且在强铁磁性的非晶态合金中也普遍出现。我们在Fe-Cr-B,Fe-Mo-B及Fe-W-B系列中曾作了报道。本文将报道元素V对非晶态(Fe_(1-x)V_x)_(84)B_(16)合金低温电阻率的影响,并用类Kondo效应、RKKY相互作用和局部自旋涨落效应解释了不同温区的电阻率散射机制。一、实验非晶态(Fe_(1-x)V_x)_(84)B_(16)合金(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08及0.1)采用单辊急冷法制备,带厚20—30μm,带宽约1mm。经x射线衍射结