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刘崇新 《微电子学与计算机》1994,11(3):53-56
在高频域,MOSFET的分布参数对全集成MOSFET-C滤波器的特性有很大影响,本文应用SPICE(Ⅱ)通用模拟电路程序,采用非理想运算放大器单极点电路模型,考虑到MOSFET的寄生电容,对一个六阶切比雪夫低通滤波器全MOSFET-C平衡结构应用传输线模型进行了仿真分析。 相似文献
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本文提出了全集成MOSFET电流传输器CCⅡ±为基础的平衡结构积分器,并对其消除非线性因素进行了理论分析。同时提出了以全集成MOSFET电流传输器CCⅡ±为基本电路元件的有源RCTT滤波器平衡模式,并利用SPICE(Ⅱ)通用模拟电路程序,对全集成MOSFET-C平衡结构精确连续时间二阶滤波器输出电压幅频特性进行了仿真分析。 相似文献
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EMX250交换机中继线故障及排除鹰潭市邮电局张峰MOTOROLAEMX250移动电话交换机与PSTN网络连接的出中继上常常出现GEN-FAIL的告警信息。GEN-FAIL即指一般故障告警,它一旦出现在中继线上,中继线将退出服务状态(OOS),而且G... 相似文献
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EEPROM单元结构的变革及发展方向 总被引:3,自引:2,他引:3
扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)发展史上的各种结构如FAMOS、MNOS、SIMOS、DIFMOS、FETMOS(FLOTOX)等,比较了它们的优缺点,着重论述了EEPROM结构今后的变革方向。 相似文献
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WSi_2栅和Si栅CMOS/BESOI的高温特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用厚膜BESOI(BondingandEtch-backSilicon-On-Insulator)制备了WSi2栅和Si栅4007CMOS电路,在室温~200℃的不同温度下测量了其P沟、N沟MOSFET的亚阈特性曲线,分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。 相似文献
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SOI-MOSFET主要模型参数得一致的提取,因而该模型嵌入SPICE后能保证CMOS/SOI电路的正确模拟工作,从CMOS/SOI器件和环振电路的模拟结果和实验结果看,两者符合得较好,说明我们所采用的SOI MOSFET器件模型及其参数提取都是成功的。 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
从文献中摘出了6H碳化硅(6H~SiC)的重要材料参数并应用到2-D器件模拟程序PISCES和BREAKDOWN及1-D程序OSSI中。6H-SiCp-n结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达1000K温度下应用的可能性。6H-SiC1200Vp-n ̄(-)-n ̄(+)二极管与相应硅(Si)二极管的比较说明6H-SiC二极管开关性能较高,同时由于6H-SiC p-n结内建电压较高,其正向功率损耗比Si略高。这种缺点可用6H-SiC肖特基二极管克服。Si、3C-SiC和6H-SiC垂直功率MOSFET的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下,这种SiCMOSFET的开态电阻低于0.1Ωcm ̄2,可在高达5000V阻塞能力下工作,而SiMOSFET则限于500V以下。这一点通过用PISCES计算6H-SiC1200VMOS-FET的特性得以验证。在低于200V的电压区,由于硅的迁移率较高且阈值电压较低,故性能更优良。在上述的6H-SiCMOSFET的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约4×10 ̄6V/cm的电场。为了研究SiC器件的高频性能,提出了6H-SiC发射极的异质双极晶体管? 相似文献
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INFORMATION FOR AUTHORS 总被引:1,自引:0,他引:1
《半导体光子学与技术》1996,(1)
INFORMATIONFORAUTHORS¥//SEMICONDUCTORPHOTONICSANDTECHNOLOGY(SPAT)ispublishedquarterlywiththepurposeofprovidingthepublicationo... 相似文献
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pH—ISFET器件及其电路的SPICE模拟方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出了用SPICE软件模拟pH-ISFET器件及其电路的方法。通过SPICE内部的MOSFET参数和引入一些信号源来实现对pH-ISFET传感器及其电路的pH灵敏度关系,瞬态响应以及温度特性的模拟,所得结果与实验观测结果基本相符。 相似文献
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刘崇新 《微电子学与计算机》1994,11(6):1-3
本文提出了全集成MOSFET电流传输器[CCⅡ±]为基础的平衡模式积分电路和滤波电路,并对其消除非线性因素进行了理论分析;利用SPICE(Ⅱ)通用模拟电路程序,对以[CCⅡ±]为基础的一个全集成MOSPET-C平衡结构六阶低通切比雪夫滤波器输出电压的幅频特性和相频特性进行了仿真分析。 相似文献
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沟道δ-形掺杂对于改善极小尺寸MOSFET性能、提高可靠性极其重要。利用能量输运模型(ETM),报道了沟道δ-形掺杂分布对0.1μm沟长NMOSFET结构特性的影响,根据漏源电流IDS、截止态电流Ioff、阈值电压VTH和S因子的要求,提出了使性能和可靠性得到优化的δ-形掺杂分布。 相似文献
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本文提出了一种格形编码的正交频分复用(TC-OFDM)方案,研究把正交频分复用(OFDM)和格形编码(TCM)有机地结合,来克服时间色散信道中的频率选择性和多径衰落。文中对码率2/3格形编码的8DPSK-OFDM在时间色散信道中的误码率性能进行了分析和模拟,并讨论了不同正交载波数情况下格形编码的设计。结果表明,在比特误码率BER为10-3时采用TC-OFDM方案与未编码系统相比可以提供6dB的编码增益。 相似文献