高功率微波照射下阿基米德螺旋天线响应特性

天线在高功率微波辐照下的响应特性分析是研究后端接收电路干扰特性及毁伤效应的依据。以典型的平面阿基米德螺旋天线为研究对象,利用理论分析和时域有限积分方法相结合,研究了该天线在高功率微波场作用下的时域和频域响应特性,并开展了相关的试验验证。结果表明,通过Friis 传输理论预估的发射功率和实际发射功率的误差在1 dB 量级,仿真得到的响应信号和测试得到的响应信号在时域波形和频谱特性上均吻合较好,仿真方法正确有效,为高功率微波照射下天线响应特性的研究提供了技术支撑。     

一种改进的微波MESFET模拟器

本文介绍一种改进的基于器件物理参数的微波ＭＥＳＦＥＴ模拟器，它不仅可以模拟器件物理参数变化对ＭＥＳＦＥＴ特性（如等效电路元件、Ｓ参数、电流－电压特性）的影响，而且亦可以模拟ＭＥＳＦＥＴ特性随温度变化的情况。     

新颖的微波器件材料—InGaAs／GaAs异质结构

新颖的微波器件材料──ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构彭正夫，张允，龚朝阳，高翔，孙娟，吴鹏（南京电子器件研究所２１００１６）一、引言众所周知，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定．由于ＩｎＧａＡｓ的电子饱和速度比Ｇａ...     

数字微波共面带线非线性终端瞬态特性模拟及分布

用ＦＤ－ＴＬＭ法对高速数字微波而面带线端接电阻及非线性终端－半导体二极管时的瞬态响应特性的模拟及分析，并提出了一种适用于处理传输线结构终端吸收边界问题的简单，实用的方法。     

微波场效应功率放大器的CAD技术

微波场效应晶体管功率放大器的计算机辅助设计与分析技术关键是微波非线性电路的分析方法和功率场效应管器件模型的建立。本文在概述微波ＧａＡｓ ＦＥＴ ＣＡＤ、ＣＡＡ基本原理基础上，着重阐述了分析微波非线性电路的频域谐波平衡法，接着介绍了一个直接从ＧａＡｓＦＥＴ小信号Ｓ参数建立其大信号模型的新方法，上述技术可望在微波功率场效应放大器的批量研制中得到应用。     

GaAs MESRET平面型变容管高频特性分析

本文分析用于ＧａＡｓ ＭＭＩＣ调频器件ＭＥＳＦＥＴ平面型变容管的微波特性,讨论了器件几何结构与直流参数,Ｓ参数之间的关系,重点研究了器件串联电阻对微波特性的影响,给出了变容管变电容比与器件几何尺寸。     

Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体行波调制器共平面电极微波特性的分析

本文用直线法分析了具有半绝缘衬底和ｎ＋重掺杂外延层的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体行波调制器中共平面行波电极的微波特性．首先指出了在这种共平面微波带线中奇对称模和偶对称模的不同作用，由此详细地分析了调制器各结构参数对奇对称模特性的作用．在对微波特性分析的基础上，设计出了高速行波光波导调制器的结构，器件的理论带宽可大于４０ＧＨｚ．最后对分析获得的微波特性进行了讨论，指出了用准静态法分析微波特性的可能性．     

微波二极管变频器的频域分析

本文采用频域延拓交调波平衡法（ＦＤＣＩＢＭ）分析微波二极管变频器，讨论了本振（ＬＯ）和中频（ＩＦ）（或ＬＯ和射频（ＲＦ））输入均为大信号时的变频器分析，推导了上，下变频器统一的频域交调波平衡方程，并给出了一个微波巴伦二极管上变频器的分析和测量结果。     

GaN MESFET

ＧａＮＭＥＳＦＥＴ宽带隙半导体已在高温电子学和大功率微波器件领域日益引起人们的重视。这主要是因为宽带隙材料产热率较低，击穿电场较高。ＧａＮ材料不仅具有这方面的特性，而且还可以制成异质结构的器件。据《Ｅｌｅｃ．Ｌｅｔｔ．》３０卷第１５期报道，Ｓ．Ｃ．Ｂ...     

微波致热超声信号时频特征及其影响因素

微波致热超声成像是一种兼顾了微波和超声成像两方面长处的新型生物医学成像方法。本文首先给出了一个微波致热超声（Microwave-Induced Thermo-Acoustic,MITA）实验系统,然后结合信号理论和MITA机制,讨论微波脉冲激励源和样品尺寸这两方面因素对MITA信号的时域波形和频域分布的影响。由实验数据和理论分析得出MITA信号时域波形强度与入射微波脉冲宽度和样品截面大小成正比;MITA信号的频率分布除了与激励微波脉冲频谱有关外,更主要的特性是其频谱分布中心与样品厚度所确定的超声波本振频率存在对应关系。     

超宽带纳秒脉冲在带通滤波器中传输特性研究

根据超宽带(UWB)纳秒电磁脉冲的基本特性,采用模拟计算仿真与实验研究方法,研究了超宽带纳秒电磁脉冲信号通过微波接收机带通滤波器的时域、频域传输特性,初步认识了超宽带纳秒电磁脉冲通过带通滤波器传输特性规律,它是对传统连续波(CW)信号与脉冲调制信号通过微波带通滤波器传输特性技术的补充和完善。该研究成果为将来开发超宽带纳秒电磁脉冲在各类接收机中的应用提供技术基础。     

仿真软件在微波技术教学中的应用

本文以微波负载单支节匹配和时域反射仪为例,以同轴线为传输线,建立几何模型,用软件数值仿真,分别从频域和时域研究同轴线传输特性参数,目的是借助仿真软件理解微波传输物理量在频域和时域中不同的表现形式,用可视化的仿真结果帮助理解物理内涵,同时把仿真软件结合实际应用,以此提高学生在电磁场和微波技术中工程应用方面的能力。     

SiC微波半导体在T/R组件中的应用

本文简述了SiC微波半导体的特性,分析了SiC微波器件在有源相控阵雷达T/R组件中的应用,讨论了T/R组件微波关键技术,即功率放大链、高功率限幅保护、低噪声接收机前端等微波半导体电路的设计思路以及SiC微波器件在T/R组件中的潜在应用,比较了Si和SiC时代关键电路的特性及其技术状态,指出了SiC微波半导体的发展对未来军事电子设备相控阵雷达T/R组件的重要性。     

大信号射频二极管的时域模拟初步分析

从全时域分析的角度出发，以非线性射频二极管为例，给出了进行射频／微波非线性器件时域模拟的基本方法。在时域模拟后，通过快速傅立叶变换(FFT)得到电路模型的频域信息，并对相关电路参数进行了分析和讨论。     

高速半导体激光二极管的微波特性研究

本文通过测试器件的微波Ｓ参量，对半导体量子阱激光二极管的微波特性进行了深入的研究。在计及器件本身特性以及器件在微波频率下的寄生参量的前提下给出了器件微波等效电路和相应的数字模拟方法。由测量出的微波Ｓ１１参量建立适当的目标函数，选择正确的计算方法，成功地模拟出电路各参量。     

采用局部分子束外延技术的HEMT—HBT集成

介绍微波电路中单片集成ＨＥＭＴ和ＨＢＴ的器件结构及其电学特性，采用ＨＥＭＴ－ＨＢＴ混合工艺的局部分子束外延技术，其器件特性与一工艺的ＨＥＭＴ和ＨＢＴ基本相同。     

GaAs微波功率FET的可靠性与功率特性的关系

采用射频最大饱和漏电流和射频击穿电压解释了影响GaAs微波功率FET功率特性的主要因素,GaAs FET栅漏间半导体表面负电荷的积累在引起器件电流偏移的同时还导致器件微波功率特性的退化,GaAs微波功率FET的可靠性和功率特性相互关联,高可靠的GaAs微波功率FET一定具有高性能的功率特性。在器件工艺中对表面态密度和陷阱能级密度严格控制是实现GaAs微波功率FET的高功率特性和高可靠性的关键。     

雷达用微波功率器件的发展趋势

本文从雷达技术发展的角度阐述了雷达用微波功率器件的发展趋势，并指出今后将主要发展ＭＰＭ，ＭＭＩＣ，毫米波真空器件和真空微电子器件。     

高功率微波作用下单极天线瞬态响应特性研究

运用时域有限差分法(FDTD)结合同轴等效馈电模型计算了高功率微波(HPM)电磁脉冲作用下单极天线的感应电流的频域和时域响应,分析了单根单极天线感应电流频谱和时域响应与入射HPM间的关系,同时分析了两根天线间的距离对第一根天线末端感应电流的影响。计算结果表明,单根单极天线对HPM的感应电流频谱主要由入射HPM载波频率决定,感应电流波形与入射HPM波形相似;有其他天线存在时,对第一根天线会造成影响,且随距离增加影响减小。     

一种多胞微波GaAsMESFET和技术及其沟道电流模型

介绍了单管５Ｗ大栅宽多胞微波砷化镓ＭＥＳＦＥＴ器件的优化设计、关键工艺的创新、器件特性测试等,特别是器件具有高反向击穿电压和耐大电流的特性和并结合器件结构特点和Ｉ－Ｖ特性,建立了该器件的改进型沟道电流非线性模型,最后与实验测试数据比较,其拟合度优于常规模的拟合度。