腰椎损伤与退变性疾病的热像研究

用红外热像仪检查了一批腰椎损伤和退变性疾病，热图法经过分析，总结出用来诊断的经验。红外成像技术是一种方便、无损伤和可以将温度定量的方法。     

晶体管发射区归一化面积的温度谱

从芯片表面的红外热像图中提取出了发射区热像图,提出了一种定量描述晶体管结温不均匀性的新方法,即发射区热谱分析方法。发射区热谱是发射区归一化面积的温度谱,也就是发射区温度所占有的发射区归一化面积对温度的直方图。本文提供了由红外热像图导出发射区热谱的过程及结果。     

晶体管红外热像图的热谱分析方法

使用自编的分析软件,根据比色法对所摄取的晶体管红外热像图进行了热谱分析,给出了晶体管发射区热谱和发射区一维温度分布曲线.一维温度分布曲线给出了整个发射区的结温分布情况,并可直接读取发射区的峰值结温和最低结温,还可以计算出平均结温.晶体管热谱是表示晶体管结温不均匀性的一种与热像图不同的新方法.     

晶体管红外热像图的热谱分析方法

使用自编的分析软件，根据比色法对所摄取的晶体管红外热像图进行了热谱分析，给出了晶体管发射区热谱和发射区一维温度分布曲线．一维温度分布曲线给出了整个发射区的结温分布情况，并可直接读取发射区的峰值结温和最低结温，还可以计算出平均结温．晶体管热谱是表示晶体管结温不均匀性的一种与热像图不同的新方法．     

保温散热损失的热像观测

通过对热电厂部分主蒸汽管线保温热像的观测分析和散热损失计算，阐述了管线保温状况定量评价的热像方法。     

基于GaN功率器件的热仿真技术研究

针对大功率器件散热瓶颈问题,基于GaN功率芯片,利用有限元分析方法开展了芯片近结区热特性模拟方法的研究。建立了芯片近结区散热能力仿真评估的三维理论模型,系统地研究了不同的初始条件、边界条件、晶格热效应及结构理论假设等因素对仿真精度的影响,分析了理论建模因素对计算结果的影响的原因。同时采用红外热成像仪对不同功率下的GaN芯片结温进行测试验证,模拟计算的结果和测试值的偏差在10%之内,表明合理建模的热仿真技术可有效评估器件散热能力。     

热探测器温度对非制冷红外热像仪测温的影响

根据红外辐射理论和热像仪测温原理,给出了热探测器非制冷红外热像仪的温度计算公式;针对热探测器热像仪,分析了探头温度对热像仪测量结果的影响.     

非制冷焦平面红外热像仪光机热分析

非制冷红外热像仪在军事和民用领域具有广阔的应用前景.在空间或军事应用中,环境温度变化对系统成像质量影响很大.红外光学系统对温度变化非常敏感,温度的变化引起镜片间距的改变等,使系统产生离焦等热像差,从而使系统成像质量下降.利用光学设计软件Zemax的多重结构功能分析了红外光学系统在-20～60℃温度范围内的光学传递函数变化情况,结果表明系统的传递函数下降很小,满足设计指标的要求.     

功率晶体管结温测量与器件筛选条件拟定

概述了功率晶体管结温测量的意义及常用的双极晶体管模型.常用的结温测量方法有两种:红外扫描法和热敏参数法.由于热敏参数法只能得到器件的平均结温,不能用于准确地评价电子器件的可靠性,因此,红外扫描法优于热敏参数法.红外扫描法用于拟定器件筛选条件时必须满足3个必要条件,这样既不会发生应力不足,又能避免过应力失效.     

Thermal Analysis of High Power LED on Heat Sink

Thermal management of LED junction temperature is one of the fundamental technologies for LED lamp to ensure basic specifications in many aspects. Analysed is the high power LED＇s distribution on heat sink. Using mathematical statistical methods, a formula is conlcuded to calculate the size of heat sink under LED safe working temperature, which provides a method to researchers and LED lamp manufacturers.     

LED路灯热分析及散热结构设计

LED作为第四代照明光源已被广泛应用于显示和照明系统设备,但由于其光电转化率较低,大部分电能实际转化成了热量,所以如何提高其散热能力是大功率LED实现产业化亟待解决的关键技术之一。文章以某公司LED路灯为模型,采用ANSYS有限元软件对其进行参数化建模及热分析,得出了其稳态的温度场分布,在此基础上通过设计正交实验,分析了铝制热沉不同结构参数对其温度场的影响情况。由最终的结果可知,在合适的范围内使散热器翅片的厚度和间距较小一些,可得到较为理想的优化结构,既能控制芯片的最高温度,又有效地减小了散热器的质量。文章LED路灯算例得到优化的质量为原质量的33．40％。     

CPU散热器热分析与优化设计

利用CFD方法分析了平板直肋片散热器特性,通过多元线性回归建立了散热器换热和流动准则关系式,提供了散热器热阻和熵产率具体表达式;结合熵特性以本文提出的准则关系式采用约束条件的遗传优化算法对散热器结构进行多参数优化,优化结果与特性分析结论和相关文献吻合。     

Thermal Design for 5 Watt Power LED

With the consideration of the thermal management and heat sink requirements, a cooling device is designed and the thermal resistance of this device is calculated with a single 5 W power LED. The thermal design of a single 5 W power LED is reasonable, effective and the result has been simulated. This design also instruct other power LEDs' thermal design. Provided is a reliable and effective method for the design of power LED illumination lamps and lanterns.     

散热器的电磁辐射和散热特性分析

利用Feko软件分析对比了两种集成电路散热器的电磁辐射特性,再用Flotherm软件分析了它们的散热特性。结果表明,散热器在某些频率产生较大辐射,针状散热器的辐射与片状散热器,在一定频率范围内差别不大,但针状散热器散热性能要好于片状散热器。     

CPU散热器多学科优化热设计

基于DOE、RSM、GA和MOST组合优化算法,结合熵特性采用CFD方法对有约束条件的平板直肋片散热器进行多参数结构优化,利用优化过程得到的样本数据对平板直肋片散热器进行特性分析,通过多元线性回归建立散热器换热和流动准则关系式,提供散热器热阻和熵产率具体表达式.优化结果与特性分析结论一致,和相关文献吻合.     

大功率半导体激光器载体设计

激光器工作时由于存在各种非辐射复合损耗和自由载流子吸收等损耗机制,使注入到器件中的部分电功率转换成热耗散在激光器内,直接影响激光器的效率和寿命,因此散热处理一直是一个引人注意的焦点。采用微通道载体解决大功率半导体激光器阵列连续工作时散热问题,通过ANSYS软件模拟优化结构参数,实验测得了大功率半导体激光器阵列热阻。     

X波段T/R组件功率放大器芯片的热设计

针对X波段T/R组件中的功率放大器芯片,建立芯片热模型,给出了获取器件热阻的公式和方法,并对功放芯片的等效热路进行了分析计算.文中给出了常用材料的热导率,对不同壳底材料,求出了在确保功放可靠工作下的系统最大热沉温度,从而为组件设计师优化组件成本提供了依据.最后提出了提高功率芯片可靠性的建议.     

微波功率放大器的热管散热设计

随着微波功率放大器热功耗的增加和小型化,如何改善散热问题变得越来越重要,理想的热设计能够保证放大器长期工作。放大器在真空环境下以热传导和辐射散热为主,嵌入在盒体底部的热管具有很高的热传导率。放大器产生的热量以传导的方式传到盒体和热管,热管迅速把热量传导到散热器上,散热器的翅片通过辐射把热量散发出去。论述了在真空环境下微波功率放大器热管散热的设计方法,用ICEPAK CFD热分析软件进行热仿真。微波放大器通过热真空试验,可以工作正常,实验表明热管散热是真空环境下大功率放大器热设计的有效方法。     

不同过渡热沉封装微盘腔半导体激光器热分析

为了降低微盘腔半导体激光器工作时有源区的温度,提升封装的可靠性,基于Ansys Workbench有限元分析分别对AlN,WCu10,SiC,石墨烯,以及CVD金刚石过渡热沉封装的蜗线型微盘腔半导体激光器进行了热特性分析,得到了器件工作时的温度分布以及热应力、热应变分布.结果显示,SiC封装器件的有源区温度较AlN和WCu10封装器件分别降低了 2.18,3.078 C,并在五种过渡热沉封装器件中表现出最低的热应力,器件热应变最小.SiC过渡热沉封装可以有效降低微盘腔半导体激光器工作时的有源区温度,同时减少封装应力与器件应变,从而提高器件的散热能力和可靠性.计算结果对半导体激光器单管散热及阵列集成散热均有指导意义.