金刚石表面离子束金属化研究

采用离子束增强沉积技术对金刚石热沉材料表面金属化进行了研究，制备了Ｔｉ／Ｎｉ／ＡｕＩｎ和Ｃｕ／ＡｕＩｎ金属化体系。采用俄歇、ＥＤＳ、ＸＲＤ和ＳＣＲＡＴＣＨ方法对膜层和界面进行了分析。     

金刚石表面离子束金属化研究

采用离子束增强沉积技术对金刚石热沉材料表面金属化进行了研究，制备了Ｔｉ／Ｎｉ／ＡｕＩｎ和ＣＵ／ＡｕＩｎ金属化体系。采用俄歇、ＥＤＳ、ＸＲＤ和ＳＣＲＡＴＣＨ方法对膜层和界面进行了分析。     

铝合金表面激光熔覆SiC/金属基复合涂层的组织与性能研究

采用 ２ｋｗ的 Ｎｄ： ＹＡＧ激光器,在铝合金基体表面用预置法分别激光熔覆 ＮｉＣｒＡｌ／ＳｉＣｐ（颗粒）、ＮｉＣｏＣｒＡｌＹ／ＳｉＣｐ、ＮｉＣｏＣｒＡｌＹ／ＳｉＣｗ（晶须）复合粉末,获得了厚度约为 １ｍｍ的耐磨涂层。借助Ｘ射线衍射及电子探针,对不同涂层的显微组织作了对比分析,并测试了其显微硬度及耐磨性。结果表明由于细晶强化、固溶强化及未熔ＳｉＣ的弥散强化作用,与基体相比涂层硬度提高了４～５倍,耐磨性能提高了２～５倍。     

Ni过渡层对Co/Cu/Co三明治膜微结构及巨磁电阻性能的影响

本文利用原子力显微镜对具有不同厚度Ｎｉ过层的Ｃｏ５．０ｎｍ／Ｃｕ３．５ｎｍ／Ｃｏ５．０ｎｍ三明治在各个制备阶段样品的表面形貌进行了系统的研究,并结合Ｘ射线衍射的结果,发现Ｎｉ过渡层可以使Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治的界面平整,并形成强的（１１１）织构,从而导至瓣巨磁电阻值增大和矫顽力减少。电阻率的分析是表明过厚的Ｎｉ过渡层由于分流效应的存在会削弱材料的巨磁电阻值。     

激光熔敷NiCrSiB合金组织与物相研究

报道了对ＮｉＣｒＳｉＢ激光熔敷合金中共晶组织的研究和观察，将共晶中的第二相标定为Ｎｉ３１Ｓｉ１２。γ′（Ｎｉ３Ｓｉ）相与γ（Ｎｉ，Ｃｒ）相共存于枝晶中，共晶包围着枝晶形成合金的基体，其上弥散分布着硬质强化相ＣｒＢ，Ｎｉ３Ｂ和Ｍ２３（ＣＢ）６。研究方法包括ＳＥＭ（扫描电子显微镜），电子探针，ＸＲＤ（Ｘ射线衍射），ＥＤＡＸ（能谱分析）和波谱分析等     

宽带激光熔覆Ni-WC/Co复合涂层的组织及性能

采用自重送粉法,在４５钢 表面用宽带激光熔覆了Ｎｉ－ＷＣ／Ｃｏ 复合涂层．借助于扫描电镜、透射电镜、能谱仪、Ｘ射线衍射仪、显微硬度计和磨损试验机,对宽带激光熔覆Ｎｉ－ＷＣ／Ｃｏ复合涂层组织结构、显微硬度及干摩擦磨损特性进行了较为系统的研究． 研究结果表明,Ｎｉ－ＷＣ／Ｃｏ复合涂层熔覆区主要组成相为ＷＣ、Ｗ２Ｃ、ｒ－Ｎｉ、Ｍ２３（Ｃ,Ｂ）６及Ｍ７（Ｃ,Ｂ）３．熔覆区组织形貌及分布特征与 ＷＣ 颗粒含量有很大关系,特别是涂层内 ＷＣ体积分数增加至 ７０％时,有Ｍ３Ｃ２碳化物新相形成． 复合涂层内显微硬度沿层…     

具有热稳定性的Ge／Ni／TiWN／Au与n－GaAs接触性能的研究

采用Ｇｅ／Ｎｉ／ＴｉＷＮ／Ａｕ多层金属化结构与ｎ－ＧａＡｓ的固－固相反应来获得理想的欧姆接触性能。经６００℃热处理可获得７．３×１０￣（－７）Ω·ｃｍ的最小接触电阻率，俄歇能谱分析表明ＴｉＷＮ与Ａｕ之间，以及它们与ＧａＡｓ界面之间的互扩散较小，具有良好的热稳定性。     

具有热稳定性的Ge／Ni／TiWN／Au与n—GaAs接触性能的研究

采用Ｇｅ／Ｎｉ／ＴｉＷＮ／Ａｕ多层金属化结构与ｎ－ＧａＡｓ的固－固相反应来获得理想的欧姆接触性能。经６００℃热处理或获得７．３×１０＾－＾７Ω．ｃｍ的最小接触电阻率，俄歇能谱分析表明ＴｉＷＮ与Ａｕ之间，以及它们与ＧａＡｓ界面之间的互扩散较小，具有良好的热稳定性。     

Cr/GaAs(100)界面形成和界面反应的SRPES研究

利用同步辐射光电发射研究了Ｃｒ／ＧａＡｓ（１００）界面形成和结构．室温下，当Ｃｒ覆盖度低于０．２ｎｍ时，Ｃｒ与ＧａＡｓ衬底的作用很弱，没有反应产物生成．覆盖度高于０．２ｎｍ时，开始发生界面扩散和反应，Ａｓ原子与Ｃｒ生成稳定的ＣｒＡｓ化合物，而Ｇａ原子则与Ｃｒ形成组分变化的ＣｒＧａ合金相，并居于界面处．提高界面形成温度可显著地加剧界面混合和反应，引起表面偏析Ａｓ的出现．芯能级谱的结合能与强度分析表明，反应产物可作为有效的势垒（化学陷阱），阻止衬底的Ｇａ的外扩散．此外还比较了Ｃｒ与ＧａＡｓ（１００）及ＧａＡｓ     

氮化铝基板薄膜金属化工艺研究

氮化铝（ＡＩＮ）基板由于其优良的热性能和无毒性，成为一种重要的微电子材料。本文从以下三方面研究了氮化铝基板的薄膜金属化问题：（１）金属薄膜同ＡＩＮ基板的附着力；（２）ＡＩＮ基板上薄膜电阻的温度系数；（３）ＡＩＮ基板上ＮｉＣｒ薄膜电阻的功率密度。研究结果表明，氮化铝上薄膜金属化层的附着强度可以大于ＡＩＮ陶瓷本身。成功地将薄膜金属化氮化铝基板应用于功率混合电路和功率对晶体管模块中。     

脉冲激光淀积高电流密度的YBCO超导带材

采用脉冲激光加辅助离子源的方法在长为６．０ｃｍ的ＮｉＣｒ合金基带上制备０．１３μｍ厚的Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）隔离层，再用脉冲激光在ＹＳＺ／ＮｉＣｒ带上制备１．５μｍ厚的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导厚膜形成ＹＢＣＯ／ＹＳＺ／ＮｉＣｒ超导带材。实验测得在７７Ｋ，０Ｔｅｓｌａ下其临界电流密度为８．７５×１０４Ａ／ｃｍ２，超导转变温度为８８．６Ｋ。     

OrCAD在陶瓷封装技术中的应用

ＯｒＣＡＤ在陶瓷封装技术中的应用储章生（江苏宜兴电子器件总厂宜兴２１４２２１）ＯｒＣＡＤ是ＯｒＣＡＤ公司推出的印刷线路计算机辅助设计系统。ＯｒＣＡＤ／ＳＤＴ用于电路图设计；ＯｒＣＡＤ／ＰＣＢ用于线路板设计。ＯｒＣＡＤ本来是用于设计印刷线路板的，将它用...     

利用OrCAD／VST软件对分层式电路图进行逻辑仿真

本文通过实例介绍了ＯｒＣＡＤ／ＶＳＴ软件对ＯｒＣＡＤ／ＳＤＴ软件绘制的分层式数字电路的仿真方法。弥补了目前资料中对ＯｒＣＡＤ／ＶＳＴ软件介绍的不足。对于ＯｒＣＡＤ电子ＣＡＤ系统软件工具的推广使用具有实用价值。     

γ-TiAl金属间化合物合金激光熔敷高温自润滑耐磨复合材料涂层

以 Ｎｉ８ＯＣｒ２０、Ｃｒ_３Ｃ_２、Ａｒ、ＣａＦ_２／ＢａＦ_２四元混合粉末为原材料,利用激光熔敷技术在ｒ－ＴｉＡｌ金属间化合物合金Ｔｉ－４８Ａｌ－２Ｃｒ－２Ｎｂ表面上制得了以ｒ一ＮｉＣｒ为基体、以初生Ｍ_７Ｃ_３及Ｍ_（２３）Ｃ_６为耐磨相、以弥散分布颗粒Ａｇ、ＣａＦ_２或ＣａＡｇＦ_４为自润滑相的高温自润滑耐磨复合材料涂层,涂层显微硬度大大提高且与基体呈冶金结合。     

TiN_p／镍基合金复合耐磨涂层的激光熔覆

在４５钢表面用激光束熔覆了ＴｉＮ_ｐ／镍基合金复合耐磨涂层，对涂层的组织和滑动磨损性能进行了分析，并讨论了不同激光工艺参数下涂层稀释度的变化情况。熔覆层由ＴｉＮ颗粒、γ－Ｎｉ初晶以及γ－Ｎｉ＋（Ｆｅ，Ｃｒ）_２３（ＣＢ）_６共晶构成。初晶γ－Ｎｉ中观察到高密度的位错，共晶化合物（Ｆｅ，Ｃｒ）_２３（ＣＢ）_６中出现了大量的层错亚结构，这些特征均使得涂层中的基体相得到了强化。在激光熔覆过程中硬质相ＴｉＮ颗粒边缘发生了部分溶解，冷却过程中重新凝固的ＴｉＮ以细小枝晶状独立形核析出。复合涂层中由于ＴｉＮ颗粒的存在使得涂层硬度显著提高，在摩擦系数不明显变大的前提下耐磨性提高了３倍。     

激光熔覆TiC_p／Ni合金复合涂层中TiC颗粒的溶解析出行为与分布特征

在４５钢表面激光熔覆３０％ＴＩＣｐ／Ｎｉ基合金复合耐磨涂层，其组织由ＴｉＣ颗粒、γ－Ｎｉ固溶体枝状初晶及其晶间的Ｍ２３Ｃ６＋γ－Ｎｉ共晶组成。ＴｉＣ颗粒既分布在γ晶内，也可被固液界面推移至晶间与共晶共存。ＴｉＣｐ的形貌特征与其在激光熔覆过程中的溶解析出行为密切相关，其生长机制包括原位析出、桥接生长、独立形核生长和沉淀析出。     

激光熔覆WCp/Ni-Cr-B-Si-C自熔合金复合涂层的显微结构及干滑动磨损

运用激光熔覆技术在４５＃钢表面制备了ＷＣｐ增强Ｎｉ－Ｃｒ－Ｂ－Ｓｉ－Ｃ复合涂层。含量为３０ｖｏｌ－％ＷＣ典型涂层的ＸＲＤ,ＳＥＭ和ＴＥＭ分析表明,ＷＣｐ在熔覆的熔化阶段发生部分溶解和分解。激光熔体凝固时形成的微观组织由Ｎｉ＋Ｎｉ３Ｂ共晶基体上分布的杆（或薄片）状α－Ｗ２Ｃ,块状β－Ｗ２Ｃ和四方形η１碳化物Ｍ６Ｃ相组成。这类碳化物主要含Ｗ,并含大量Ｃｒ。销－环式干滑动磨损试验表明,当ＷＣｐ含量约为３０ｖｏｌ－％时,磨损抗力最大     

表面无小丘Al双层栅电极结构研究

利用ＤＳＣ方法研究了纯铝薄膜中的小丘现象,同时制备了Ａｌ双层栅电极Ｔａ／Ａｌ、Ｃｒ／Ａｌ和Ｍｏ／Ａｌ薄膜,并在不同温度下进行了退火处理,研究了双层结构中上层金属Ｔａ、Ｃｒ和Ｍｏ）厚度对Ａｌ薄膜中小丘的抑制作用。实验结果表明,上层Ｔａ膜厚度在８０￣９０ｎｍ左右（在本实验条件下）时,可得到表面无小丘的Ｔａ／Ａｌ薄膜栅材料。实验制备的表面无小丘Ｔａ／Ａｌ、Ｃｒ／Ａｌ和Ｍｏ／Ａｌ等栅电极材料的电阻率均在７     

LL8.209.1003刀具表面Al2O3陶瓷爆炸喷涂工艺及其界面初析

本文分析了测试爆炸喷涂获得Ａｌ２Ｏ３／Ｃｒ１２ＭｏＶ界面层的微 性能。试验结果表明Ａｌ２Ｏ３／Ｃｒ１２ＭｏＶ界面层中Ｆｅ,Ｃｒ,Ａｌ等元素呈梯度分布,界面层内存在着海绵状结构。同时,Ａｌ２Ｏ３／Ｃｒ１２ＭｏＶ存在界面反应。     

三元硅化物(Co_xNi_(l-x))Si_2薄膜的制备及特性

在Ｓｉ（１００）衬底上用离子束溅射方法淀积Ｎｉ,Ｃｏ,Ｔｉ薄膜,形成Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ,Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ等结构,通过氮气中快速热退火反应生成三元硅化物（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２。用ＡＥＳ,ＸＲＤ,ＲＢＳ沟道谱,ＳＥＭ及四探针等方法对（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２薄膜的物理特性和电学特性进行了测试,在Ｓｉ衬底上Ｃｏ,Ｎｉ多层膜经快速热退火可形成高电导的（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２薄膜,其电阻率在１５～２０μΩ·ｃｍ之间。Ｃｏ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｓｉ（１００）多层结构固相反应可以得到外延（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２薄膜。（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２的晶格为ＣａＦ２立方结构,晶格常数介于ＣｏＳｉ２和ＮｉＳｉ２之间。通过热处理和选择腐蚀等工艺,可在有ＣＭＯＳ图形的衬底上形成自对准的三元硅化物源漏接触和栅极互连图形。