半导体吸收式光纤温度传感器的研究

半导体GaAs对近红外光的吸收波峰值随温度升高向长波长移动,从而引起透射率随温度变化而变化。基于这一特性,设计了一种单光路的半导体吸收式光纤温度传感器。实验表明,该传感器精度可达±1℃,响应速度可达20 s。     

NTD CZ-Si708cm~(-1)、742cm~(-1)、776cm~(-1)中照缺陷红外吸收带特性

本文报道了NTD CZ-Si 708cm~(-1)、742cm~(-1)、776cm~(-1)中照缺陷红外吸收带退火特性和温度特性的研究结果.三个带产生的退火温度为350℃-550℃,500℃退火效应最明显,峰强达到最大值;10-95K变温测量峰位频移为零.10-60K时,峰强随温度升高而平缓增加,60K时达到最大值.在60-95K温区,峰强随温度升高而迅速下降,至100K时已全部消失.     

YBa_2Cu_3O_x和BiSrCaCu_2O_x红外吸收谱的研究

进一步研究了对YBa_2Cu_3O_x红外谱中P_1、P_2和P_3峰的指认,测量了YBa_2Cu_3O_x的晶格参数b、c和红外峰P_1、P_3的频率随淬火温度的变化,报道了P_4(410cm~(-1))及P_5(360cm~(-1))两个峰并分别指认为Ba-Ba层间及Y-Ba层间Cu-O弯曲振动产生的.还研究了不同氧含量BiSrCaGu_2O_x样品的红外吸收谱,并对其红外峰进行了指认.     

CMOS温度传感器校准算法设计与实现

理想CMOS温度传感器输出随温度变化曲线具有严格线性关系,实际上由于制造工艺随温度变化等非理想因素的影响,输出随温度变化呈非线性关系.结合低成本的要求,在高精度的应用中需对传感器进行数字校准,使校准后输出量随温度变化具有线性关系.通过对未校准之前CMOS温度传感器随温度变化的函数关系构造校准函数是算法的核心.通过分析精度指标、数据运算量及系统资源等因素,采取添加中值滤波和均值滤波处理原始数据的分段拟合校准方法,并在运算量的约束下得出了最优的分段值.经实际测试校准后CMOS温度传感器精度提高了0.3℃,在-20℃～120℃工业温度范围内精度达到0.35C.     

氧对铅锡碲薄膜电阻率的影响

氧吸收或氧化对金属电阻膜、合金电阻膜及金属陶瓷膜的影响及作用机理差别很大。淀积不同厚度的铅锡碲合金膜暴露在氧气或大气中, 其电阻随时间发生明显的变化,电阻的变化是随着膜厚的增加、基片温度的增加呈下降趋势,比较了金属氧化膜、合金电阻膜及金属陶瓷膜中的氧对电阻值的不同影响。铅锡碲氧吸收模型解释了其电阻变化机理,并进一步得到XPS光电子色谱分析的支持。     

CFRP材料的电导率-温度及频率特性

搭建碳纤维复合材料(CFRP)电导率测量试验平台,研究CFRP试件沿不同方向测量时的"电导率-温度"及"电导率-频率"特性。结果表明CFRP材料的电导率随温度升高呈负温度系数(NTC)特性,并且在0.1~5 MHz出现随频率变化的转折点;沿平行纤维方向测量的"电导率-温度"及"电导率-频率"特性与沿厚度和垂直纤维方向测量的相差甚大。最后,采用微观导电模型及对应的等效电路对测试结果进行了探讨和解释。     

热红外探测器及红外焦平面列阵

本发明提供一种热红外探测器,它由衬底、温度传感器、隔热支撑腿以及红外吸收层等构成。其温度传感器的电学特性是随由红外吸收引起的温度变化而变化的;其隔热支撑腿用于支撑温度传感器并充当用于凄出温度传感器电信号的信号线;红外吸收层则是与温度传感器热接触的。温度传感器、隔热支撑腿及红外吸收膜各自都处在一个不同的平面中,而这些平面在空间上都是互相分开的。     

波束峰值方向偏离天顶时宽波束天线晴空噪声温度的计算

利用地球大气层氧气、水蒸汽吸收和再辐射亮温度随仰角变化的简单模型，给出了波束峰值方向偏离天顶时宽波束天线晴空噪声温度的计算公式。本文仅是文献[1]的补充。     

非晶态碲镉汞的暗电导率和吸收边(英文)

研究了非晶态碲镉汞(x=0.2)薄膜的暗电导率随温度变化关系,发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性,其室温禁带宽度在0.88～0.91eV之间,与通过光学方法获得的结果相符。在80～240K的温度区间非晶态碲镉汞(x=0.2)的暗电导率从1×10—8Ω—1.cm—1缓慢增大到5×10-8Ω—1.cm—1,温度大于240K时,其电导率剧烈增大到1×10—5Ω—1.cm—1,说明在240K附近非晶态碲镉汞材料的导电机制发生了变化,这对非晶态碲镉汞材料的应用研究具有重要意义。还研究了退火过程对非晶态碲镉汞薄膜电导率的影响,结果表明140℃退火后非晶态碲镉汞薄膜发生了部分晶化。     

高温热处理对SiGe:GaP中电子散射机构的影响

通过测量材料的塞贝克系数和电阻率随温度的变化,首先可以判断出测量是否处于载流子浓度的饱和温区,进而能够导出在该饱和温区上载流子的迁移率随温度的变化关系、对高温热处理前后迁移率-温度关系的实验研究表明:SiGe:GaP中电子-声子散射经高温热处理后得到相对增强。