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采用催化剂辅助化学气相沉积法,通过固-液-气(V-L-S)机理控制在硅衬底上制备了高质量的InN纳米线。利用FESEM、XRD、HRTEM对制备的InN纳米线的表面形貌和结构进行了表征。分析表明合成的InN纳米线为标准的六方纤锌矿结构,纳米线沿[102]方向生长。室温PL光谱表明,制备的InN纳米线在1580nm(0.78eV)处存在很强的无缺陷的带边发射,与六方纤锌矿结构InN单晶发射峰位置一致,表现出良好的光电性能。 相似文献
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根据爆炸辅助气相沉积法生长碳纳米管的机理,设计了两种制备炭纳米线的方案:(1)使用低活性铁-镍二元金属催化剂;(2)对钴催化剂作用下碳纳米管的生长实施冷冻。透射电子显微镜显示这两种方法制备的炭纳米线均为纳米颗粒组装而成,具有非常粗糙的表面。其中,使用铁-镍二元催化剂所制炭纳米线直径分布不均匀,黏结情况严重;而在冷冻钴催化剂作用下炭纳米管生长过程所得的炭纳米线直径分布比较均匀,黏结情况也大为减少。这两种纳米线的差别与金属催化剂的活性有关。光催化降解亚甲基蓝实验表明:冷冻碳纳米管生长所得炭纳米线具有良好的催化辅助功能,可以提高ZnS纳米晶的光催化活性。 相似文献
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SiC纳米线具有优良的物理、化学、电学和光学等性能,在光电器件、光催化降解、能量存储和结构陶瓷等方面得到广泛应用.其制备方法多种多样,其中化学气相沉积法(CVD)制备SiC纳米线因具有工艺简单、组成可控和重复性好等优点而备受关注.近年来,在化学气相沉积法制备SiC纳米线以及调控其显微结构方面取得了较多成果.采用Si粉、石墨粉和树脂粉等低成本原料以及流化床等先进设备,通过化学气相沉积法制备出线状、链珠状、竹节状、螺旋状以及核壳结构等不同尺度、形貌各异的SiC纳米线,并且有的SiC纳米线具有优良的发光性能、场发射性能和吸波性能等,为制备新型结构和形貌的SiC纳米线及开发新功能性的SiC纳米器件提供了重要参考.目前,未添加催化剂时,利用气相沉积法制备的SiC纳米线虽然纯度较高,但存在产物形貌、尺度和结晶方向等可控性差,制备温度较高和产率相对较低的问题.而添加催化剂、熔盐以及氧化物辅助可明显降低SiC纳米线的制备温度,提高反应速率以及产率,但易在SiC纳米线中引入杂质.将来应在提高SiC纳米线的纯度、去除杂质方面开展深入研究;还应注重低成本、规模化制备SiC纳米线的研究,采用相应措施调控SiC纳米线的显微结构,以拓宽SiC纳米线的应用领域.本文综述了目前国内外采用化学气相沉积制备SiC纳米线的方法,分析总结了无催化剂、催化剂、熔盐以及氧化物辅助等各种制备方法的优缺点,并对未来的研究进行展望,期望为SiC纳米线的低成本、规模化制备和应用提供理论依据. 相似文献
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碳纳米管(CNTs)是一种具有独特理化性能和结构的一维纳米材料,也是当今纳米材料研究的焦点之一.在化学、生物、医药、能源、电子元件等诸多领域具有极高的应用价值.本文以有机溶剂环己烷为碳源.利用化学气相沉积法(CⅥ))在管式电阻炉内,以氩气为栽气,二茂铁为催化剂,一定温度条件下,制备了直径约为50nm,长度达几十微米以上的多壁碳纳米管(MWNTs).采用拉曼光谱、扫描电镜、透射电镜、X-射线粉末衍射等测试手段,表征了碳纳米管的微观形貌和结构特征.通过对实验结果的分析和讨论,对CVD制备法中碳纳米管的生长机理进行了尝试性探讨。 相似文献
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化学气相沉积法制备SiC纳米粉 总被引:11,自引:0,他引:11
本工作采用二甲基二氮硅烷和氢气为原料,在1100-1400℃温度条件下,通过化学气相沉积制备出了高纯、低氧含量的纳米SiC粉体,实验结果指出,在1100-1300℃,制备得到的粉体颗粒由于锭型相和β-SiC微晶组成;而在1400℃则粉体颗粒主要由β-SiC微晶无序取向组成,随反应条件的改变,粉体平均粒径和β-SiC微晶的平均尺寸分别在40-70nm和1.8-7.3nm范围内变化,同时,产物粉体的C 相似文献
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研究了气相沉积方法制备的Co掺杂ZnO纳米线的结构及其磁学性能。结果表明,Co离子代替Zn离子的位置进入ZnO晶格,样品的磁性能对实验条件的依赖性比较大,通入适量空气的条件下制备的样品具有室温铁磁性。 相似文献
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合成了液态碳硅烷并对其结构进行了分析;采用化学气相沉积工艺,以自制的液态碳硅烷为先驱体,分别在850℃和900℃的较低温度下制得了SiC粉体,并对产物进行了IR、XRD和SEM分析.结果表明,850℃产物中含有未分解完全的有机基团,900℃产物为较纯的部分结晶的纳米SiC粉体,粒度为50~70nm. 相似文献
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爆炸辅助气相沉积法制备富勒烯的研究 总被引:3,自引:1,他引:2
通过双釜爆炸装置,将爆炸后产生的高温气相碳簇快速转移到温度相对比较低的环境中沉积,成功地制备了C60富勒烯.富勒烯的形成与沉积温度密切相关,当沉积温度为0℃时,紫外光谱以及飞行时间质谱检测表明,产物的甲笨抽提物中生成了C60富勒烯.与其它制备方法相比,本体系的气氛更为复杂,包含H、O、N等元素,此条件下富勒烯的成功制备为深入理解富勒烯的生长机理提供了有用的信息.实验范围内,当沉积温度为450℃、150℃以及-78.5℃时,产物的抽提物中都没有发现富勒烯生成,可能是由于碳簇退火沉积速率太慢或太快造成. 相似文献
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本文将对等离子体的性质、等离子体对化学气相沉积的作用、PCVD反应器以及 新近发展起来的微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)的特点和应用作一综述。期 望引起国内同行对这一崭新领域的关注,把我国PCVD特别是MPCVD的研究工 作推向前进。 相似文献
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采用化学气相沉积法在镀金硅片上制备出了大量直径均匀、长度大于100肿的单晶纳米硅丝。采用场发射扫描电镜(FESEM)、能谱分析(EDX)、透射电镜(TEM)和拉曼光谱(Rarnan)对样品进行了表征和分析,并对超长纳米硅丝的生长机理进行了讨论。 相似文献