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《中国无线电电子学文摘》2003,(3)
TN60 2003030760片式多层电容电阻复合元件的研制/周少荣,陈世忠,陈锦清介电子元件与材料.一2002,21(6)一6一7,19采用低温共烧陶瓷(LT CC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和颇率特性.结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值.图6表1参6(刚)TM53 2003030766电化学电容器最新研究进展1.双电层电容器/杨红生.周啸,冯天富,汤孝平(清华大学)11电子元件与材料一2 003,22(2).一13-16,1… 相似文献
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TCLL多层微波互连基板布局布线设计及制造技术 总被引:2,自引:0,他引:2
采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术制造多层微波互连基板,可以研制出高密度的T/R组件.讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点. 相似文献
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LTCC基板制造及控制技术 总被引:13,自引:7,他引:6
低温共烧多层陶瓷(LTCC)基板,具有高密度布线,内埋无源元件,IC封装基板和优良的高频特性,目前在宇航、军事、汽车、微波与射频通信领域得到广泛运用,是MCM技术的关键部件.本文介绍了LTCC基板制造的关键技术和性能控制. 相似文献
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为了研究多层陶瓷电容器开裂的失效机理,通过红外热像对电容的失效点进行定位,结合应力应变测试确认基板制造过程中引入的应变大小,采用仿真分析研究基板变形后电容本体的应变分布情况,利用板弯曲试验对电容进行故障复现。结果表明:在基板制造过程中功能测试环节会引起基板变形,变形幅度达到了1 mm,对应的应变大小约为1 000μE,在1 mm的板弯曲深度下,电容底部位置将形成裂纹,裂纹由瓷体表面向电容内部延伸,当裂纹贯穿其内部相邻不相连的内层电极时,会引起电容绝缘电阻的降低失效。基于多层陶瓷电容器裂纹的形成机理,提出相应的优化保护方法以提高电容器的可靠性。 相似文献
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自上世纪60年代起,陶瓷技术在电子装置微型化过程中一直扮演着重要的角色。陶瓷基板的诸多优点使得它们在恶劣环境中应用、大功率应用以及超高频应用中远远胜过其他基板技术。从现在看,陶瓷是一种仍在不断发展的成熟技术。尤其是近年来,多层陶瓷技术有极大的发展,低温共烧陶瓷技术(LTCC)的发展尤为突出。诸多新材料得到了开发,技术成果有扩展LTCC叠层的各种介质特性;利用零收缩工艺带来的益处;生产高质量的导体图形;供液冷使用的精确结构;先进的冷却及精确的光器件匹配。与LTCC基板的三维设计相关的各种挑战是限制LTCC推广应用的瓶颈之一。另外一个限制因素便是成本偏高。本文阐述了与聚合物基印制电路板、硅技术等主流技术相比,多层LTCC技术的发展前景及瓶颈问题。 相似文献
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SrTiO3片式化压敏-电容双功能元件研究 总被引:2,自引:0,他引:2
阐述了SrTiO3片式化压敏一电容双功能元件的制作工艺、陶瓷成分及结构,并讨论了陶瓷成分、结构及烧结工艺对元件压敏、电容性能的影响。 相似文献
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A novel multilayer ceramic capacitor is proposed using vertically oriented internal electrodes. Because this distinctive internal electrode configuration effectively reduces the current loop area in the device, the proposed capacitor provides ultra-low equivalent series inductance of 47.0 pH on average from a series resonant frequency to 3.0 GHz despite its relatively simple terminal structure. This excellent behaviour is both numerically and experimentally validated. 相似文献
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多层陶瓷电容器的端电极在进行电镀镍和锡铅合金时常会出现两边的端电极金属层向瓷体中间逐渐延伸的渗边现象,采用一种前处理化学浸液,对MLC芯片进行浸入处理后,可彻底消除以往电镀时的渗边现象 相似文献
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《Microwave and Wireless Components Letters, IEEE》2009,19(12):798-800
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陶瓷厚膜和薄膜混合电致发光器件 总被引:1,自引:1,他引:0
使用PbMg1/ 3Nb2 / 3O3 PbTiO3 PbCd1/ 2 W1/ 2 O3三元系电容器瓷料 ,采用流延工艺成膜 ,丝网印刷内电极 ,在 930~ 950℃下低温烧结的方法制备了陶瓷衬底。陶瓷厚膜在室温下的相对介电常数εr>1.4× 10 4 ,损耗tanδ≈ 1% ,具有极高的品质因素 (大于等于 80 μC/cm2 )。理论分析了电致发光器件的阈值电压与绝缘介质特性的关系。直接在陶瓷厚膜上制备了MIS结构和MISIM结构的以陶瓷厚膜为绝缘层的ZnS :Mn低压驱动电致发光器件 相似文献
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