电子元件、组件

TN60 2003030760片式多层电容电阻复合元件的研制/周少荣,陈世忠,陈锦清介电子元件与材料.一2002,21(6)一6一7,19采用低温共烧陶瓷(LT CC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和颇率特性.结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值.图6表1参6(刚)TM53 2003030766电化学电容器最新研究进展1.双电层电容器/杨红生.周啸,冯天富,汤孝平(清华大学)11电子元件与材料一2 003,22(2).一13-16,1…     

基于LTCC技术的加速度计制造方法

低温共烧陶瓷(LTCC)技术是实现电子设备小型化、高密度集成化的主流技术手段,可适用于耐高温、耐受恶劣环境下的特性要求。介绍了LTCC差分电容式加速度计结构,敏感质量块和4根悬臂梁结构都内嵌于LTCC多层基板,质量块和上下电容板之间通过印刷电极组成差分电容对。重点讨论了微机械式LTCC基加速度计的工艺制造方法及其面临的工艺问题,实现了多款内埋质量块结构的LTCC电容式加速度计制造。     

基于LTCC微波多层基板的双面微组装技术研究

传统的微波组件通常在低温共烧陶瓷(LTCC)微波多层基板上单面组装裸芯片和片式元器件,组装密度难以进一步提高.文中采用了LTCC微波多层基板双面微组装技术以提高组装密度,重点研究了高精度芯片贴装技术和芯片金丝键合技术,实现了LTCC微波多层基板双面高精度芯片贴装和金丝键合,大大提高了微波组件组装密度.实验结果表明:裸芯片的双面贴装精度均达到了±20 μm;双面金丝键合强度(破坏性拉力)均大于5 g,满足国军标要求.     

TCLL多层微波互连基板布局布线设计及制造技术

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术制造多层微波互连基板,可以研制出高密度的T/R组件.讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点.     

LTCC基板制造及控制技术

低温共烧多层陶瓷(LTCC)基板,具有高密度布线,内埋无源元件,IC封装基板和优良的高频特性,目前在宇航、军事、汽车、微波与射频通信领域得到广泛运用,是MCM技术的关键部件.本文介绍了LTCC基板制造的关键技术和性能控制.     

LTCC多层微波互连基板布局布线设计及制造技术

采用低温共烧陶瓷 (LTCC)技术制造多层微波互连基板 ,可以研制出高密度的T/R组件。讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术 ,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点。     

多层陶瓷电容器开裂失效机理研究及改进建议

为了研究多层陶瓷电容器开裂的失效机理,通过红外热像对电容的失效点进行定位,结合应力应变测试确认基板制造过程中引入的应变大小,采用仿真分析研究基板变形后电容本体的应变分布情况,利用板弯曲试验对电容进行故障复现。结果表明：在基板制造过程中功能测试环节会引起基板变形,变形幅度达到了1 mm,对应的应变大小约为1 000μE,在1 mm的板弯曲深度下,电容底部位置将形成裂纹,裂纹由瓷体表面向电容内部延伸,当裂纹贯穿其内部相邻不相连的内层电极时,会引起电容绝缘电阻的降低失效。基于多层陶瓷电容器裂纹的形成机理,提出相应的优化保护方法以提高电容器的可靠性。     

LTCC曲面基板制造技术

电子电路曲面结构对于实现结构功能一体化有重要应用意义。针对LTCC多层电路基板,提出了一种曲面结构基板的加工制造方法。介绍其制造中曲面结构导体制作、曲面结构成形、曲面结构烧结等环节的关键制造工艺。通过X光和剖切方式对所制造的曲面基板进行测试分析,结果证实曲面基板中的多层布线均连通,且层间对位精度优于15μm。提出的曲面LTCC基板制造技术能够满足后续产品的研制加工要求,对于曲面电子技术和LTCC技术的发展都具有借鉴意义。     

信息产品的质量现状与分析

（续上期） （五）电子基础产品１．电子元器件 １）片式元件的质量现状与分析 片式元件（ＳＭＣ）是适用于表面组装技术（ＳＭＴ）的无引线或短引线新型元件,生产和应用最多的是片式电阻、片式电容（片式陶瓷电容、片式钽电容、片式铝电解电容、片式薄膜电容、片式云母电容）、片式电感。 我国的表面安装技术起步较晚,元件的片式化进程比国外慢。自８０年代中期开始,我国先后引进了片式元件生产线约３０条,ＳＭＣ产业逐步形成．最近几年,日本几家最大的片式元件制造商到我国合资生产片式电阻、片式电容,具有较大的规模,大大增加了国…     

LTCC技术展望及发展瓶颈

自上世纪60年代起，陶瓷技术在电子装置微型化过程中一直扮演着重要的角色。陶瓷基板的诸多优点使得它们在恶劣环境中应用、大功率应用以及超高频应用中远远胜过其他基板技术。从现在看，陶瓷是一种仍在不断发展的成熟技术。尤其是近年来，多层陶瓷技术有极大的发展，低温共烧陶瓷技术（LTCC）的发展尤为突出。诸多新材料得到了开发，技术成果有扩展LTCC叠层的各种介质特性；利用零收缩工艺带来的益处；生产高质量的导体图形；供液冷使用的精确结构；先进的冷却及精确的光器件匹配。与LTCC基板的三维设计相关的各种挑战是限制LTCC推广应用的瓶颈之一。另外一个限制因素便是成本偏高。本文阐述了与聚合物基印制电路板、硅技术等主流技术相比，多层LTCC技术的发展前景及瓶颈问题。     

SrTiO3片式化压敏-电容双功能元件研究

阐述了SrTiO3片式化压敏一电容双功能元件的制作工艺、陶瓷成分及结构，并讨论了陶瓷成分、结构及烧结工艺对元件压敏、电容性能的影响。     

电泳法制备钛酸钡薄膜

以钛酸丁酯、冰醋酸、醋酸钡为原料,利用溶胶水解法制备了钛酸钡(BaTiO3)的纳米粉体。该粉体按传统的陶瓷工艺进行烧结后,瓷体中存在大量细小的晶粒,由于晶粒的尺寸效应,介电常数低于普通的BaTiO3陶瓷,同时损耗较小,温度特性也更为平坦。利用乙酰丙酮和乙醇的混合溶液作分散剂,BaTiO3纳米粉体可生成稳定的悬浮液。在电场的作用下,悬浮的BaTiO3微粒可有效地沉积到电极极板而形成BaTiO3薄膜。该膜层经烧结后晶粒细小均匀,膜层发育良好。     

多层陶瓷电容器端电极用低温烧结铜浆及烧结特性研究

多层陶瓷电容器(MLCC)端电极低温烧结技术仍是目前研究的重点与难点.为了改善MLCC低温烧结铜端电极的烧结形貌与质量,开发出适用于低温烧结的端电极铜浆的新型玻璃粉,探讨了玻璃粉的转变温度、含量、粒径以及玻璃粉与陶瓷基片的烧结润湿性与铜浆烧结特性之间的关系.此外,研究了铜粉形貌、粒径等对端电极烧结特性的影响.结果表明:...     

Multilayer ceramic capacitor with ultra-low ESL for high-frequency decoupling applications

A novel multilayer ceramic capacitor is proposed using vertically oriented internal electrodes. Because this distinctive internal electrode configuration effectively reduces the current loop area in the device, the proposed capacitor provides ultra-low equivalent series inductance of 47.0 pH on average from a series resonant frequency to 3.0 GHz despite its relatively simple terminal structure. This excellent behaviour is both numerically and experimentally validated.     

三层端电极渗边现象的研究

多层陶瓷电容器的端电极在进行电镀镍和锡铅合金时常会出现两边的端电极金属层向瓷体中间逐渐延伸的渗边现象，采用一种前处理化学浸液，对ＭＬＣ芯片进行浸入处理后，可彻底消除以往电镀时的渗边现象     

高储能密度玻璃-陶瓷电容器内电极的研究

采用Na2O-PbO-Nb2O5-SiO2体系玻璃-陶瓷作为绝缘介质,以磁控溅射镀膜技术先在玻璃-陶瓷层表面形成金属膜,再用丝网印刷技术在金属膜上涂覆银浆形成组合式内电极,制备出多层结构高储能密度玻璃-陶瓷电容器,对比了单层内电极结构电容器的性能参数。结果表明:多层内电极结构既保证电容器电极面积不会因银浆烧结形成微孔而减小,又能从原理上有效提高电容元件的击穿强度,其储能密度提高到约8 J/cm3。     

Feed-Through Type Multilayer Capacitor for High Frequency Voltage Noise Suppression

A novel feed-through type multilayer ceramic capacitor (MLCC) is proposed using vertically oriented internal electrodes. The proposed capacitor has a distinctive structure to effectively reduce the parasitic equivalent series inductance (ESL), and thus the noise suppression performance of the capacitor can be greatly improved. Furthermore, it can be made compact with the help of relatively simple terminal structure. Therefore, the capacitor developed here is suitably used as a bypass capacitor in mobile communication systems where miniaturized components with high performance are essentially required. To demonstrate the feasibility and validity of the proposed capacitor, the size 1005 capacitors and evaluation boards have been designed and fabricated. According to the measured results, the proposed capacitor provides the insertion loss of 47.5 dB at 1.0 GHz, and thus the peak to peak voltage noise is reduced from 352 mV to 287 mV by using the proposed capacitor instead of using the regular two terminal MLCC.      

陶瓷厚膜和薄膜混合电致发光器件

使用PbMg1/ 3Nb2 / 3O3 PbTiO3 PbCd1/ 2 W1/ 2 O3三元系电容器瓷料 ,采用流延工艺成膜 ,丝网印刷内电极 ,在 930～ 950℃下低温烧结的方法制备了陶瓷衬底。陶瓷厚膜在室温下的相对介电常数εr>1.4× 10 4 ,损耗tanδ≈ 1% ,具有极高的品质因素 (大于等于 80 μC/cm2 )。理论分析了电致发光器件的阈值电压与绝缘介质特性的关系。直接在陶瓷厚膜上制备了MIS结构和MISIM结构的以陶瓷厚膜为绝缘层的ZnS :Mn低压驱动电致发光器件     

MLCC端电极Sn镀层的焊接失效分析

针对多层陶瓷电容器(MLCC)端电极Sn镀层的可焊性失效问题,运用SEM和能谱仪对Sn镀层进行微观结构和成分分析,找出了失效的主要原因,并提出了改进意见。在对MLCC三层端电极中的底层Ag端浆的烧渗过程中,由于烧渗工艺不合理,Ag浆中出现玻璃料物质的溢出,造成电镀Sn时Sn层不连续、不致密,以至MLCC端电极的可焊性变差。通过设计合理的烧渗银温度曲线可较好地解决MLCC端电极Sn镀层的焊接失效问题。     

多层陶瓷电容器端电极银浆料匹配问题的研究

针对多层陶瓷电容器一种自主研发的瓷料的银电极匹配问题,运用扫描电子显微镜分析了端电极烧结后的微观结构,并用能谱仪对其进行成分分析,结合实际的生产实践,找出与该瓷料匹配的银浆料。端电极用银浆由有机载体、玻璃料和银粉等组成。经封端、烘干和烧端形成ML-CC的端电极。实验结果表明:用2#银浆作端电极的MLCC具有附着力高、损耗低等特点,完全能满足该系列MLCC生产线的使用要求。