英飞凌专家打造全球尺寸最小的非易失性闪存单元

英飞凌科技公司(FSE/NYSE: IFX)的专家已成功研制出目前世界上最小的非易失性闪存单元,打破了半导体行业的记录。这种全新存储单元的电路宽度仅为20nm, 约为一根头发丝的直径的五千分之一。如果能克服光刻等一切生产上的困难,这项新成果很可能在今后几年之内被用于制造容量高达32Gbit的非易失性闪存芯片,相当于市场上现有产品的8倍。     

英特尔美光联合推出34纳米闪存芯片

英特尔和美光科技近日发布了用于闪存卡和优盘的高数据容量闪存技术。这两家公司称,他们已经开发出了基于34纳米技术的NAND闪存芯片,存储容量为每个储存单元3比特。这个存储密度高于目前标准的每个存储单元2比特的技术,从而将实现高容量的优盘。     

大容量闪存正加速开发64G技术及新单元叠层方法出台

"基于30nm级工艺的64Gb闪存有望在近期内实现。而且,现有的单元结构有可能不加修改地发展到20nm级。之后,只需要将存储单元以三维形式叠加起来,就可以     

英飞凌研制出世界最小非易失闪存单元

英飞凌科技公司(Infineon)的专家已经成功研制出目前世界上最小的非易失性闪存单元。这种全新存储单元的电路宽度仅为20纳米。如果能够克服光刻等一切生产上的困难,这项新成果很可能在今后几年之内被用于制造容量高达32Gb的非易失性闪存芯片,相当于市场上现有产品的8倍。非易失性闪存已经成为一种日益普及的海量存储媒体,广泛用于数码相机、摄像机和带USB接口的便携式存储设备等装置。在没有电源电压的情况下,目前最先进的非易失性闪存每个存储单元只能永久存储1或2位信息。这种内存芯片的电路宽度为90纳米左右,而由于存在纳米级物理效应,…     

存储器

支持6Gbps硬盘串口标准的90nm磁盘驱动读取IC，采用逻辑地址访问方式的NAND型闪存，专为车用的32MB闪存芯片     

美光·英特尔联盟将投产34nm工艺多值NAND型闪存

美国美光科技与英特尔将从2008年下半年开始量产采用34nm工艺技术的多值NAND型闪存。该闪存1个芯片的容量为32Gbit,可用于SSD（固态硬盘）。容量比32Gbit小的多值和非多值（SLC：单层单元闪存）产品也将陆续在2008年内投产。     

恒忆推出业内首款45nm NOR闪存芯片

恒忆（Numonyx）发布业内首款采用45纳米工艺技术的多级单元（MLC）NOR闪存样片。在为客户提供高度的产品连续性和可靠性的同时,新产品发布还使恒忆能够大幅度提高存储产品的性能。新产品遥遥领先上一代65nm产品,是当前市场上最先进的NOR闪存。恒忆NOR闪存芯片广泛用于手机,运行关键的手机操作系统,管理个人数据,存储相片、音乐和视频。     

东芝推出43nm的SLCNAND闪存成为市场上最高密度芯片

东芝宣布推出43nm单层存储单元（SLC）的NAND闪存,产品容量从512Mb到64Gb,共有16个系列。新产品包括16Gb、32Gb和64Gb三种,结合采用43nm制程技术的单16Gb芯片,这是市场上最高密度的芯片。新产品运用领先的43nm制程技术和增加数据存储的先进技术,将每块芯片的容量提升到了以往56nm的SLC产品的2倍。从而为需要更高性能和可靠性的设备提供服务。与MCLNAND闪存相＼Ⅶ,新产品的写入速度约为2．5倍。     

行业动态

英飞凌打造全球尺寸最小的非易失性闪存单元英飞凌科技公司(FSE/NYSE:IFX) 的专家日前已经成功研制出目前世界上最小的非易失性闪存单元,打破了半导体行业的记录。这种全新存储单元的电路宽度仅为20纳米,约为一根头发丝的直径的五千分之一。如果能够克服光刻等一切生产上的困难,这项新成果很可能在今后几年之内被用于制造容量高达 32Gbit的非易失性闪存芯片,相当于市场上现有产品的8倍。     

Spansion推出MirrorBit Quad闪存技术

闪存供应商Spansion日前宣布推出业界首款采用每单元四比特技术的闪存芯片。Spansion Mirror Bit Quad技术的设计用以拓展创新的闪存，并降低电子设备内海量数字内容存储的成本。     

TFT-LCD驱动芯片内置SRAM的低功耗设计

内置SRAM是单片集成TFT-LCD驱动控制芯片中的图像数据存储模块.针对内置SRAM的低功耗设计要求,采用HWD结构和动态逻辑的字线译码电路,实现了1.8Mb SRAM的低功耗设计.电路采用0.18μm CMOS工艺实现,Hspice和Ultrasim仿真结果表明,与静态字线译码电路相比,功耗减小了20%;与DWL结构相比,功耗减小了16%;当访存时钟频率为31MHz时,SRAM存储单元的读写时间小于8ns,电源峰值功耗小于123mW,静态功耗为0.81mW.     

一种面向存算的高速字线驱动电路

在非易失性存算芯片(CIM)中,大规模阵列的栅极等效电容以及远距离传输导线的等效电容严重限制了字线驱动电路(WLDC)的切换速度.非易失性存算器件工作所需的多电压域的压差已远超字线驱动电路中单管耐压范围.文章提出了一种面向存算的高速字线驱动电路,结合阵列的工作原理,采取多级预处理电压控制方法,将多电压域多种高压进行可选...     

基于编程电流/电压的相变存储器写驱动电路

相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流扣电压脉冲编程的写驱动电路.针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波.设计采用SMIC 130 nm CMOS标准工艺库.对相变存储单元进行了测试,结果表明,用电流梯度波写驱动电路替代传统单一脉高电流脉冲波写驱动电路,相变存储器的低阻分布更加集中,可提高实验芯片的成品率.     

技术动态

Hynix等加盟CellularRAM工作组，TI发布“达芬奇”用于数字视频产品，飞利浦开始批量生产90nm CMOS芯片，三星：闪存芯片终将取代现有硬盘，ARM公布全新卢IPI减少安全程序开发时间。     

飞利浦开发出新型半导体材料

荷兰飞利浦电子公司称，它的研究人员发现了一种新型材料，可将内存整合到非常先进的具有超薄电路的半导体中。这种材料在开和关之间只需很低的电压，这有助于在未来生产具有更薄、更小电路的芯片。新材料可在芯片处于断电的情况下记忆数据，这一点类似于当前用于便携音乐播放器和数码相机的闪存芯片。     

英特尔美光公布存储密度更高的新型闪存芯片

英特尔和美光近日公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间,还能增加消费电子产品的存储容量。新NAND芯片每个存储单元可以存储3位信息,存储容量高达64G位（相当于8GB）。英特尔和美光称这是它们迄今为止尺寸最小的NAND闪存芯片。     

多通道NAND闪存控制器的硬件实现

本文提出了在一款片上系统(SOC)芯片设计中的多通道NAND闪存控制器实现方案。在对NAND闪存控制器的结构和实现方法的研究上,闪存控制器利用带两个16K字节缓冲器的高效率缓冲管理控制器来管理4个通道,每个通道可以连接4片闪存芯片。控制器内嵌16比特BCH纠错模块,支持AMBAAHB总线与MLC闪存。文中还介绍了行地址计算与快闪存储器存储单元的初始化。结果分析里给出了控制器的仿真波形、功耗分析和综合结果。在一个存储组与一个通道的配置条件下,控制器的实现只需要71K逻辑门。     

利用"镜像"技术使闪存单元容量加倍

一种全新的可使存储单元容量加倍的新架构最近问世。这种新技术称为“MirrorBit”,它可以使标准的闪存单元拥有比以前多一倍的存储容量,而性能和数据完整性完全不受影响。     

英特尔25nm闪存量产 演绎新固态硬盘时代

英特尔证实它与美光闪存公司合作开发的25nm闪存已经开始量产,并开始向消费者供货。IMFT（Intel-Micron Flash Technologies,英特尔美光闪存技术公司）于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片样本，     

JFFS:日志闪存文件系统

1闪存技术简介 1．1闪存 闪存是电子可擦写只读存储器（EEPROM）的一种，主要有两种类型——传统的NOR闪存和最近出现的价格更低廉的NAND闪存。这两种闪存有一个共同的特征——在被擦除的芯片中，每一个位都被置成逻辑1，可以被写操作置为逻辑0。闪存芯片以块的形式安排，通常NOR闪存一块的容量是128KB，NAND闪存是8KB。