中子核反应中反冲核的平均射程

用活化法测量了快中子核反应中反冲核在靶中的平均射程,发现不同的核反应（ｎ,２ｎ）,（ｎ,ｐ）,（ｎ,ａ）和（ｎ,ｎｐ）中的反冲核的平均射程存在系统性规律,导出了经验公式。此外,把理论公式计算的结果同实验结果进行了比较,并给出了修正的理论计算公式。     

Ar离子轰击Ag靶的溅射角分布

本文描述了用溅射粒子捕集器和Rutherford背散射分析测定溅射粒子角分布的实验方法。给出了100keV Ar~+在入射角分别为0°、30°、50°和80°时轰击Ag靶的溅射角分布。角分布偏离余弦形状,有前倾趋势。溅射产额随入射角增大而迅速增加。由50keV Ar~+垂直入射Ag的溅射角分布计算出的总溅射产额为16.8±2.4~(atoms)/Ar~+。实验结果与理论值进行了比较,并作了定性分析。     

偏滤器材料溅射过程的数值研究(英文)

为了估计一些偏滤器材料的腐蚀速率,应用一种描述溅射物理过程的新方法,基于离子输运的双群模型计算了一些偏滤器材料:钼、钨和锂在聚变带电粒子H+,D+,T+和He++的轰击下的溅射产额,并与 Monte-Carlo 方法计算得到的结果作了比较。这些结果对估计面对等离子体的部件寿命和分析聚变堆堆芯等离子体中的杂质水平估计是很有用的。     

大量铀中微量镎的去除方法研究

在放射性同位素生产和中子活化分析中，快中子注量率对放射性同位素产额估算起着非常重要的作用。为测量堆中高能中子（〉6MeV）的成分，本工作利用核反应238U（n，2n）237U来进行监测。     

固体气泡损伤探测器中子探测效率的刻度

在２＊１．７ＭＶ串列加速器上用＾７Ｌｉ（ｐ,ｎ）＾７Ｂｅ、Ｔ（ｐ,ｎ）＾３Ｈｅ、Ｄ（ｄ,ｎ）＾３Ｈｅ和Ｔ（ｄ,ｎ）＾４Ｈｅ核反应产生的２０ｋｅＶ－１９ＭｅＶ单能快中子对中国原子能科学研究院研制的固体气泡损伤探测器进行了刻度。这种探测器可用于中子能谱和中子剂量测量。     

用于快中子引起带电粒子核反应研究的屏栅电离室及双参数测量系统

本文主要介绍和描写了用于快中子引起的发射带电粒子核反应研究的具有共阴极的两个背靠背的双重屏栅电离室。用双参数数据获取系统可同时得到阳极和阴极的关联信号。由此可以研究由贴在阴极上的靶物质发射的带电粒子的能量和角分布，实验上用Ｐｕα放射源来检验屏栅电离室的基本性能，由双参数数据获取系统得到其双维谱，经数据处理之后，其角分布基本上呈现各向同性分布，对Ｐｕα放射源的能量（Ｅ＝５．４９９ＭｅＶ），其能量分辨串为～２％，此电离室已用于（４０）￣Ｃａ（ｎ，α）和￣（６４）Ｚｎ（ｎ，α）等核反应研究工作。     

压水反应堆一回路水中二次带电粒子核反应产物的比活度

压水反应堆内的快中子与一回路水中的氢发生弹性散射产生的高能量的质子与水中核靶发生核反应产生了具有放射性的核素。以秦山二期压水堆为例,计算了高能中子通量,求出了质子能谱,然后计算了一回路水中由＾１６Ｏ（ｐ,ａ）＾１３Ｎ反应产生的＾１３Ｎ、＾１８Ｏ（ｐ,ｎ）＾１８Ｆ反应产生的＾１８Ｆ和＾１１Ｂ（ｐ,ｎ）＾１１Ｃ反应产生的＾１１Ｃ的产生率。根据一回路水的循环特征,获得了这些核素的比活度。     

Al_xSn_（100－x）合金系统的Ar~＋溅射研究

用捕获膜和卢瑟福背散射技术给出了３０ｋｅＶＡｒ＋轰击ＡｌｘＳｎ１００－ｘ合金系统（Ｘ＝９０，７０，５０，３０，１０）溅射Ｓｎ和Ａｌ原子的角分布及其择优溅射变化。提出一个考虑靶点表面形貌和元素局域富集对发射原子影响的模型，分析结果和实验数据符合较好．     

飞行时间法测量真空电子偶素产额研究低能离子溅射诱导的缺陷损伤

利用飞行时间谱直接测量了低能正电子与表面相互作用时的真空Ｐｓ产额．该方法比通常的峰法和峰－谷法准确、简单：利用该方法研究了Ａｒ＋溅射在Ｓｉ（１００）面上诱导的缺陷损伤及退火行为。     

多元分层动态靶溅射的快速Monte Carlo模拟计算

本文介绍多元分层动态靶溅射的快速Monte Carla模拟程序的计算过程、程序框图以及应用实例。本程序采用二体碰撞近似描述原子间的散射过程,所用作用势为Molière近似的Thomas-Fermi势。在相同计算精度下,该程序的计算时间约为原程序的一半。该程序可用于计算几百eVkeV离子轰击多元无定型靶的溅射产额,给出溅射能谱、角分布及深度来源分布等计算结果。     

Recent Developments in Magnetron Sputtering

The principle of magnetron sputtering is introduced andthe balanced and unbalanced magnetrons are compared andthe necessity of unbalanced magnetrons is explained as well. Several recent developments in plasma magnetron sputtering, i.e., unbalanced magnetron sputtering, pulsed magnetron sputtering and ion assisted sputtering, are discussed. The recent developments of unbalanced magnetron systems and their incorporation with ion sources result in an understanding in growingimportance of the magnetron sputtering technology, which makes the technology an applicable deposition process for a variety of important films, such as wear-resistant films and decorative films.     

27keV Ar~+离子溅射Cu和CuAu靶时Cu的同位素分馏研究

本文报道了27keV Ar~+离子分别轰击Cu元素靶和CuAu合金靶时溅射Cu原子的同位素(~(63)Cu和~(65)Cu)分馏测量结果,发现:(1)对Cu元素靶,同位素分馏δ_f(~(63)Cu,~(65)Cu)=(62±27)‰,而对Cu-Au合金靶,δ_f=(5.9±1.6)‰;(2)δ_f(~(63)Cu,~(65)Cu)随发射角θ的变化对两者靶而言趋势是相似的,但在CuAu合金靶情况下,当θ≤40°时,δ_f((63)Cu,~(65)Cu)为负值。     

溅射功率对磁控溅射制备Bi薄膜结构和性能的影响

采用直流磁控溅射方法在不同功率下制备了铋(Bi)薄膜,对薄膜的沉积速率、表面形貌、生长模式、晶体结构进行了研究,并对其晶粒尺寸和应力的变化规律进行了分析。扫描电镜(SEM)图像显示：薄膜均为柱状生长,平均晶粒尺寸随溅射功率先增大后减小,薄膜的致密度随着功率的增加而降低,在60W时又变得较致密。X射线衍射(XRD)结果表明：Bi薄膜均为多晶斜六方结构,薄膜内应力随功率的增加由张应力变为压应力。     

Total sputtering yields of solids under MeV-energy Si ion bombardment

Total sputtering yields have been measured for SiO₂ and Cu targets bombarded with Si ions at an incident energy between 500 keV and 5.0 MeV using a quartz crystal microbalance technique. In order to measure total yields accurately, we have developed a beam modulation technique to avoid the effect of thermal drift. In the MeV energy range, an ion penetrates through thin SiO₂ and Cu targets and is implanted into a quartz crystal. Therefore, the thickness of these layers deposited on quartz crystals was carefully controlled to avoid damage of quartz crystal by incident ions. As a result, total sputtering yields of SiO₂ increased with incident Si ion energy, while those of the Cu target decreased. The total yields of the SiO₂ target were represented well by a power low of the electronic stopping power.     

低能离子溅射引起表面损伤的研究

本文应用背散射沟道技术研究了低能离子轰击不同晶向表面所引起的晶格损伤与离子能量、剂量的关系,讨论了损伤形成的动力学过程。     

Phase changes of the ZrO2-12wt%Y2O3 film with Ar+ irradiation

The zirconia containing 12wt%Y₂O₃ thin films deposited by r.f. magnetron sputtering at 25℃ or 400℃, and then bombarded with Ar⁺ beam at room temperature were characterized with XRD before and after Ar⁺ bombardment. It is found that a series of phases formation and transformation happened, among them the mostimportant event is that T' phase appeared after Ar⁺ irradiation andthe content of the T' phase increased with the increase of Ar⁺ iondoses from 5×10¹⁵ to 6×10¹⁶ ions cm^-2.     

高剂量注入中离子溅射的影响

在离子注入材料改性的研究过程中(金属、绝缘材料和光学材料等),在许多场合下,要求注入的元素(如Fe中注入N、Y、Ph和Sn等)在靶子中占百分之几的含量,这就要求注入剂量高达10~(17)/cm~2到10~(12)/cm~2。由于离子注入的溅射效应在低能和大剂量注入中是相当明显的,因此,对这些元素高剂量注入后的杂质分布、溅射系数、溅射厚度和靶子中杂质的收集量做一分析是十分重要的。     

20—80keV Ar~+离子对稀释Si(Co,Ta)合金的溅射

荷能离子对单元素的溅射已有较好的理论解释,但是对多元合金或化合物溅射的研究才开始不久,目前尚无一个能够成功地解释实验现象的理论。 溅射后合金样品近表面组成的改变,是一种有趣的实验现象。实验中发现三元合金的现象比二元合金更为复杂,例如,元素的近表面改变与溅射离子的能量有关,这是用现有的择优溅射理论无法解释的。为研究这种现象,我们选取了Si(Co,Ta)三元合金,在分别用20到     

背散射法测定低能氩离子对金的溅射率

本文用背散射方法测定了300—1200eV不同能量的氩离子对金的溅射率。实验测得的背散射能谱用两种不同的方法(能量损失和面积法)处理,结果表明,用背散射法测得金的溅射率与G.K.Wehner用称重法测定的数据很接近,其与入射离子能量的关系为Y∝E~(0.4)。