真空蒸馏冷凝法提纯粗铟的实验研究

采用真空蒸馏冷凝法研究粗铟的分离提纯,通过分别控制蒸馏温度及冷凝温度,在蒸馏段脱除粗铟中难挥发杂质元素,而冷凝段使易挥发杂质元素分离,达到提纯金属铟的目的.实验表明:蒸馏温度为1 300℃,保温时间40 min,真空压力5～15 Pa,冷凝区温度为830～1 030℃时,可以获得纯度为99.99%的精铟,但Sn元素的含量没有达到4 N国家标准.在蒸馏温度和冷凝区温度分别为1 188℃和830℃,保温时间240 min,真空压力5～15 Pa条件下,可以获得纯度为99.99%的精铟,且所有杂质元素的含量全部符合4 N铟的国家标准.     

蒸馏水解法制备金红石型高纯TiO_2粉体

以四氯化钛(TiCl_4)为原料,液体石蜡为纯化剂,氨水为形核剂,采用蒸馏与水解两步法制备金红石型高纯TiO_2粉体.通过XRF分析样品中的杂质含量;XRD和SEM表征高纯TiO_2粉体的物相组成及形貌特征.结果表明:在化学法除钒过程中,当液体石蜡加入量与TiCl_4原液质量比为1∶100,加热搅拌1 h,反应温度138℃时,除钒效果最佳;提纯后的TiCl_4经水解,于800℃煅烧2h得到近球形的金红石型TiO_2粉体,粒径约1μm,纯度达到99.994 9%.     

含镉铊物料中组元镉和铊活度系数的测定研究

在400～700℃范围和10～60Pa条件下进行真空蒸馏含镉和铊等元素物料的实验,通过测定镉和铊的化学成分,计算组元的活度系数,并用最小二乘法拟合实验数据,得到镉与铊活度系数与温度、成分关系以及活度系数与温度及成分之间的关系,为真空冶金蒸馏法获取镉和铊材料提供理论依据．     

单晶铜线材的表面氧化研究

为了解决单晶铜线材在存储过程中的氧化问题,本文通过氧化增重实验,对不同组织、不同纯度铜线材的表面氧化行为进行了研究.结果表明:温度的高低对铜线材的氧化速率起决定性作用,不同铜线材对温度的敏感程度不同.单晶铜的氧化速率低于多晶铜,纯度越高的单晶铜抗氧化性能越好.单晶铜的氧化速率与其晶粒取向有关,生长方向为<100>的单晶铜更容易氧化.铜线材的氧化速率是由Cu2O的生长速度控制的,主要因素是铜离子向外扩散的速率.低纯单晶铜和多晶铜的氧化膜均容易脱落,不能对基体起到应有的保护作用.     

Ti_3SiC_2增强铝基复合材料的摩擦磨损特性研究

通过机械合金化制备出了Ti3SiC2粉体,真空热处理对机械合金化粉体进行了提纯,采用脉冲放电等离子烧结(SPS)技术制备出了Ti3SiC2/Al复合材料,并对该复合材料进行了组织观察和摩擦磨损特性的表征。研究结果表明,采用机械合金化技术可以将Ti,Si和C单质粉体合成Ti3SiC2,机械合金化合成Ti3SiC2粉体中含有的TiC杂质相可通过真空热处理去除,当热处理温度为1 000℃时,可将Ti3SiC2的纯度提高至99.1%。在550℃时,采用SPS技术烧结的Ti3SiC2/Al复合材料组织均匀摩擦磨损特性优良,其中含5 vol%Ti3SiC2的复合材料摩擦系数较低且耐磨性较好。     

粗乙醇蒸馏提纯时杂质的影响及处理

在对粗乙醇蒸馏提纯制化学试剂级９５％乙醇时，粗乙醇中杂质的成分和含量对蒸馏提纯产生影响，根据不同杂质必须采用相应的处理方法。     

大面积碘化汞多晶薄膜的气相沉积生长和成像探测器

正西安工业大学通过近10年的技术探索和积累,已经掌握了成熟的原料提纯工艺。通过稳定的精细提纯技术,可获得纯度约5N的多晶HgI_2粉体;通过在小面积(1cm~2)ITO玻璃上的沉积,生长了厚度100～1 000μm、电阻率1 010～1 011Ω·cm的薄膜,获得了成熟可靠的薄膜沉积工艺。通过自行设计和精密加工的大面积沉积设备,采用优化工艺,严格控制     

两温区气相输运温度振荡法合成AgGaS2多晶材料

根据对Ag2S-Ga2S3赝二元相图的分析，采用同成分点配料，分别采用一种新方法——两温区气相输运温度振荡法和普通气相输运法合成AgGas2多晶材料。通过XRD对合成AgGaS2多晶的分析，结果发现：新方法合成的原料纯度及均匀性优于普通气相输运法合成的样品。晶体生长实验表明：新方法合成的AgGaS2多晶材料生长出的单晶外观完整、无裂纹，红外透过率达67％，而普通气相输运法合成的多晶材料生长出的单晶体红外透过率36％。因此，两温区气相输运温度振荡法是合成高质量AgGaS2多晶材料的一种较好的新方法。     

用真空蒸馏法提纯粗硒的研究

从理论上分析了采用真空蒸馏的方法将粗硒提纯除杂的可行性和规律性.通过小型实验考察了蒸馏温度和时间两个因素对提纯效果的影响.确定最佳工艺条件为:蒸馏温度483 K,蒸馏时间20 m in.可获得硒的品位为99%以上.     

机械合金化合成Ti_2SnC粉体的真空热处理

研究真空热处理对机械合金化Ti2SnC纯度、粉体形态以及晶体微结构的影响。结果表明,真空热处理可以显著提高机械合金化粉体中的Ti2SnC的含量。热处理的粉体中,Ti2SnC的含量在650~750℃范围内随着热处理温度的提高而增加。当温度继续升高时纯度会有所降低,随着热处理温度上升晶体的微应变逐渐下降,晶粒尺寸逐渐增大。当热处理温度为950℃时,点阵常数接近理论值。     

对平晶衍射强度公式的讨论

本文利用耦合方程推导了平晶衍射公式,并通过数值计算与W.H Zachariasen公式作了比较,最后讨论了入射宽度的影响。     

KDP晶体生长工艺研究

利用水溶法生长了KDP单晶体,系统论述了晶体生长装置和工艺各个过程.指出生长均匀、无缺陷KDP单晶体工艺过程中的注意的事项.实验表明晶体生长过程中溶液的纯度不高,会造成籽晶以外的溶液体系其他部位大量成核;pH值过高,生长的晶体会出现楔化现象,过低则影响生长速率,实验测得pH值为2.2;50℃的晶体退火温度能有效消除晶体内部的热应力,提高晶体的光学均匀性.同时籽晶的切向、温度控制的准确性等因素有效避免晶体生长过程中出现的生长层、晶面花纹等缺陷.     

柱状晶向等轴晶转变过程的模拟实验研究

通过对NH_4Cl水溶液二维凝固过程的模拟实验,研究了柱状晶向等轴晶转变的条件及规律。结果表明,液相区内晶体形成后,在重力和液流作用下运动,其主要运动趋势是重力作用下的下落。不同凝固面接受下落晶体的能力不同,发生柱状晶向等轴晶转变的条件和机理不同,因而柱状晶区的长度也不同。文中提出了各凝固面柱状晶区长度的估算方法和利用“晶雨”促使柱状晶向等轴晶转变的措施。     

定向凝固纯铜组织性能研究

采用高真空多功能定向凝固及悬浮熔炼设备,以不同凝固速度制备纯铜试样,并对定向凝固纯铜试样的显微组织和机械性能进行了分析研究.通过实验获得了定向凝固纯铜的组织性能.当凝固速度小于500μm/min时,定向凝固的纯铜试样横、纵截面的晶粒形貌都是等轴晶,晶粒内存在孪晶,凝固速度较小时,其孪晶组织数量较多.当凝固速度大于500μm/min时,定向凝固的纯铜试样横截面的晶粒形貌是等轴晶,而纵截面的晶粒形貌是柱状晶,晶粒内基本不存在孪晶组织.定向凝固纯铜的室温机械性能是:当凝固速度在50μm/min的条件下,试样的抗拉强度约153 MPa,较普通铸造纯铜试样的低,而屈服强度约91.8 MPa,延伸率约80.12%,都优于普通铸造纯铜试样.透射电镜分析表明,纯铜定向凝固过程中形成的孪晶B=[110].     

单晶物理性能随空间方向的变化

单晶晶格的各向异性导致单晶物理性质的各向异性,单晶的物理性质(如:材料热膨胀系数、弹性模量等)随空间方向变化。通过方向相关函数描述单晶物理性质随空间方向的变化,推导出单晶物理性质方向相关函数的一般形式,给出立方单晶和3m单晶物理性质方向相关函数的具体表达式,并将其     

光学晶体加工中的定向方法

晶体的定向在晶体加工中是一项很重要的工作。本文介绍了几种不同的定向方法,每一种方法都有自己的特点和用途。文章还对常用的定向方法从原理和使用上作了分析和讨论。     

热液型水晶晶体形貌标型特征研究

利用微分干涉显微镜等测试手段，对不同类型的水晶晶体各族晶面的形貌特征进行观察和描述，采用编码统计方式定量表达晶体形态与生长环境条件的关系．测试了水晶晶体中包裹体的均一温度、盐度等参数，水晶晶体各族晶面c：R：r的生长速率比例主要与环境温度、过饱和度有关：低温、低过饱和度时，晶体以柱状晶习占优势；温度及过饱和度升高，晶体生长速度加快。晶面之间生长速率差异相对减少，则以菱面体状晶习占优势。     

Al~（3＋）对二水硫酸钙结晶动力学影响的研究

本实验采用化学纯磷酸二氢钙和硫酸为原料，模拟湿法磷酸生产中二水硫酸钙的结晶过程，应用粒数平衡技术，改进的实验数据分析方法，在ＭＳＭＰＲ结晶器中研究了酸中杂质Ａｌ３＋对二水硫酸钙的结晶动力学及结晶习性的影响、结果表明Ａｌ３＋对二水硫酸钙的结晶动力学有很大影响，且使二水硫酸钙晶体变小变短。并发现存在－Ａｌ３＋浓度极值，低于此浓度，二水硫酸钙成核速随Ａｌ３＋浓度的增加而增大，成长速率则随Ａｌ３＋浓度的增大而减小，高于这个浓度，则情况相反．     

水热法KTP晶体形貌及成因

利用双圈接触测角仪、双圈反射测角仪、微分干涉显微镜等测试手段,对不同条件下水热法生长的KTP晶体的宏观形态及各族晶面的微观形貌特征进行了观察和描述.测试了水热法KTP晶体的成分、结构.水热法生长的KTP晶体的宏观形态与晶体生长溶液的过饱和度及籽晶的切向、形态、悬挂方式有关:低过饱和度时,晶体中易出现高指数晶面,随着溶液过饱和度的增大,高指数晶面逐渐消失.各族晶面的微观形貌主要受控于晶体的内部结构.     

锗金属单晶材料性能及加工技术研究

根据锗金属单晶材料的物理性能特点,在大量试验的基础上,探索出一套行之有效的锗金属单晶整盘加工工艺.对影响锗金属单晶零件表面光洁度的磨盘、磨料、加工条件等因素作了详细分析和论述,其结果可用来指导锗金属单晶零件的生产.